"ГОСТ Р 59605-2021. Национальный стандарт Российской Федерации. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения" (утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст)

Главная // Актуальные документы // ГОСТ Р (Государственный стандарт)

СПРАВКА

Источник публикации

М.: ФГБУ "РСТ", 2021

Примечание к документу

Документ введен в действие с 01.03.2022.

Название документа

"ГОСТ Р 59605-2021. Национальный стандарт Российской Федерации. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения"

(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст)

Содержание

ГОСТ Р 59605-2021. Национальный стандарт Российской Федерации. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

Предисловие

Введение

1 Область применения

2 Термины и определения

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке

Алфавитный указатель буквенных обозначений

Приложение А. Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта

Утвержден и введен в действие

Приказом Федерального агентства

по техническому регулированию

и метрологии

от 12 октября 2021 г. N 1136-ст

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ОПТИКА И ФОТОНИКА

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Optics and photonics. Semiconducting photoelectric

detectors. Photoelectric and photoreceiving

devices. Terms and definitions

ГОСТ Р 59605-2021

ОКС 31.080.01

Дата введения

1 марта 2022 года

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием "Научно-исследовательский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИИФООЛИОС ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") и Акционерным обществом "Научно-производственное объединение "Орион" (АО "НПО "Орион")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 "Оптика и фотоника"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. N 1136-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы без пометы "Нрк" приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два или более термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, а также буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, входящих в сферу действия работ по стандартизации и использующих результаты этих работ.

2 Термины и определения

Основные термины и определения

1 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.	photosensitive semiconductor device
2 фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; ФЭПП: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике.	photoelectric semiconducting detector; photodetector
3 фотоприемное устройство; ФПУ: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления и обработки фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию. Примечание - Гибридные ФПУ подразделяют на поколения: - к ФПУ первого поколения относят ФПУ, не включающие в состав большой интегральной схемы (БИС) считывания; также этим термином обозначают и негибридные ФПУ, не включающие в состав БИС считывания; - к ФПУ второго поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат до 1280 x 1024, каждый пиксель которого передает только информацию об уровне собственной облученности в одном спектральном диапазоне; - к ФПУ третьего поколения относят ФПУ с БИС считывания, обладающие одним из следующих свойств: формат более 1280 x 1024, но менее 1920 x 1080; возможность раздельного приема пикселем излучения в двух и более спектральных диапазонах; возможность измерения временной задержки прихода сигнала в каждом пикселе, аналого-цифровое преобразование непосредственно в элементе БИС считывания и т.д.; - к ФПУ четвертого поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат более 1920 x 1080 или обладающие двумя или более свойствами, присущими ФПУ третьего поколения (кроме формата).	photoreceiving device

Типы фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения

4 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоспектральный ФЭПП: ФЭПП, содержащий два и более фоточувствительных элемента с различными диапазонами спектральной чувствительности.	multi-band photodetector
5 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; одноэлементный ФЭПП: ФЭПП, содержащий один фоточувствительный элемент.	single-element photodetector
6 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоэлементный ФЭПП: ФЭПП с числом фоточувствительных элементов более одного. Примечание - Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" ФЭПП.	multi-element photodetector
7 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; координатный ФЭПП: ФЭПП, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности.	position-sensitive photodetector
8 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; гетеродинный ФЭПП: ФЭПП, предназначенный для гетеродинного приема излучения.	heterodyne photodetector
9 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; иммерсионный ФЭПП: ФЭПП, содержащий иммерсионный сигнал.	immersed photodetector
10 фоторезистор: ФЭПП, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.	photoresistor; photoconductive cell
11 фотодиод: Полупроводниковый диод с p - n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.	photodiode
12 pin-фотодиод: Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной.	pin-photodiode
13 фотодиод с барьером Шоттки: Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.	Schottky-barrier photodiode
14 фотодиод с гетеропереходом: Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание - Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.	heterojunction photodiode
15 лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.	avalanche photodiode
16 инжекционный фотодиод: Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.	injection photodiode
17 фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.	phototransistor
18 полевой фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.	field effect phototransistor
19 биполярный фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.	bipolar phototransistor
20 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; охлаждаемый ФЭПП: ФЭПП, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента.	cooled photodetector

