Главная // Актуальные документы // ГОСТ Р (Государственный стандарт)
СПРАВКА
Источник публикации
М.: Стандартинформ, 2018
Примечание к документу
Документ введен в действие с 01.08.2017.
Название документа
"ГОСТ Р 57436-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Приборы полупроводниковые. Термины и определения"
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 04.04.2017 N 249-ст)

"ГОСТ Р 57436-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Приборы полупроводниковые. Термины и определения"
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 04.04.2017 N 249-ст)

Содержание

ГОСТ Р 57436-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Предисловие
Введение
1 Область применения
2 Термины и определения
Алфавитный указатель терминов на русском языке
Алфавитный указатель терминов на немецком языке
Алфавитный указатель терминов на английском языке
Алфавитный указатель терминов на французском языке
Приложение А Термины и определения общетехнических понятий
Утвержден и введен в действие
Приказом Федерального агентства
по техническому регулированию
и метрологии
от 4 апреля 2017 г. N 249-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Semiconductor devices. Terms and definitions
ГОСТ Р 57436-2017
ОКС 01.040.31
31.080
Дата введения
1 августа 2017 года
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") совместно с Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Изделия электронной техники, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 249-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой "Нрк".
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы - светлым, синонимы - курсивом.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
Виды полупроводниковых приборов
1
полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.
[ГОСТ IEC 60050-151-2014, статья 151-13-63]
de
halbleiterbauelement
en
semiconductor device
fr
dispositif semiconducteurs
2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт.
de
en
semiconductor power device
fr
semiconducteurs d'alimentation de l'appareil
3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.
de
halbleiter-einheit
en
semiconductor assembly
fr
bloc de semiconducteur
4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.
de
satz von halbleiterbauelementen
en
semiconductor assembly set
fr
de dispositifs semiconducteurs
5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для выполнения элементарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты.
de
diskretes halbleiterbauelement
en
discrete semiconductor device; discrete device
fr
discret dispositif semiconducteurs
6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт-амперную характеристику.
Примечание - Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного p-n перехода.
de
halbleiterdiode; diode
en
semiconductor diode; diode
fr
diode semiconducteurs; diode
7 смесительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования входящих высокочастотных сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты входящих сигналов.
de
mischerdiode
en
mixer diode
fr
diode 
8 детекторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
de
halbleiter-detektordiode; detektordiode
en
detector diode
fr
diode 
9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока.
de
halbleiter-gleichter diode
en
semiconductor rectifier diode;
rectifier diode
fr
diode de redressement semiconducteurs;
diode de redressement
10 лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.
de
lawinen gleichrichter diode
en
avalanche rectifier diode
fr
diode de redressement avalanche
11 выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя p-n перехода, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя p-n перехода обратной ветви вольт-амперной характеристики.
de
halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch
en
controlled-avalanche rectifier diode
fr
diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee;
diode de redressement de rupture en avalanche controlee
12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.
de
halbeiter-gleichrichterbaugruppe
en
semiconductor rectifier stack;
rectifier stack
fr
bloc de redressement semiconducteur;
bloc de redressement
13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полупроводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов.
de
gleichrichter halbleiter block;
gleichrichter block
en
semiconductor rectifier assembly
fr
assemblage de edressement semiconducteurs;
assemblage de edressement
14 ограничитель (полупроводниковый) напряжения; ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для ограничения амплитуды импульсов перенапряжения.
de
begrenzerdiode
en
limiting diode
fr
diode de limitation
15 умножительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты входного сигнала.
de
frequenzvervielfacherdiode
en
frequency-multiplication diode
fr
diode pour multiplication de 
16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования энергии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.
de
produzent halbleiterdiode
en
generation semiconductor diode; generation diode
fr
producteur diode semiconducteurs; producteur diode
17 импульсный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
de
halbleiterimpulsdiode
en
pulse semiconductor diode; pulse diode
fr
diode d'impulsion
18 коммутационный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.
de
shalten halbleiterdiode
en
switching semiconductor diode;
switching diode
fr
commutation diode semiconducteurs;
commutation diode
19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого обоснованы созданием выпрямляющего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника.
de
Schottky-diode
en
Schottky barrier diode
fr
diode Schottky;
diode Schottky
20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого основано на зависимости емкости его p-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
de
; 
en
variable-capacitance diode
fr
diode variable
21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. варактор): Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.
de
parametrischer halbleiterdiode
en
parametric semiconductor diode; parametric diode
fr
diode semiconducteurs; diode
22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.
de
stichhaltiger diode
en
noise diode
fr
diode bruit
23 туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий p-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики.
de
tunneldiode
en
tunnel diode
fr
diode tunnel
24 обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.
de
unitunneldiode
en
unitunnel diode;
backward diode
fr
diode 
25 сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов.
Примечание - СВЧ-сигнал - сигнал с частотой более 300 МГц.
de
UHF-halbeiteriode
en
microwave diode
fr
diode en 
26 переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения.
de
halbeitererschaltdiode
en
gating diode
fr
diode de commutation
27 точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным p-n переходом.
de
halbeiterspitzediode
en
point contact diode
fr
diode pointe
28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным p-n переходом.
de
en
junction diode
fr
diode jonction
29 диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения.
de
gespeicherte ladung diode
en
snap-off diode
fr
diode charge
30 лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
de
lawinenlaufzeitdiode
en
impact avalanche-transit time diode
fr
diode avalanche temps de transit
31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
de
BARITT-diode
en
barrier-injection and transit-time diode
fr
diode f temps de transit   
32 сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым.
de
signal diode
en
signal diode
fr
signal diode
33 диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.
de
Gunn diode
en
Gunn diode
fr
diode Gunn
34 диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс.
de
hochwiederkehiend diode
en
fast-recovery diode
fr
diode rapide
35 модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов.
de
halbleitermodulatordiode
en
modulator diode
fr
diode modulatrice
36 обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения.
