1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") и Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон)

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 257-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений - отечественную или международную.

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее - микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

1 напряжение питания; U_пi (U_CCi): Напряжение i-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.

Примечание - i - порядковый номер источника питания.

2 напряжение питания в режиме хранения; U_{п. хр} (U_CCS): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.

3 напряжение питания в режиме ожидания; U_{п. ож} (U_CCW): -

4 входное напряжение; U_вх (U_I): -

5 входное напряжение низкого уровня; U_{вх. н} (U_IL): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.

6 входное напряжение высокого уровня; U_{вх. в} (U_IH): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.

7 входное пороговое напряжение; U_{пор. вх} (U_IT): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

8 входное пороговое напряжение низкого уровня; U_{пор. вх. н} (U_ITL): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

9 входное пороговое напряжение высокого уровня; U_{пор. вх. в} (U_ITH): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

10 напряжение сигнала стирания; U_ст (U_ERA): Напряжение на выводе "Стирание", обеспечивающее удаление информации.

11 напряжение сигнала программирования; U_пр (U_PR): Напряжение на выводе "Программирование", обеспечивающее изменение информации.

12 напряжение срабатывания; U_срб (U_ITP): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

13 напряжение отпускания; U_отп (U_ITN): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

14 напряжение гистерезиса; U_гист (U_h): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.

15 напряжение смещения нуля; U_см (U_IO): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.

16 входное напряжение синфазное; U_{сф. вх} (U_IC): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.

17 входное напряжение дифференциальное; U_{дф. вх} (U_ID): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.

18 входное напряжение ограничения; U_{огр. вх} (U_Ilim): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.

19 входное напряжение покоя; U_0вх (U_IQ): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

20 выходное напряжение; U_вых. (U_O): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.

21 выходное напряжение низкого уровня; U_{вых. н} (U_OL): -

22 выходное напряжение высокого уровня; U_{вых. в} (U_OH): -

23 напряжение низкого уровня в состоянии "Выключено"; U_{выкл. н} (U_OZL): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено".

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

24 напряжение высокого уровня в состоянии "Выключено"; U_{выкл. в} (U_OZH): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии "Выключено"

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

25 выходное дифференциальное напряжение; U_{дф. вых} (U_OD): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.

26 выходное напряжение покоя; U_0вых (U_OQ): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

27 коммутируемое напряжение; U_ком (U_S): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.

28 опорное напряжение; U_оп (U_REF): Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения.

29 остаточное напряжение; U_ост (U_DS): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.

30 напряжение шума; U_ш (U_n): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.

31 напряжение автоматической регулировки усиления; U_АРУ (U_AGC): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; U_{зд. АРУ} (U_AGCd): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.

33 напряжение изоляции; U_из (U_ISO): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.

34 напряжение пульсаций источника питания; U_{пл. п} (U_ccr): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.

35 падение напряжения; U_пд (U_OI): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.

36 минимальное падение напряжения; U_{пд. мин} (U_OImin): Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.

37 нестабильность по напряжению; (dU_U): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.

38 нестабильность по току; (dU_I): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.

39 ток потребления; I_пот (I_CC): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания.

40 ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; I_{пот. н} (I_CCL): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.

41 ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; I_{пот. в} (I_CCH): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня

42 ток потребления в состоянии "Выключено"; I_{пот. выкл} (I_CCZ): Ток, потребляемый микросхемой в состоянии "Выключено" на выходе.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

43 динамический ток потребления; I_{пот. дин} (I_CCO): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.

44 ток потребления в режиме хранения; I_{пот. хр} (I_CCS): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.

45 ток стирания; I_стр (I_ERA): Ток, протекающий в цепи вывода "Стирание" микросхемы.

46 входной ток; I_вх (I_I): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.

47 входной ток низкого уровня; I_{вх. н} (I_IL): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.

48 входной ток высокого уровня; I_{вх. в} (I_IH): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.

49 разность входных токов; (I_IO): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.