Типы фотоприемных устройств

21 одноэлементное фотоприемное устройство; одноэлементное ФПУ: ФПУ, в котором используется одноэлементный ФЭПП.	single-element photoreceiving device
22 многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами; многоэлементное ФПУ с разделенными каналами: ФПУ, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов.	multi-element photoreceiving device with separate channels
23 многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией; многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией: ФПУ с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов ФПУ меньше, чем число фоточувствительных элементов. Примечание - Многоэлементные ФПУ с внутренней коммутацией разделяют на матричные и линейные: - у матричного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы не превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз; - у линейного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз.	multi-element photoreceiving device with internally commutation
24 многоспектральное фотоприемное устройство; многоспектральное ФПУ: ФПУ, содержащее многоспектральный ФЭПП.	multi-band photoreceiving device
25 фоточувствительный полупроводниковый сканистор: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки.	photosensitive semiconductor scanistor
26 охлаждаемое фотоприемное устройство; охлаждаемое ФПУ: ФПУ, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП.	cooled photoreceiving device
27 монолитное фотоприемное устройство; монолитное ФПУ: ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.	monolictical photoreceiving device
28 гибридное фотоприемное устройство; гибридное ФПУ: ФПУ, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов.	hybrid photoreceiving device
29 фотоприемный модуль: Прибор, содержащий в составе ФПУ и блок электронной обработки изображения, осуществляющий обработку сигналов и их выдачу по промышленному или иному интерфейсу. Примечания 1 К фотоприемному модулю, работающему в качестве тепловизора, допускается применять термин "модуль формирования тепловизионного видеосигнала". 2 Допускается применять термин "фотоприемный модуль на основе ФПУ X поколения", что означает фотоприемный модуль, содержащий в составе ФПУ X поколения. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение или цифру, обозначающую соответствующее поколение ФПУ.	camera module; camera
30 режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона (ФЭПП); режим ОФ ФЭПП: Условия, при которых обнаружительная способность ФЭПП определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона.	background limited mode (of a photodetector)
31 режим оптической генерации (ФЭПП); режим ОГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей.	optical generation mode (of a photodetector)
32 режим термической генерации (ФЭПП); режим ТГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда в отсутствие полезного сигнала определяется только термической генерацией.	thermal generation mode (of a photodetector)
33 фотодиодный режим: Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении.	back-biased operation mode
34 лавинный режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.	avalanche mode of photodiode operation
35 фотогальванический режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения.	zero-bias mode of photodiode operation; photovoltaic mode of photodiode operation
36 режим работы фототранзистора с плавающей базой: Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.	floating-base mode of phototransistor operation
37 режим короткого замыкания (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП.	short-circuit mode of photodetector operation
38 режим холостого хода (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором его выходное динамическое сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки.	open-circuit mode of photodetector operation
39 режим работы (ФЭПП) с согласованной нагрузкой: Режим работы ФЭПП, при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению.	matched impedance mode of photodetector operation
40 режим оптического гетеродинного приема (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала.	heterodyne reception mode of photodetector operation
41 режим временной задержки накопления (ФПУ); режим ВЗН ФПУ: Режим работы ФПУ, при котором происходит накопление сигнала от одного и того же участка изображения несколькими фоточувствительными элементами, их запоминание и последующее суммирование. Примечание - Режим временной задержки накопления ФПУ достигается за счет расположения фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль направления сканирования (перемещения изображения) и временной задержки начала накопления, синхронизованной с движением изображения.	time-delay integration photoreceiving device mode, TDI

Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства

42 фоточувствительный элемент [пиксель] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; ФЧЭ ФЭПП; пиксель ФЭПП: Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры, предназначенная для приема оптического излучения. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "фоточувствительный элемент" используют термин "пиксель", имеющий аналогичное значение.	photodetector sensitive element; photodetector pixel
43 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; вывод ФЭПП: Элемент конструкции корпуса ФЭПП, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.	photodetector terminal
44 контакт фоточувствительного элемента [пикселя] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; контакт ФЧЭ ФЭПП; контакт пикселя ФЭПП: Участок ФЧЭ, обеспечивающий электрическую связь вывода ФЭПП с ФЧЭ.	photodetector pin
45 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; корпус ФЭПП: Часть конструкции ФЭПП, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.	photodetector package
46 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; иммерсионный элемент ФЭПП: Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с ФЧЭ ФЭПП и предназначенный для концентрации потока излучения.	photodetector optical immersion element
47 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; подложка ФЭПП: Конструктивный элемент ФЭПП с нанесенным фоточувствительным слоем.	photodetector film base
48 входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; входное окно ФЭПП: Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса ФЭПП и пропускающий излучение к ФЧЭ.	photodetector input window
49 апертурная [холодная] диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; апертурная диафрагма ФЭПП; холодная диафрагма ФЭПП: Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения ФЭПП. Примечание - Для охлаждаемых ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "апертурная диафрагма ФЭПП" применяют термин "холодная диафрагма ФЭПП" ("cold-stop").	photodetector aperture stop; photodetector cold-stop
50 выход [канал] фотоприемного устройства; выход ФПУ; канал ФПУ: Часть ФПУ, обеспечивающая связь ФПУ с внешней электрической цепью. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений выходы ФПУ называют "каналами". При передаче по каналам сигналов в цифровом виде ФПУ называют ФПУ с цифровыми выходами.	photoreceiving device output; photoreceiving device channel
51 большая интегральная схема считывания; БИС считывания: Интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ. Примечание - Каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют "ячейкой накопления". Уровень заполнения ячейки накопления - это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда.	readout integrated circuit; ROIC
52 дефектный фоточувствительный элемент [пиксель]; дефектный ФЧЭ: ФЧЭ ФЭПП, параметры которого не соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе. Примечания 1 Число дефектных элементов определяют их счетом. 2 Долю дефектных ФЧЭ вычисляют по формуле , (1) где M_деф - число дефектных ФЧЭ, шт.; M - число всех ФЧЭ, шт. 3 Недефектным ФЧЭ является ФЧЭ ФЭПП, параметры которого соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе. 4 Долю недефектных ФЧЭ вычисляют по формуле . (2) 5 Для наименования группы дефектных ФЧЭ, расположенных рядом, т.е. имеющих общие стороны и углы, применяют термин "кластер дефектных ФЧЭ".	bad pixel, dead pixel, defective pixel