Примечание - Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами.
de
diode
en
reverse diode
fr
inverse diode
37 СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.
Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию.
de
mikrowelle begrenzung diode
en
microwave limiting diode
fr
micro-ondes diode limiteuse
38 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод.
Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание.
de
mikrowelle schaltdioden
en
microwave switching diode
fr
micro-ondes diode de commutation
39 (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.
de
halbeiter-Z-diode
en
voltage reference diode
fr
diode de tension de 
40 диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый диод, на выводах которого возникает практически постоянное напряжение в заданном диапазоне токов.
de
voltage-regulator diode
en
voltage-regulator diode
fr
la tension diode
41 транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода.
de
transistor
en
transistor
fr
transistor
42 биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание - Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
de
bipolarer transistor
en
bipolar junction transistor
fr
transistor bipolaire
43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии.
de
diffusiontransistor
en
diffusion transistor
fr
transistor diffusion
44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа.
de
drifttransistor
en
drift transistor
fr
transistor en 
45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами.
de
en
junction transistor
fr
transistor jonctions
46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
de
lawinentransistor
en
avalance transistor
fr
transistor avalanche
47 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник.
de
bipolartransistor gatedielektrikum
en
insulated-gate bipolar transistor
fr
bipolaire 
48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности.
de
unipolarer transistor
en
unipolar transistor
fr
transistor unipolaire
49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем.
Примечание - Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
de
feldeffekttransistor
en
field-effect transistor
fr
transistor effet de champ
50 полевой транзистор с управляющим p-n переходом: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении.
de
sperrschicht-feldeffekttransistor
en
junction-gate field-effect transistor
fr
transistor effet de champ junction de grille
51 полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала.
de
isolierschicht-feldeffekttransistor; IGFET
en
insulated-gate field-effect transistor
fr
transistor effet de champ grille 
52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа.
de
N-kanal-feldeffekttranssistor
en
N-channel field-effect transistor
fr
transistor effet de champ canal N
53 P-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа.
de
P-kanal-feldeffekttranssistor
en
P-channel field-effect transistor
fr
transistor effet de champ canal P
54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид.
de
feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter
en
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
fr
transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs
55 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
de
feldeffekttransistor mit metall-halbleiter
en
MIS-transistor
fr
transistor effet de champ metal-semiconducteurs
56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.
de
feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere
en
field-effect transistor with Schottky barrier
fr
transistor effet de champ de Schottky
57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины.
de
feldeffekttransistor vom verarmungstyp
en
depletion type field-effect transistor
fr
transistor effet de champ appauvrissement
58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности.
de
feldeffekttransistor vom anreicherungstyp
en
enhancement type field-effect transistor
fr
transistor effet de champ enrichissement
59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.
de
zweirichtungstransistor;
bidirektionaler transistor
en
bidirectional transistor
fr
transistor bidirectionnel
60 переключательный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным - в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени.
de
feldeffekt bipolarer-schalttransistor; feldeffekt-schalttransistor
en
field-effect bipolar switching transistor;
field-effect switching transistor
fr
transistor commutation bipolaire effet de champ;
transistor commutation bipolaire
61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода.
de
transistortetrode
en
tetrode transistor
fr
transistor 
62 тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот.
de
thyristor
en
thyristor
fr
thyristor
63 диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления.
de
thyristordiode
en
diode thyristor
fr
thyristor diode
64 диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
de
sperrende thyristordiode
en
reverse blocking diode thyristor
fr
thyristor diode en inverse
65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.
de
leitende thyristordiode
en
reverse conducting diode thyristor
fr
thyristor diode passant en inverse
66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях.
de
zweirichtungs-thyristor-diode;
doppeltgerichtete thyristordiode;
diac
en
bidirectional diode thyristor;
diac
fr
thyristor diode bidirectionnel;
diac
67 триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий три вывода: два основных и один управляющий.
de
thyristortriode
en
triode thyristor
fr
thyristor triode
68 триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
de
sperrende thyristortriode
en
reverse blocking triode thyristor
fr
thyristor triode en inverse
69 триодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.
de
leitende thyristortriode
en
reverse conducting triode thyristor
fr
thyristor triode passant en inverse
70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.
de
zweirichtungs-thyristortriode;
triac
en
bidirectional triode thyristor;
triac
fr
thyristor triode bidirectionnel;
triac
71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и, наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.
de
ausschaltthyristor;
GTO-thyristor
en
turn-off thyristor
fr
thyristor blocable
72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.
de
kathodenseitig steuerbarer thyristor
en
P-gate thyristor
fr
thyristor P
73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала.
de
anodenseitig steuerbarer thyristor
en
N-gate thyristor
fr
thyristor N
74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния.
de
lawine reverse 
en
avalanche reverse blocking triode thyristor
fr
thyristor triode avalanche en inverse
75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии.
de
asymmetrischer thyristor
en
asymmetrical thyristor
fr
thyristor 
76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.
de
gemischte-ausschalten thyristor
en
mixed-off thyristor
fr
thyristor 
77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
de
impuls thyristor
en
pulsed thyristor
fr
thyristor signal
78 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.
de
optoelektronisches halbleiterbauelement
en
optoelectronic device
fr
dispositif 
79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения.
de
halbleiterstrahler
en
semiconductor photocoupler radiator
fr
radiator semiconducteurs
80 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.
de
optoelektronische displays
en
optoelectronic display
fr
affichage
81
полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.