50 входной пробивной ток; I_{вх. прб} (I_IB): Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.

51 выходной ток; I_вых (I_O): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.

52 выходной ток низкого уровня; I_{вых. н} (I_OL): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня.

53 выходной ток высокого уровня; I_{вых. в} (I_OH): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня.

54 выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено"; I_{выкл. н} (I_OZL): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

55 выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено"; I_{выкл. в} (I_OZH): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии "Выключено", при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

56 ток короткого замыкания; I_кз (I_OS): Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод питания).

57 ток утечки; I_ут (I_L): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.

58 ток утечки на входе; I_{ут. вх} (I_IL): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.

59 ток утечки низкого уровня на входе; I_{ут. вх. н.} (I_ILL): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

60 ток утечки высокого уровня на входе; I_{ут. вх. в} (I_ILH): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

61 ток утечки на выходе; I_{ут. вых} (I_OL): Ток в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.

62 ток утечки низкого уровня на выходе; I_{ут. вых. н} (I_OLL): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

63 ток утечки высокого уровня на выходе; I_{ут. вых. в} (I_OLH): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

64 ток автоматической регулировки усиления; I_АРУ (I_AGC): Ток, протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

65 режимный ток; I_Р (I_R): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.

66 потребляемая мощность; P_пот (P_CC): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.

67 входная мощность; P_вх (P_I): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.

68 выходная мощность; P_вых (P_O): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.

69 рассеиваемая мощность; P_рас (P_tot): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.

70 динамическая потребляемая мощность; P_{пот. дин} (P_CCO): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.

71 потребляемая мощность в режиме хранения; P_{пот. хр} (P_CCS): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.

72 входное сопротивление; R_вх (R_I): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.

73 выходное сопротивление; R_вых (R_O): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.

74 сопротивление нагрузки; R_н (R_L): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

75 сопротивление в открытом состоянии; R_отк (R_ON): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.

76 сопротивление изоляции; R_из (R_ISO): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.

77 входная емкость; C_вх (C_I): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты.

78 выходная емкость; C_вых (C_O): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.

79 емкость нагрузки; C_н (C_L): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

80 емкость входа/выхода; C_вх/вых (C_I/O): Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.

81 емкость аналогового входа; C_{вх. ан} (C_S): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

82 емкость аналогового выхода; C_{вых. ан} (C_D): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

83 емкость управляющего входа; C_{вх. упр} (C_IC): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

84 емкость между аналоговыми выходом и входом; C_{вых/вх. ан} (C_DS): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

параметры

85 время включения; t_вкл (t_on): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.

86 время выключения; t_выкл (t_off): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.

87 время переключения; t_пер (t_tran): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.

88 время задержки включения; t_{зд. вкл} (t_DHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 или на заданном уровне напряжения.

89 время задержки выключения; t_{зд. выкл} (t_DLH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,9 или на заданном уровне напряжения.

90 время задержки распространения при включении; t_{зд. р. вкл} (t_PHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

91 время задержки распространения при выключении; t_{зд. р. выкл} (t_PLH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

92 время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"; t_{зд. р13} (t_PHZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

93 время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня; t_{зд. р31} (t_PZH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

94 время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"; t_{зд. р03} (t_PLZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено", измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

95 время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня; t_{зд. р30} (t_PZL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

96 время нарастания входного сигнала; t_{нар. вх} (t_LH): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до 0,9 от заданного значения.

97 время спада входного сигнала; t_{сп. вх} (t_HL): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

98 время нарастания выходного сигнала; t_{нар. вых} (t_r): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения.

99 время спада выходного сигнала; t_{сп. вых} (t_f): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

100 время цикла; t_ц (t_CY): Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.

101 время цикла записи информации; t_зп (t_CYW): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.

102 время цикла считывания информации; t_сч (t_CYR): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.

103 время выборки; t_в (t_A): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

104 время установления входных сигналов; t_уст (t_SU): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.

105 время удержания; t_у (t_H): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.

