Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1 Параметры микросхем | |||||
1.1 Выходное напряжение | Uвых | U0 | - | ОП, Р | - |
1.2 Выходное напряжение низкого уровня | Uвых.н | U0L | + | ОП | - |
1.3 Выходное напряжение высокого уровня | Uвых.в | U0H | + | ОП | - |
1.4 Выходное пороговое напряжение низкого уровня | Uпор.вых.н | U0TL | + | ОП, Р | Для ЭСЛ-микросхем |
1.5 Выходное пороговое напряжение высокого уровня | Uпор.вых.в | U0TH | + | ОП, Р | То же |
1.6 Напряжение инжектора | Uинж | UG | + | ОП, Р | Для И2Л-микросхем |
1.7 Прямое падение напряжения на антизвонном диоде | Uпр | UCDI | - | ОП | - |
1.8 Помехоустойчивость при низком уровне | Uпом.н | ML | - | ОП | - |
1.9 Помехоустойчивость при высоком уровне | Uпом.в | MH | - | ОП | - |
1.10 Отрицательное напряжение на выходе при заданном токе | Uвых.отр | UCDO | - | ОП | - |
1.11 Ток потребления | Iпот | ICC | + | ОП | - |
1.12 Ток потребления динамический | Iпот.дин | ICCO | - | ОП | - |
1.13 Ток потребления в состоянии "Выключено" | Iпот.выкл | ICCZ | - | ОП | Для микросхем с тремя состояниями |
1.14 Входной ток | Iвх | II | - | ОП, Р | - |
1.15 Входной ток низкого уровня | Iвх.н | IIL | + | ОП, Р | - |
1.16 Входной ток высокого уровня | Iвх.в | IIH | + | ОП, Р | - |
1.17 Ток утечки на входе | Iут.вх | ILI | - | ОП | Для МДП-микросхем |
1.18 Ток утечки низкого уровня на входе | Iут.вх.н | ILIL | + | ОП | То же |
1.19 Ток утечки высокого уровня на входе | Iут.вх.в | ILIH | + | ОП | " |
1.20 Ток утечки на выходе | Iут.вых | IOL | - | ОП | " |
1.21 Ток утечки низкого уровня на выходе | Iут.вых.н | IOLL | + | ОП | " |
1.22 Ток утечки высокого уровня на выходе | Iут.вых.в | IOLH | + | ОП | " |
1.23 Ток короткого замыкания на выходе | Iкз.вых | IOS | - | ОП | - |
1.24 Выходной ток | Iвых | IO | - | ОП, Р | - |
1.25 Выходной ток низкого уровня | Iвых.н | IOL | + | ОП | Для И2Л-микросхем |
1.26 Выходной ток высокого уровня | Iвых.в | IOH | + | ОП | То же |
1.27 Выходной ток в состоянии "Выключено" | Iвых.выкл | IOZ | - | ОП | Для микросхем с тремя состояниями на выходе |
1.28 Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" | Iвых.выкл.н | IOZL | + | ОП | То же |
1.29 Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" | Iвых.выкл.в | IOZH | + | ОП | " |
1.30 Потребляемая мощность | Pпот | PCC | + | ОП | - |
1.31 Динамическая потребляемая мощность | Pпот.дин | PCCO | - | ОП | - |
1.32 Рассеиваемая мощность | Pрас | Ptot | - | ОП | - |
1.33 Время | t | t | + | ОП, Р, НР | - |
tзд | tD | - | ОП, Р | - | |
1.35 Время задержки распространения сигнала | tзд.р | tP | - | ОП, Р | - |
1.36 Время задержки распространения сигнала при включении | tзд.р.вкл | tPHL | - | ОП, Р | - |
1.37 Время задержки распространения сигнала при выключении | tзд.р.выкл | tPLH | - | ОП, Р | - |
1.38 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено" | tзд.р13 | tPHZ | - | ОП, Р | - |
1.39 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено" | tзд.р03 | tPLZ | - | ОП, Р | - |
1.40 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня | tзд.р31 | tPZH | - | ОП, Р | - |
1.41 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня | tзд.р30 | tPZL | - | ОП, Р | - |
1.42 Время задержки включения | tзд.вкл | tDHL | - | ОП, Р | - |
1.43 Время задержки выключения | tзд.выкл | tDLH | - | ОП, Р | - |
1.44 Время выбора | tв | tCS | - | ОП | - |
1.45 Время цикла | tц | tCY | - | ОП | - |
1.46 Время записи | tзп | tWR | - | ОП | - |
1.47 Время считывания | tсч | tRD | - | ОП | - |
1.48 Время умножения | tум | tMPL | - | ОП | - |
tоп | tOP | - | ОП | - | |
1.50 Длительность сигнала | tW | - | ОП, Р, НР | - | |
1.51 Длительность сигнала низкого уровня | tWL | - | ОП, Р, НР | - | |
1.52 Длительность сигнала высокого уровня | tWH | - | ОП, Р, НР | - | |
1.53 Время фронта нарастания сигнала | tнар.вх | tLH | - | ОП, Р | - |
1.54 Время фронта спада сигнала | tсп.вх | tHL | - | ОП, Р | - |
1.55 Период следования импульсов тактов сигналов | Tт | Tc | - | ОП, Р | - |
1.56 Длительность тактовых сигналов | tW(C) | - | ОП, Р | - | |