[ГОСТ 25066-91, статья 15]
de
halbleiter-zeichen-display
en
semiconductor character display
fr
semiconducteurs de d'affichage
82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним.
de
der strahlung optokoppler
en
receiver radiation photocoupler
fr
le radiation optocoupler
83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок.
de
lichtemittierende diode; LED
en
light-emitting diode; LED
fr
diode ; DEL
84 полупроводниковый экран: Полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали экрана.
de
halbleiter-analoge anzeige
en
semiconductor analog indicator
fr
semiconducteurs analogiques en dicator
85 инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлучающий диод, который испускает инфракрасное излучение.
de
infrarotemittierende diode;
IRED
en
infrared-emitting diode
fr
diode infrarouge
86 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый прибор, который излучает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.
de
halbleiter-laser
en
semiconductor laser
fr
laser semiconducteurs
87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который излучает когерентное оптическое излучение, являющееся результатом рекомбинации проводящих электронов и дырок при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода.
de
lazerdiode
en
laser diode
fr
diode laser
88 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду с лазерным диодом средства для автоматической оптической и (или) тепловой стабилизации выходного источника излучения.
de
laser-dioden modul
en
laser-diode module
fr
laser diode module
89
ИС МЕГАНОРМ: примечание.
ГОСТ 21934-83 утратил силу на территории Российской Федерации с 01.03.2022 в связи с введением в действие ГОСТ Р 59605-2021 (Приказ Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст).
фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.
[ГОСТ 21934-83, статья 1]
de
lichtempfindliche halbleiterdiode
en
semiconductor photosensitive device
fr
photosensible appareil semiconducteurs
90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении.
de
photoelektrischer 
en
semiconductor photoelectric detector;
photoelectric detector
fr
semiconducteur;
 
91
ИС МЕГАНОРМ: примечание.
ГОСТ 21934-83 утратил силу на территории Российской Федерации с 01.03.2022 в связи с введением в действие ГОСТ Р 59605-2021 (Приказ Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст).
фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.
[ГОСТ 21934-83, статья 10]
de
photowiderstand;
halbleiterzelle
en
photoresistor
fr
92
фотодиод: Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.
[ГОСТ 21934-83, статья 11]
de
photodiode
en
photodiode
fr
photodiode
93
лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
[ГОСТ 21934-83, статья 15]
de
lawinen-photodiode
en
avalance photodiode
fr
photodiode avalanche
94
фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
[ГОСТ 21934-83, статья 17]
de
phototransistor
en
phototransistor
fr
phototransistor
95 фототиристор: Тиристор, предназначенный для переключения посредством воздействия оптическим излучением.
de
photothyristor
en
photothyristor
fr
photothyristor
96 фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется эффект фотопроводимости.
de
zelle
en
photoconucting cell
fr
cellule photoconducteur
97 фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется фотовольтовый эффект.
de
photoelement; photovoltaische zelle
en
photovaltic cell
fr
cellule effet 
98 оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.
de
optokoppler
en
photocoupler; optocoupler
fr
photocoupleur; optocoupleur
99 резисторная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора.
de
widerstandoptokoppler
en
resistive optocoupler
fr
optocoupleur 
100 диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода.
de
diode optokoppler
en
diode photocoupler
fr
optocoupleur diode
101 дифференциальная диодная оптопара: Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя.
de
differenz diode optokoppler
en
difference diode photocoupler
fr
optocoupleur diode 
102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводниковым приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора.
de
transistor optokoppler
en
transistoroptocoupler
fr
optocoupleur transistor
103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора.
de
thyristoroptokoppler
en
thyristor optocoupler
fr
optocoupleur thyristor
104 оптопреобразователь: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.
de
optische wandler
en
optoconverter
fr
optoconvertisseur
105 прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор, работающий на основе физического явления возникновения разности потенциалов между краями проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока.
de
halleffekt-bauelement
en
hall effect device
fr
dispositif effet hall
106 преобразователь Холла: Прибор на эффекте Холла, преобразующий индукцию внешнего магнитного поля в электрическое напряжение.
de
Hall-sensor
en
Hall effect sensor
fr
transducteur effet Hall
107 преобразователь Холла измерительный: Преобразователь Холла, предназначенный для измерения физических величин, однозначно зависящих от магнитного поля.
de
Hall transducer
en
Hall probe
fr
transducteur de mesure effet Hall
108 преобразователь Холла индикаторный: Преобразователь Холла, предназначенный для обнаружения магнитного поля в данной точке пространства.
de
Hall anzeigetnansducer
en
Hall effect indicator
fr
transducteur de mesure effet Hall
109 зонд Холла: Прибор на эффекте Холла для измерения плотности магнитного потока.
de
der hall-sonde
en
hall probe
fr
sonde effet hall
110 магниторезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление под действием магнитного поля.
de
magnetowiderstand
en
magnetoresistor
fr
111 терморезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление при изменении его температуры.
de
thermistor
en
thermistor
fr
thermistance
112 позистор: Терморезистор с положительным ТКС.
