Список изменяющих документов (в ред. Изменения N 1, утв. в октябре 1985 г.) |
Обозначение НТД, на который дана ссылка | Номер пункта | ||||
| |||||
ГОСТ 19480-89 | |||||
ИС МЕГАНОРМ: примечание. ГОСТ 19480-89 утратил силу на территории Российской Федерации с 1 августа 2017 года в связи с введением в действие ГОСТ Р 57441-2017 (Приказ Росстандарта от 04.04.2017 N 257-ст). |
Термин | |
Storage unit | По ГОСТ 15971 |
Storage element | Часть запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных |
Ячейка ЗУ Storage cell | Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти |
Storage content | Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве |
ОЗУ Random access memory RAM | Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций |
ПЗУ Read-only memory ROM | Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных |
ППЗУ Programmed read-only memory PROM | Постоянное запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе |
ВЗУ External storage | Запоминающее устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения большого объема данных |
ЗУМС Magnetic core film memory | - |
ЗУМП Magnetic thin film memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку |
Inductor memory | Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды |
Optoelectronic memory | Запоминающее устройство, в котором используются свойства светового луча изменять физические состояния запоминающей среды |
Cryogenic memory | Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах |
Semiconductor memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы |
ЗУЦМП Plated wire memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на поверхность проволоки |
Magnetic domain device | Запоминающее устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах ортоферритов |
Capacitor memory | Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды |
Static memory | Запоминающее устройство без регенерации данных при хранении |
Dynamic memory | Запоминающее устройство с регенерацией данных при хранении |
Nonvolatile memory | Запоминающее устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании |
Volatile memory | Запоминающее устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании |
В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ | |
Random access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности |
Sequential access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной последовательности |
Associative access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками хранимых в них данных |
Core (ferrite) memory organization | Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов. Примечание. Различают системы 2Д, 2 1/2Д, 3Д. |
Емкость Capacity | Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве |
Access cycle | Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства |
Access time | Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства |
Storage time | Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации |
Data transfer speed | Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени |
Write | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство |
Read | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства |
Destructive read | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание |
Non-destructive read NDR | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание |
Refresh | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их сохранения |
Holding | Режим работы запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания в произвольный момент времени |
Adress unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе запоминающего узла |
Memory unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения данных |
Sensing unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы |
Writing unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды |
Static test | Режим проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные данные не меняются |
Статический тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля | |
Dynamic test | Режим проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются |
Динамический тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц | |
ВЗУ | |
Время выборки данных | |
Время хранения данных | |
Доступ к данным ассоциативный | |
Доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках системный | |
Доступ к данным последовательный | |
Доступ к данным произвольный | |
Емкость | |
Емкость запоминающего устройства информационная | |
Запись данных | |
ЗУ | |
ЗУМП | |
ЗУМС | |
ЗУЦМП | |
ОЗУ | |
ПЗУ | |
ППЗУ | |
Регенерация данных | |
Скорость передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о) | |
Скорость передачи данных из запоминающего устройства | |
Содержимое запоминающего устройства | |
Считывание данных | |
Считывание данных без разрушения | |
Считывание данных с разрушением | |
Тест "Дождь" контроля запоминающего устройства | |
Тест контроля запоминающего устройства динамический | |
Тест контроля запоминающего устройства статический | |
Тест "Тяжелый код" контроля запоминающего устройства | |
Узел выборки адреса | |
Узел записи данных | |
Узел запоминающий | |
Узел считывания данных | |
Устройство запоминающее | |
Устройство запоминающее внешнее | |
Устройство запоминающее динамическое | |
Устройство запоминающее индуктивное | |
Устройство запоминающее конденсаторное | |
Устройство запоминающее криогенное | |
Устройство запоминающее оперативное | |
Устройство запоминающее оптоэлектронное | |
Устройство запоминающее полупроводниковое | |
Устройство запоминающее постоянное | |
Устройство запоминающее постоянное программируемое | |
Устройство запоминающее статическое | |
Устройство запоминающее энергозависимое | |
Устройство запоминающее энергонезависимое | |
Устройство на магнитных сердечниках запоминающее | |
Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее | |
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее | |
Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее | |
Хранение данных | |
Цикл обращения к запоминающему устройству | |
Элемент запоминающий | |
Ячейка запоминающего устройства | |
Ячейка ЗУ |
Access cycle | |
Access time | |
Adress unit | |
Associative access | |
Capacitor memory | |
Capacity | |
Core (ferrite) memory organization | |
Cryogenic memory | |
Datatransfer speed | |
Destructive read | |
Dynamic memory | |
Dynamic test | |
External storage | |
Holding | |
Inductor memory | |
Magnetic core memory | |
Magnetic domain device | |
Magnetic thin film memory | |
Memory unit | |
NDR | |
Non-destructive read | |
Nonvolatile memory | |
Optoelectronic memory | |
Plated wire memory | |
Programmed read-only memory | |
PROM | |
RAM | |
Random access | |
Random access memory | |
Read | |
Read-only memory | |
Refresh | |
ROM | |
Semiconductor memory | |
Sensing unit | |
Sequential access | |
Static memory | |
Static test | |
Storage cell | |
Storage content | |
Storage element | |
Storage time | |
Storage unit | |
Volatile memory | |
Write | |
Writing unit |