tW(STB) | - | ОП, Р | - | ||
1.58 Частота | f | f | + | ОП, Р, НР | - |
fт | fC | - | ОП, Р | - | |
fг | fg | - | ОП, Р | - | |
1.61 Входное сопротивление | Rвх | RI | - | ОП, НР | - |
1.62 Выходное сопротивление | Rвых | RO | - | ОП, НР | - |
1.63 Сопротивление входа/выхода | Rвх/вых | RI/O | - | ОП, НР | Для комбинированных входов-выходов |
1.64 Сопротивление резистора, встроенного в микросхему | Rвн | RR | - | ОП, НР | - |
1.65 Входная емкость | Cвх | CI | + | ОП | - |
1.66 Выходная емкость | Cвых | CO | + | ОП | - |
1.67 Емкость входа/выхода | Cвх/вых | CI/O | + | ОП | Для комбинированных входов-выходов |
Nд | ND | + | Н | - | |
1.69 Разрядность адреса | Nа | NA | - | Н | - |
1.70 Разрядность команды (микрокоманды) | Nк [Nмк] | NINS [NMINS] | - | Н | - |
1.71 Разрядность каналов | Nкн | NB | - | Н | - |
1.72 Разрядность АЛУ | NАЛУ | NALU | - | Н | - |
1.73 Разрядность регистров общего назначения | Nр.о.н | NRG | - | Н | - |
1.74 Разрядность внутренних регистров состояния | Nр.сос | NRG,SA | - | Н | - |
1.75 Количество команд (микрокоманд) | nк [nмк] | nINS [nMINS] | - | Н | - |
1.76 Количество каналов ввода информации | nвв | nI | - | Н | - |
1.77 Количество каналов вывода информации | nвыв | nO | - | Н | - |
1.78 Количество каналов ввода/вывода информации | nвв/выв | nI/O | - | Н | - |
1.79 Количество регистров общего назначения | nр.о.н | nRG | - | Н | - |
1.80 Количество внутренних регистров состояния | nр.сос | nRG,SA | - | Н | - |
1.81 Количество каналов обмена | nкн.об | nB,EXC | - | Н | - |
1.82 Количество каналов запроса прерывания | nкн.прер | nB,INR | - | Н | - |
1.83 Количество уровня прерывания | nур.прер | nINR | - | Н | - |
1.84 Количество режимов работы | nр.р | nREG | - | Н | - |
1.85 Количество адресуемых устройств ввода/вывода | nа.вв/выв | nA,I/O | - | Н | - |
1.86 Количество операций в секунду | nоп/с | nOP/S | - | Н | - |
1.87 Скорость обмена информацией с внешними устройствами | Vоб | VEXC | - | Н | - |
1.88 Объем адресуемой памяти | Qад.п | QM | - | Н | - |
1.89 Объем памяти внутреннего стека | Qстек | QST | - | Н | - |
1.90 Емкость ОЗУ | QОЗУ | QRAM | - | Н | - |
1.91 Емкость ПЗУ | QПЗУ | QROM | - | Н | - |
- | - | - | - | - | |
2 Параметры режима эксплуатации и (или) измерений | |||||
Uп | UCC | + | НР, Р | - | |
2.2 Напряжение смещения подложки | Uсм.п | UBS | - | НР, Р | - |
2.3 Входное напряжение | Uвх | UI | - | ОП, Р | - |
Uвх.н | UIL | + | ОП, Р | - | |
Uвх.в | UIH | + | ОП, Р | - | |
2.6 Пороговое напряжение низкого уровня | Uпор.н | UTL | - | ОП, Р | - |
2.7 Пороговое напряжение высокого уровня | Uпор.в | UTH | - | ОП, Р | - |
2.8 Ток инжектора | Iинж | IG | + | НР | - |
Iвых.н | IOL | + | ОП | - | |
Iвых.в | IOH | + | ОП | - | |
2.11 Ток нагрузки | Iн | ILD | - | ОП, Р | - |
2.12 Время сохранения сигнала | Iсх | tV | - | ОП, Р | - |
2.13 Время хранения информации | tхр | tSG | - | ОП | - |
2.14 Время установления сигнала | tус | tSU | - | ОП, Р | - |
2.15 Время восстановления | tвос | tREC | - | ОП, Р | - |
2.16 Время удержания | tу | tH | - | ОП, Р | - |
2.17 Сопротивление нагрузки | Rн | RL | - | ОП, НР | - |
Cн | CL | - | ОП, НР | - | |
Примечания 1 Для указания способа задания норм на параметры микросхем в настоящей таблице применены следующие обозначения: - Н - номинальное значение параметра; - НР - номинальное значение параметра с двухсторонним допускаемым отклонением (разбросом); - Р - двухсторонние границы значения параметра (разброс) без указания номинального значения; - ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения. 2 Необходимость включения в ТУ на конкретные типы микросхем параметров, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных параметров, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем микросхем. 3 В ТУ устанавливают состав параметров 1.34 - 1.49, 1.59, 1.60, 1.68 - 1.92 в зависимости от специфики микросхем и наиболее полно характеризующий их по быстродействию. 4 В ТУ могут включаться производные параметров 1.34 - 1.57, буквенные обозначения которых образовывают по способу, указанному в ГОСТ Р 57441. В этом случае способ задания норм на эти параметры следует брать из таблицы 1 для соответствующего параметра как основного. | |||||