Примечание - ТКС - температурный коэффициент сопротивления.
de
posister
en
posistor
fr
frigistance
113 термистор: Терморезистор с отрицательным ТКС.
de
thermister
en
thermistor
fr
thermistance
Элементы конструкции
114 вывод (полупроводникового прибора): Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью.
de
anschluss; anschluss-punkt
en
terminal of a semiconductor device;
terminal
fr
borne d'un dispositif semiconducteurs;
borne
115 основной вывод полупроводникового прибора: Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток.
de
hauptanschluss
en
main terminal
fr
borne 
116 катодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает во внешнюю электрическую цепь.
de
thyristor dioden Katodenenanschluss
en
cathode leed of thyristor diode
fr
borne cathodique de thyristor
117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает из внешней электрической цепи.
de
thyristor dioden anodenauschluss
en
anode leed of thyristor diode
fr
borne anodique de thyristor
118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, через который протекает только ток управления.
de
thyristor steuerausgang
en
control lead of thyristor
fr
borne commande de thyristor
119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности которого формируют или монтируют полупроводниковый прибор.
de
substrat
en
substrate
fr
substrat
120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового материала, на поверхности которой с помощью технологических операций формируется массив дискретных полупроводниковых структур.
de
wafer
en
wafer
fr
plaquette; wafer
121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности которой сформированы элементы, межэлементные соединения и контактные площадки полупроводникового прибора.
de
chip
en
chip die
fr
puce; pastille
122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент конструкции полупроводникового прибора, предназначенный для установки в него кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик полупроводникового прибора и применения его по назначению.
de
en
package
fr
123 бескорпусной полупроводниковый прибор (Нрк. полупроводниковая структура): Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.
de
halbleiterbauelement
en
beam lead semiconductor device
fr
dispositif semiconducteur sans boitier
124 контактная площадка (полупроводникового прибора): Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля его электрических параметров и режимов.
de
Boudstelle
en
bond pad
fr
plot de soudure
Алфавитный указатель терминов на русском языке
блок выпрямительный
13
блок выпрямительный полупроводниковый
13
блок полупроводниковый
3
варактор
21
варикап
20
вывод
114
вывод диода анодный
117
вывод диода катодный
116
вывод полупроводникового прибора основной
115
вывод прибора полупроводникового
114
вывод тиристора анодный
117
вывод тиристора катодный
116
вывод тиристора управляющий
118
детектор фотоэлектрический
90
детектор фотоэлектрический полупроводниковый
90
диак
66
динистор
63
диод
6
диод быстровосстанавливающий
34
диод выпрямительный
9
диод выпрямительный полупроводниковый
9
диод Ганна
33
диод генераторный
16
диод генераторный полупроводниковый
16
диод детекторный
8
диод детекторный полупроводниковый
8
диод Зенеровский
39
диод импульсный
17
диод импульсный полупроводниковый
17
диод инжекционно-пролетный
31
диод инфракрасный излучающий
85
диод коммутационный
18
диод коммутационный полупроводниковый
18
диод лавинно-пролетный
30
диод лавинный выпрямительный
10
диод лазерный
87
диод модуляторный
35
диод обратный
36
диод обращенный
24
диод параметрический
21
диод параметрический полупроводниковый
21
диод переключательный
26
диод плоскостной
28
диод полупроводниковый
6
диод полупроводниковый выпрямительный с контролируемым лавинным пробоем
11
диод с накоплением заряда
29
диод сверхвысокочастотный полупроводниковый
25
диод светоизлучающий
83
диод СВЧ ограничительный
37
диод СВЧ переключательный
38
диод сигнальный
32
диод смесительный
7
диод точечно-контактный
27
диод точечный
27
диод туннельный
23
диод умножительный
15
диод Шоттки
19
диод шумовой
22
дисплей оптоэлектронный
80
зонд Холла
109
излучатель
79
излучатель полупроводниковый
79
ИК-диод
85
индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый
81
индикатор полупроводниковый
81
корпус
122
корпус прибора полупроводникового
122
кристалл
121
лазер полупроводниковый
86
магниторезистор
110
МДП-транзистор
55
модуль лазерно-диодный
88
МОП-транзистор
54
набор приборов полупроводниковых
4
ограничитель напряжения
14
ограничитель напряжения полупроводниковый
14
оптопара
98
оптопара диодная
100
оптопара дифференциальная диодная
101
оптопара резисторная
99
оптопара тиристорная
103
оптопара транзисторная
102
оптопреобразователь
104
пластина
120
площадка контактная
124
площадка прибора полупроводникового контактная
124
подложка
119
позистор
112
ПОН
14
преобразователь Холла
106
преобразователь Холла измерительный
107
преобразователь Холла индикаторный
108
прибор бескорпусной полупроводниковый
123
прибор дискретный
5
прибор дискретный полупроводниковый
5
прибор мощный полупроводниковый
2
прибор на эффекте Холла
105
прибор оптоэлектронный полупроводниковый
78
прибор полупроводниковый
1
прибор фоточувствительный полупроводниковый
89
приемник излучения
82
приемник излучения полупроводниковый
82
регулятор напряжения диодный
40
СВЧ-диод
25
СИД
83
стабилитрон
39
стабилитрон полупроводниковый
39
столб выпрямительный
12
столб полупроводниковый выпрямительный
12
структура полупроводниковая
123
термистор
113
терморезистор
111
тиристор
62
тиристор диодный
63
тиристор запираемый
71
тиристор импульсный
77
тиристор комбинированно-выключаемый
76
тиристор лавинный
74
тиристор несимметричный
75
тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа
73
тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа
72
тиристор симметричный триодный
70
тиристор симметричный диодный
66
тиристор триодный
67
тиристор, не проводящий в обратном направлении диодный
64
тиристор, не проводящий в обратном направлении лавинный триодный
74
тиристор, не проводящий в обратном направлении триодный
68
тиристор, проводящий в обратном направлении диодный
65
тиристор, проводящий в обратном направлении триодный
69
транзистор
41
транзистор IGBT
47
транзистор N-канальный полевой
52
транзистор P-канальный полевой
53
транзистор бездрейфовый
43
транзистор БИМОП
47
транзистор биполярный
42
транзистор дрейфовый
44
транзистор канальный
49
транзистор лавинный
46
транзистор обедненного типа полевой
57
транзистор обогащенного типа полевой
58
транзистор переключательный биполярный
60
транзистор переключательный полевой
60
транзистор плоскостной
45
транзистор полевой
49
транзистор с барьером Шоттки полевой
56
транзистор с изолированным затвором биполярный
47
транзистор с изолированным затвором полевой
51
транзистор с управляющим p-n переходом полевой
50
транзистор симметричный биполярный
59
транзистор симметричный полевой
59
транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник полевой
55
транзистор тетродный
61
транзистор типа металл-оксид-полупроводник полевой
54
транзистор униполярный
48
триак
70
тринистор
67
фотодиод
92
фотодиод лавинный
93
фоторезистор
91
фототиристор
95
фототранзистор
94
экран полупроводниковый
84
ячейка фотовольтовая
97
ячейка фотопроводящая
96
Алфавитный указатель терминов на немецком языке
anodenseitig steuerbarer thyristor
73
anschluss
114
anschluss-punkt
114
asymmetrischer thyristor
75
ausschaltthyristor
71
BARITT-diode
31
begrenzerdiode
14
bidirektionaler transistor
59
bipolarer transistor
42
bipolartransistor gatedielektrikum
47
Boudstelle
124
chip
121
der strahlung optokoppler
82
der hall-sonde
109
detektordiode
8
diac
66
differenz diode optokoppler
101
diffusiontransistor
43
diode
6
diode optokoppler
100
diskretes halbleiterbauelement
5
doppeltgerichtete thyristordiode
66
drifttransistor
44
feldeffekt bipolarertransistor
60
feldeffekt schalttransistor
60
feldeffekttransistor
49
feldeffekttransistor mit metall-halbleiter
55
feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter
54
feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere
56
feldeffekttransistor vom anreicherungstyp
58
feldeffekttransistor vom verarmungstyp
57
45
frequenzvervielfacherdiode
15
122
halbleiterbauelement
123
gemischte-ausschalten thyristor
76
gespeicherte ladung diode
29
gleichrichter block
13
gleichrichter halbleiter block
13
GTO-thyristor
71
Gunn diode
33
halbeitererschaltdiode
26
28
halbeiter-gleichrichterbaugruppe
12
halbeiterspitzediode
27
halbeiter-Z-diode
39
halbleiter-analoge anzeige
84
halbleiterbauelement
1
halbleiter-detektordiode
8
halbleiterdiode
6
halbleiter-einheit
3
halbleiter-gleichrichter diode
9
halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch
11
halbleiterimpulsdiode
17
halbleiter-laser
86
halbleitermodulatordiode
35
2
halbleiterstrahler
79
halbleiter-zeichen-display
81
Hall anzeigetnansducer
108
Hall transducer
107
halleffekt-bauelement
105
Hall-sensor
106
hauptanschluss
115
hochwiederkehiend diode
34
IGFET
51
impuls thyristor
77
infrarotemittierende diode
85
IRED
85
isolierschicht-feldeffekt-transistor
51
20
20
kathodenseitig steuerbarer thyristor
72
laser-dioden modul
88
lawine reverse 
74
lawinen gleichrichter diode
10
lawinenlaufzeitdiode
30
lawinen-photodiode
93
lawinentransistor
46
lazerdiode
87
LED
83
lichtemittierende diode
83
lichtempfindliche halbleiterdiode
89
magnetowiderstand
110
mikrowelle begrenzung diode
37
mikrowelle schaltdioden
38
mischerdiode
7
N-kanal-feldeffekttranssistor
52
optische wandler
104
optoelektronische displays
80
optoelektronisches halbleiterbauelement
78
optokoppler
98
parametrischer halbleiterdiode
21
photodiode
92
photoelektrischer 
90
photoelement
97
halbleiterzelle
91
zelle
96
photothyristor
95
phototransistor
94
photovoltaische zelle
97
photowiderstand
91
P-kanal-feldeffekttranssistor
53
posister
112
produzent halbleiterdiode
16
diode
36
leitende thyristordiode
65
leitende thyristortriode
69
sperrende thyristordiode
64
sperrende thyristortriode
68
satz von halbleiterbauelementen
4
Schottky-diode
19
shalten halbleiterdiode
18
signal diode
32
sperrschicht-feldeffekttransistor
50
stichhaltiger diode
22
substrat
119
thermister
113
thermistor
111
thyristor
62
thyristor dioden anodenauschluss
117
thyristor dioden Katodenenanschluss
116
thyristor steuerausgang
118
thyristordiode
63
thyristoroptokoppler
103
thyristortriode
67
transistor
41
transistor optokoppler
102
transistortetrode
61
triac
70
tunneldiode
23
UHF-halbeiteriode
25
unipolarer transistor
48
unitunneldiode
24
voltage-regulator diode
40
wafer
120
widerstandoptokoppler
99
zweirichtungs-thyristor-diode
66
zweirichtungs-thyristortriode
70
zweirichtungstransistor
59
Алфавитный указатель терминов на английском языке
anode leed of thyristor diode
117
asymmetrical thyristor
75
avalance photodiode
93
avalance transistor
46
avalanche rectifier diode
10
avalanche reverse blocking triode thyristor
74
backward diode
24
barrier-injection and transit-time diode
31
beam lead semiconductor device
123
bidirectional diode thyristor
66
bidirectional transistor
59
bidirectional triode thyristor
70
bipolar junction transistor
42
bond pad
124
cathode leed of thyristor diode
116
chip die
121
control lead of thyristor
118
controlled-avalanche rectifier diode
11
depletion type field-effect transistor
57
detector diode
8
diac
66
difference diode photocoupler
101
diffusion transistor
43
diode
6
diode photocoupler