106 время восстановления; t_вос (t_REC): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.

107 время сохранения сигнала; t_сх (t_V): Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.

108 время хранения информации; t_хр (t_SG): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.

109 время установления выходного напряжения; t_устU (t_S): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.

110 время преобразования; t_прб (t_c): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.

111 время успокоения выходного напряжения; t_успU (t_tot): Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.

112 время регенерации; t_рег (t_REF): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.

113 длительность сигнала; (t_W): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.

114 длительность сигнала низкого уровня; (t_WL): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

115 длительность сигнала высокого уровня; (t_WH): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

116 период следования тактовых импульсов; T_Т (T_C): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.

117 коэффициент усиления напряжения; К_уU (A_U): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.

118 коэффициент усиления тока; К_уI (A_I): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.

119 коэффициент усиления мощности; К_уP (A_P): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.

120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; К_{у. сф} (A_UC): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.

121 коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля; К_{вл. и. п} (K_SVR): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.

122 коэффициент умножения частоты; К_умнf (K_MPYf): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.

123 коэффициент деления частоты; К_делf (K_DIVf): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.

124 коэффициент подавления сигнала между каналами; К_под (K_Don): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.

125 коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; К_{ос. сф} (K_CMR): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.

126 коэффициент гармоник; К_г (K_h): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.

127 коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; К_{нл. А} (A_nla): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.

128 коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; К_{нр. АЧ} (A_FM): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.

129 коэффициент полезного действия; : Отношение выходной мощности микросхемы к потребляемой мощности.

130 коэффициент разделения каналов; К_разд (K_dNC): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).

131 коэффициент передачи; К_пер (K_UP): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.

132 коэффициент шума; К_ш (F_n): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.

133 коэффициент преобразования; К_прб (G): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.

134 температурный коэффициент входного тока; : Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

135 температурный коэффициент разности входных токов; : Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

136 температурный коэффициент напряжения смещения нуля; : Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

137 температурный коэффициент опорного напряжения; : Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

138 температурный коэффициент выходного напряжения; : Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

139 коэффициент стоячей волны на входе; К_{ст. вх} (SWR_I): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала.

140 коэффициент стоячей волны на выходе; К_{ст. вых} (SWR_O): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.

141 коэффициент сглаживания пульсаций; К_сг (K_RR): Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.

142 частота входного сигнала; f_вх (f_I): -

143 частота выходного сигнала; f_вых (f_O): -

144 частота генерирования; f_г (f_g): -

145 частота следования импульсов тактовых сигналов; f_т (f_C): -

146 частота коммутации; f_ком (f_S): -

147 частота единичного усиления; f₁ (f₁): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.

148 частота полной мощности; f_P (f_P): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

149 полоса пропускания; (BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона

150 центральная частота полосы пропускания; f_ц (f_c): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.

151 нижняя граничная частота полосы пропускания; f_н (f_L): Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

152 верхняя граничная частота полосы пропускания; f_в (f_H): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

153 частота среза; f_срз (f_CO): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.

154 диапазон частот; : Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.

155 динамический диапазон по напряжению; : Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.

156 дрейф выходного напряжения; : Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.

157 дрейф опорного напряжения; : Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.

158 дрейф выходного тока; : Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времени.

159 скорость нарастания выходного напряжения; V_Uвых (SR): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.

160 максимальная скорость нарастания выходного напряжения; V_{Uвых. макс} (SR_max): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.

161 нормированная электродвижущая сила шума; E_{ш. н} (E_nN): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.

162 диапазон автоматической регулировки усиления; U_АРУ (AGC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.

163 порог чувствительности; S (S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.

164 индукция срабатывания; B_ср (B_op): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

165 индукция отпускания; B_отп (B_rp): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

166 крутизна проходной характеристики; S_п (S_TR): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.

167 отношение сигнал/шум; N_с/ш (N_n): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.

168 фазовый сдвиг интегральной микросхемы; : Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.

169 фазовая ошибка; : Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.