Наименование параметра-критерия годности | Контроль соответствия требованиям | |||||||||||||||||||||
к конструкции | стойкости к внешним воздействующим факторам | надежности | к воздействию специальных факторов | к упаковке | ||||||||||||||||||
Виды испытаний | ||||||||||||||||||||||
на теплостойкость при пайке | на виброустойчивость | на вибропрочность | на ударную прочность | на воздействие одиночных ударов | на воздействие линейного ускорения | на воздействие акустического шума | на воздействие повышенной температуры среды при эксплуатации | на воздействие пониженной температуры среды при эксплуатации | на воздействие изменения температуры окружающей среды | кратковременное | длительное | на воздействие атмосферного пониженного давления | на воздействие повышенного давления | на воздействие инея и росы | на определение запасов устойчивости к воздействию механических, тепловых и электрических нагрузок | на безотказность | на долговечность | на сохраняемость | на хранение при повышенной температуре | |||
на воздействие повышенной влажности воздуха | ||||||||||||||||||||||
Параметры функционального контроля | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Выходное напряжение низкого уровня (выходной ток низкого уровня) | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Выходное напряжение высокого уровня (выходной ток высокого уровня) | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Входной ток низкого уровня | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Входной ток высокого уровня | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Напряжение инжектора | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Ток потребления | + | + | + | + | + | + | о | + | + | + | + | + | + | + | о | о | + | + | + | о | о | + |
Динамические параметры, наиболее полно характеризующие микросхемы по быстродействию | - | - | - | - | - | - | - | + | + | - | - | - | - | - | - | - | + | + | + | - | о | - |
Выходной ток в состоянии "Выключено" | - | - | - | - | - | - | - | + | + | - | + | + | + | - | о | - | + | + | + | - | - | + |
Примечания 1 Знаком "+" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ и ОТК. Буквой "о" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для интегральных микропроцессорных микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ. 2 Параметры функционального контроля выбирают из таблицы 1. | ||||||||||||||||||||||
Наименование типовой характеристики | Обозначение характеристики | Характеристики, подлежащие обязательному включению в ТУ |
Зависимость мощности потребления от температуры | Pпот = f(T0) | + |
Зависимость тока потребления от напряжения питания | Iпот = f(Uп) | + |
Зависимость тока потребления от частоты следования импульсов тактовых сигналов | Iпот = f(fт) | + |
Зависимость выходного напряжения от напряжения питания | Uвых = f(Uп) | - |
Зависимость выходного напряжения от температуры | Uвых = f(T0) | - |
Зависимость выходного напряжения от выходного тока в диапазоне температур | Uвых = f(Iвых) | + |
Зависимость входного тока от входного напряжения в диапазоне температур | Iвх = f(Uвх) | + |
Зависимость тока утечки на входе от температуры | Iут.вх = f(T0) | - |
Зависимость тока утечки на выходе от температуры | Iут.вых = f(T0) | - |
Зависимость основных динамических параметров от температуры | t = f(T0) | + |
Зависимость основных динамических параметров от напряжения питания | t = f(Uп) | + |
Зависимость основных динамических параметров от емкости нагрузки | t = f(Cн) | + |
Примечание - Необходимость включения в ТУ характеристик, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных характеристик, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем интегральных микропроцессорных микросхем. | ||
УДК 621.316.8:006.354 | ОКС 31.200 |
Ключевые слова: микропроцессорные интегральные микросхемы, система параметров, параметры-критерии годности, типовые характеристики | |