100
diode thyristor
63
discrete device
5
discrete semiconductor device
5
drift transistor
44
enhancement type field-effect transistor
58
fast-recovery diode
34
field-effect bipolar switching transistor
60
field-effect switching transistor
60
field-effect transistor
49
field-effect transistor with Schottky barrier
56
frequency-multiplication diode
15
gating diode
26
generation diode
16
generation semiconductor diode
16
Gunn diode
33
hall effect device
105
Hall effect indicator
108
Hall effect sensor
106
Hall probe
107
hall probe
109
impact avalanche-transit time diode
30
infrared-emitting diode
85
insulated-gate bipolar transistor
47
insulated-gate field-effect transistor
51
junction diode
28
junction transistor
45
junction-gate field-effect transistor
50
laser diode
87
laser-diode module
88
LED
83
light-emitting diode
83
limiting diode
14
magnetoresistor
110
main terminal
115
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
54
microwave diode
25
microwave limiting diode
37
microwave switching diode
38
MIS-transistor
55
mixed-off thyristor
76
mixer diode
7
modulator diode
35
N-channel field-effect transistor
52
N-gate thyristor
73
noise diode
22
optoconverter
104
optocoupler
98
optoelectronic device
78
optoelectronic display
80
package
122
parametric diode
21
parametric semiconductor diode
21
P-channel field-effect transistor
53
P-gate thyristor
72
photoconucting cell
96
photocoupler
98
photodiode
92
photoelectric detector
90
photoresistor
91
photothyristor
95
phototransistor
94
photovaltic cell
97
point contact diode
27
posistor
112
pulse diode
17
pulse semiconductor diode
17
pulsed thyristor
77
receiver radiation photocoupler
82
rectifier diode
9
rectifier stack
12
resistive optocoupler
99
reverse blocking diode thyristor
64
reverse blocking triode thyristor
68
reverse conducting diode thyristor
65
reverse conducting triode thyristor
69
reverse diode
36
Schottky barrier diode
19
semiconductor photocoupler radiator
79
semiconductor assembly
3
semiconductor assembly set
4
semiconductor power device
2
semiconductor analog indicator
84
semiconductor character display
81
semiconductor device
1
semiconductor diode
6
semiconductor laser
86
semiconductor photoelectric detector
90
semiconductor photosensitive device
89
semiconductor rectifier assembly
13
semiconductor rectifier diode
9
semiconductor rectifier stack
12
signal diode
32
snap-off diode
29
substrate
119
switching diode
18
switching semiconductor diode
18
terminal
114
terminal of a semiconductor device
114
tetrode transistor
61
thermistor
111
thermistor
113
thyristor
62
thyristor optocoupler
103
transistor
41
transistoroptocoupler
102
triac
70
triode thyristor
67
tunnel diode
23
turn-off thyristor
71
unipolar transistor
48
unitunnel diode
24
variable-capacitance diode
20
voltage reference diode
39
voltage-regulator diode
40
wafer
120
Алфавитный указатель терминов на французском языке
assemblage de redressement
13
assemblage de redressement semiconducteurs
13
bipolaire 
47
bloc de redressement
12
bloc de redressement semiconducteur
12
bloc de semiconducteur
3
122
borne
114
borne anodique de thyristor
117
borne cathodique de thyristor
116
borne commande de thyristor
118
borne d'un dispositif semiconducteurs
114
borne 
115
cellule effet 
97
cellule photoconducteur
96
commutation diode
18
commutation diode semiconducteurs
18
DEL
83
diac
66
diode
6
diode avalanche temps de transit
30
diode Schottky
19
diode variable
20
diode jonction
28
diode pointe
27
diode rapide
34
diode semiconducteurs
6
diode bruit
22
diode charge
29
diode d'impulsion
17
diode de commutation
26
diode de limitation
14
diode de redressement
9
diode de redressement avalanche
10
diode de redressement semiconducteurs
9
diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee
11
diode de redressement de rupture en avalanche controlee
11
diode de tension de 
39
diode 
8
diode 
83
diode en 
25
diode f temps de transit   
31
diode Gunn
33
diode infrarouge
85
diode 
24
diode laser
87
diode 
7
diode modulatrice
35
diode pour multiplication de 
15
diode Schottky
19
diode tunnel
23
discret dispositif semiconducteurs
5
dispositif effet hall
105
dispositif semiconducteurs
1
dispositif 
78
dispositif semiconducteur sans boitier
123
frigistance
112
inverse diode
36
la tension diode
40
laser diode module
88
laser semiconducteurs
86
le radiation optocoupler
82
110
micro-ondes diode de commutation
38
micro-ondes diode limiteuse
37
optoconvertisseur
104
optocoupleur
98
optocoupleur diode
100
optocoupleur diode 
101
optocoupleur 
99
optocoupleur thyristor
103
optocoupleur transistor
102
diode
21
diode semiconducteurs
21
pastille
121
photocoupleur
98
photodiode
92
photodiode avalanche
93
affichage
80
91
photosensible appareil semiconducteurs
89
photothyristor
95
phototransistor
94
plaquette
120
plot de soudure
124
producteur diode
16
producteur diode semiconducteurs
16
puce
121
radiator semiconducteurs
79
 
90
semiconducteur
90
semiconducteurs analogiques en dicator
84
semiconducteurs d'alimentation de l'appareil
2
semiconducteurs de d'affichage
81
de dispositifs semiconducteurs
4
signal diode
32
sonde effet hall
109
substrat
119
thermistance
111
thermistance
113
thyristor
62
thyristor 
75
thyristor blocable
71
thyristor diode
63
thyristor diode bidirectionnel
66
thyristor diode en inverse
64
thyristor diode passant en inverse
65
thyristor 
76
thyristor N
73
thyristor P
72
thyristor signal
77
thyristor triode
67
thyristor triode avalanche en inverse
74
thyristor triode bidirectionnel
70
thyristor triode en inverse
68
thyristor triode passant en inverse
69
transducteur effet Hall
106
transducteur de mesure effet Hall
107
transducteur de mesure effet Hall
108
transistor
