1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 17 октября 2023 г. N 1167-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микросхемы - фильтры (далее - фильтры) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на фильтры конкретных типов при их разработке или пересмотре.

Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации фильтров в соответствии с действующим законодательством.

В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ Р 57435 Микросхемы интегральные. Термины и определения

ГОСТ Р 57441 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57435 и ГОСТ Р 57441, а также следующие термины с соответствующими определениями:

3.1 напряжение смещения подложки U_см.п: Значение напряжения постоянного тока, поданного на вывод подложки интегральной микросхемы.

3.2 напряжение тактового сигнала U_т: Напряжение сигнала импульсного питания интегральной микросхемы.

3.3 напряжение высокого уровня тактового сигнала U_т.н: Напряжение сигнала импульсного питания интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню.

3.4 напряжение низкого уровня тактового сигнала U_т.н: Напряжение сигнала импульсного питания интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню.

3.5 напряжение сигнала выбора U_м.в: Напряжение сигнала на входе выбора интегральной микросхемы.

3.6 напряжение высокого уровня сигнала выбора U_в.м.в: Напряжение сигнала на входе выбора интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню.

3.7 напряжение низкого уровня сигнала выбора U_в.м.н: Напряжение сигнала на входе выбора интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню.

3.8 напряжение сигнала разрешения U_р: Напряжение сигнала на разрешающем входе интегральной микросхемы.

3.9 максимальная частота следования импульсов тактовых сигналов f_{т max}: Максимальное значение частоты тактовых сигналов, при котором величины параметров интегральной микросхемы соответствуют установленным нормам.

3.10 свойство каскадной наращиваемости: Возможность каскадного включения микросхем с целью увеличения общего числа отсчетов входного сигнала в канале отработки.

3.11 уровень разрядности аналогового запоминающего устройства L: Отношение разности значений напряжений аналогового запоминающего устройства в исходный момент и в момент окончания времени хранения информации к напряжению в исходный момент.

3.12 уровень выходных псофометрических шумов (относительно U₀ = 0 дБм) K_ш.п: Отношение напряжения шумов, измеренное на выходе микросхемы с применением взвешивающего (псофометрического) фильтра, к напряжению 0,775 В, выраженное в децибелах.

3.13 минимальная частота следования импульсов тактовых сигналов f_{т min}: Наименьшее значение частоты тактовых сигналов, при котором величины параметров интегральной микросхемы соответствуют установленным нормам.

3.14 коэффициент ослабления напряжения в полосе задерживания : Отношение напряжения на заданной частоте полосы пропускания к наибольшему значению напряжения в полосе задерживания интегральной микросхемы, выраженное в децибелах.

Фильтры подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

5.1 Состав параметров фильтров и способ задания норм приведены в таблице 2.

5.2 Основные параметры фильтров приведены в таблице 3.

5.3 Важнейшие параметры фильтров установлены в таблице 4.

5.4 Состав типовых характеристик фильтров установлен в таблице 5.

5.5 Параметры - критерии годности фильтров в различных видах испытаний установлены в таблице 6.