41
transistor avalanche
46
transistor commutation effet de champ
60
transistor commutation bipolaire
60
transistor diffusion
43
transistor effet de champ
49
transistor effet de champ de Schottky
56
transistor effet de champ appauvrissement
57
transistor effet de champ canal N
52
transistor effet de champ canal P
53
transistor effet de champ enrichissement
58
transistor effet de champ grille 
51
transistor effet de champ junction de grille
50
transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs
54
transistor effet de champ metal-semiconducteurs
55
transistor jonctions
45
transistor bidirectionnel
59
transistor bipolaire
42
transistor en 
44
transistor 
61
transistor unipolaire
48
triac
70
wafer
120
Приложение А
(справочное)
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ
Физические элементы полупроводниковых приборов
1 электрический переход: Переходный слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями электрической проводимости.
Примечание - Одна из областей может быть металлом.
de
en
junction
fr
jonction
2 p-n переход (Нрк. электронно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа.
de
en
PN junction
fr
jonction PN
3 прямое направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление.
de
eines ;
en
forward direction of a PN junction;
forward direction
fr
sens direct d'une jonction PN;
sens direct
4 обратное направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление.
de
eines ;
en
reverse direction of a PN junction;
reverse direction
fr
sens inverse d'une jonction PN;
sens inverse
5 n-n+ переход (Нрк. электронно-электронный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости.
de
en
NN+ junction
fr
jonction NN+
6 p-p+ переход (Нрк. дырочно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости.
Примечание к терминам 5 и 6 - Знак "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
de
en
PP+ junction
fr
jonction PP+
7 резкий переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание - Толщиной области считают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
de
abrupter 
en
abrupt junction
fr
jonction abrupte
8 плавный переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
de
 
en
progressive junction
fr
jonction progressive
9 плоскостной переход: P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
de
halbleiter-gleichrichter diode
en
rectifier diode
fr
diode de redressement
10 точечный переход: P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Примечание - Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.
de
en
point-contact junction
fr
jonction ponctuelle
11 диффузионный переход: P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
de
diffundierter 
en
diffused junction
fr
jonction par diffusion
12 планарный переход: P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
de
en
planar junction
fr
jonction planar
13 конверсионный переход: P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси.
de
en
conversion junction
fr
jonction de conversion
14 сплавной переход (Нрк. вплавной переход): P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
de
legierter 
en
alloyed junction
fr
jonction par alliage
15 микросплавной переход (Нрк. микровплавной переход): Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
de
mikrolegieiter 
en
microalloy junction
fr
microjonction par alliage
16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): P-n переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
de
gezogener 
en
grown junction
fr
jonction par tirage
17 эпитаксиальный переход: P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.
Примечание - Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.
de
en
epitaxial junction
fr
jonction 
18 гетерогенный переход; гетеропереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
de
en
heterogeneous junction
fr
jonction ;
19 гомогенный переход; гомопереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
de
en
homogeneous junction
fr
jonction 
20 переход Шоттки: P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
de
en
Schottky junction
fr
Schottky jonction
21 выпрямляющий переход: P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном.
de
gleichrichtender 
en
rectifying junction
fr
jonction 
22 эмиттерный переход: P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора.
de
;
en
emitter junction
fr
jonction 
23 коллекторный переход: P-n переход между базой и коллектором транзистора.
de
;
en
collector junction
jonction collecteur
24 полупроводник: Материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда может изменяться под воздействием внешних факторов.
de
halbleiter
en
semiconductor
fr
semiconducteur
25 полупроводник n-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью n-типа.
de
N-halbleiter
en
N-type semiconductor
fr
semiconducteur type N
26 полупроводник p-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа.
de
P-halbleiter
en
P-type semiconductor
fr
semiconducteur type P
27 база (Нрк. базовая область): Область транзистора между эмиттерным и коллекторным переходами.
de
basis; basiszone
en
base
fr
base
28 эмиттер (Нрк. эмиттерная область): Область транзистора между эмиттерным переходом и эмиттерным электродом.
de
emitter; emitterzone
en
emitter
fr
29 коллектор (Нрк. коллекторная область): Область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом.
de
kollektor; kollektorzone
en
collector
fr
collecteur
30 активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
de
Aktivteil der Basis
en
active part of the base
fr
partie de base actif
31 пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
de
Passivteil der Basis
en
passive part of the base
fr
partie de base passif
32 канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда.
Примечания
1 Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода p-n перехода на поверхность кристалла.
2 Канал может быть n или p-типа, в зависимости от типа электропроводности полупроводника.
de
kanal eines feldeffekttransistors; kanal
en
channel of a field-effect transistor; channel
fr
canal d'un transistor effet de champ; canal
33 исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда.
de
source eines feldeffekttransistors; source
en
source of a field-effect transistor; source
fr
source d'un transistor effet de champ; source
34 сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который из канала вытекают носители заряда.
de
drain eines feldeffekttransistors; drain
en
drain of a field-effect transistor; drain
fr
drain d'un transistor effet de champ; drain
35 затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.
de
gate eines feldeffekttransistors; gate
en
gate of a field-effect transistor; gate
fr
grille d'un transistor effet de champ; grille
36 структура (полупроводникового прибора): Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.
Примечания
1 Примеры структур полупроводниковых приборов: p-n; n-p-n; p-n-p; p-i-n; p-n-p-n и др.
2 В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.
de
Aufbau der Halbleiterbauelement
en
structure of a semiconductor device; structure
fr
structure de dispositif semiconducteur
37 структура металл-диэлектрик-полупроводник; структура МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника.
de
Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur; MIH-Struktur
en
metal-insulator-semiconductor structure;
fr
MIH structure;
structure 
38 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника.
de
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur;
MOH-Struktur
en
metal-oxide-semiconductor structure;
MOS structure;
fr
structure metal-oxyde-semiconducteur; MOS
39 мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала.
de
Mesastruktur
en
mesastructure
fr
structure 
40 обедненный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов.
de
verarmungsschicht
en
depletion layer
fr
couche d'appauvrisse-ment;
couche de 
41 запирающий слой (Нрк. запорный слой): Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
de
Sperrschlicht
en
barrier layer
fr
couche 
42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов.
de
Anreicherungsschlicht
en
enriched layer
fr
couche enrichie
43 инверсный слой: Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактной разности потенциалов.
de
Inversionsschlicht
en
Inversion layer
fr
couche d'inversion
Явления в полупроводниковых приборах
44 пробой p-n перехода: Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупроводникового прибора.
Примечание - Необратимые изменения в p-n переходе не являются необходимым следствием пробоя.
de
durchbruch eines ;
durchbruch
en
breakdown of a PN junction;
breakdown
fr
claquage d'une jonction PN;
claquage
45 электрический пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения.
de
elektrischer Durchbruch eines ;
elektrischer Durchbruch
en
p-n junction electrical breakdown
fr
claquage d'une jonction PN;
claquage
46 лавинный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне p-n перехода (запирающем слое) под действием электрического поля.
de
lawinendurchbruch eines ;
lawinendurchbruch
en
avalanche breakdown of a PN junction; avalanche breakdown
fr
claquage par avalanche d'une jonction PN; claquage par avalanche
47 туннельный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный переносом носителей заряда.
de
zener-durchbruch eines ; zener-durchbruch
en
zener breakdown of a PN junction;
zener breakdown
fr
claquage par effet zener d'une jonction PN;
claquage par effet zener
48 тепловой пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.
de
thermischer durchbruch eines ;
thermischer durchbruch
en
thermal breakdown of a PN junction; thermal breakdown
fr
claquage par effet thermique d'une jonction PN; claquage par effet thermique
49 модуляция толщины базы: Изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу.
de
Modulation der Basisdicke
en
base thickness modulation
fr
effet Early
50 эффект смыкания (Нрк. прокол базы): Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы.
de
durchgriff
en
punch-through
fr
51 накопление (неравновесных носителей) заряда в базе: Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда.
de
speicherung der Basis
en
nonequilibrium charge carrier storage in the base
fr
accumulation (de porteur d'exces) dans la base
52 рассасывание (неравновесных носителей) заряда в базе: Уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.
de
der Basis
en
nonequilibrium charge carrier resorption in the base
fr
(de porteur d'exces) dans la base
53 закрытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.
de
eines thyristors
en
off-state of a thyristor
fr
de thyristor
54 открытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики.
de
durchlasszustand eines thyristors
en
on-state of a thyristor
fr
passant de thyristor
55 непроводящее состояние тиристора в обратном направлении: Состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.
de
sperrzustand eines thyristors
en
reverse blocking state of a thyristor
fr
en inverse de thyristor
56 переключение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигналов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигнала в цепи управляющего вывода.
de
Thyristorunchaltung
en
thyristor switching
fr
commutation de thyristor
57 включение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления.
de
Thyristorchaltung
en
turn-on of a thyristor
fr
enclenchement de thyristor
58 выключение тиристора: Переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения и (или) изменении сигнала управления.
de
Thyristorausschalten
en
turn-off of a thyristor
fr
de thyristor
59 эффект Холла: Создание в проводнике или полупроводнике электрического поля, пропорционального векторному произведению плотности тока на магнитную индукцию.
de
halleeffekt
en
hall effect
fr
effet hall
УДК 001.4:621.382:006.354
ОКС 01.040.31, 31.080
Ключевые слова: полупроводниковые приборы, термины, определения