Параметры напряжений, сопротивлений, токов фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

53 рабочее напряжение (ФЭПП) U_р: Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений применяют термин "напряжение смещения".	operating voltage (of a photodetector); U_op
54 пробивное напряжение фотодиода U_пр: Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.	breakdown voltage of a photodiode; U_BR
55 максимально допустимое напряжение (ФЭПП) U_max: Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.	maximum admissible voltage (of a photodetector); U_max
56 электрическая прочность изоляции (ФЭПП) U_из: Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции.	insulating strength (of a photodetector); U_i
57 дифференциальное электрическое сопротивление (ФЭПП) R_д: Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП.	differential electrical resistance (of a photodetector); R_d
58 статическое сопротивление (ФЭПП) R_С: Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току.	static resistance (of a photodetector); R_s
59 темновое сопротивление (ФЭПП) R_Т: Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.	dark resistance (of a photodetector); R_d
60 сопротивление фотодиода при нулевом смещении R₀: Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольтамперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.	zero bias resistance of a photodiode; R₀
61 световое сопротивление (ФЭПП) R_Е: Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.	resistance under illumination (of a photodetector); R_E, R_H
62 темновой ток (ФЭПП) I_Т: Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.	dark current (of a photodetector); I_d
63 фототок (ФЭПП) I_ф: Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.	photocurrent (of a photodetector); I_p
64 общий ток (ФЭПП) I_общ: Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.	total current (of a photodetector); I_tot
65 напряжение фотосигнала (ФЭПП) U_с: Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечания 1 Так как по переменному току нагрузка, как правило, подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала допускается измерять на нагрузке. 2 Для ФПУ второго и последующих поколений за значение сигнала принимают разницу фотооткликов при заданных уровнях падающего на ФЧЭ ФПУ потока излучения.	photoelectric signal voltage (of a photodetector); U_s
66 ток фотосигнала (ФЭПП) I_с: Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.	photoelectric signal current (of a photodetector); I_s

Параметры чувствительности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Термины, установленные в терминологических статьях 68 - 77, допускается употреблять в различных комбинациях, например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 72 и 73), вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 72 и 74), токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 71 с 67 и 69). При этом буквенные обозначения формируют из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации. Если в тексте указана размерность чувствительности, то допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.

67 чувствительность (ФЭПП) S: Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной.	responsivity (of a photodetector); S
68 чувствительность (ФЭПП) к потоку излучения : -.	radiant flux responsivity (of a photodetector);
69 чувствительность (ФЭПП) к световому потоку S_Ф: -.	luminous flux responsivity (of a photodetector);
70 чувствительность (ФЭПП) к облученности [освещенности] (S_E): -.	irradiance responsivity responsivity; illumination responsivity (of a photodetector); S_Ee (S_Ev)
71 токовая чувствительность (ФЭПП) S_I: -.	current responsivity of a photodetector; S_I
72 вольтовая чувствительность (ФЭПП) S_U: -.	voltage responsivity of a photodetector; S_v
73 интегральная чувствительность (ФЭПП) S_инт: Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава.	total responsivity (of a photodetector); S_int
74 монохроматическая чувствительность (ФЭПП) : Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению.	monochromatic responsivity (of a photodetector);
75 статическая чувствительность (ФЭПП) S_ст: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.	static responsivity (of a photodetector); S_st
76 дифференциальная чувствительность (ФЭПП) S_д: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.	differential responsivity (of a photodetector); S_d
77 импульсная чувствительность (ФЭПП) S_имп: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции.	pulse responsivity (of a photodetector); S_p
78 наклон люксомической характеристики фоторезистора : Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.	illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor;

Параметры порога и шума фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

79 ток шума (ФЭПП) I_ш: Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот.	noise current (of a photodetector); I_n
80 напряжение шума (ФЭПП) U_ш: Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.	noise voltage (of a photodetector); U_n
81 порог чувствительности (ФЭПП, ФПУ) Ф_п; порог: Значение потока излучения, вызывающего приращение сигнала, равного значению шума. Примечания 1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения порог чувствительности - это среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения. 2 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.	noise equivalent power (of a photodetector and photoreceiving device); P_min,
82 порог чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Ф_п1; порог в единичной полосе частот: Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения.	unit frequency bandwidth noise equivalent power (of a photodetector); NEP
83 удельный порог чувствительности (ФЭПП) Ф*_п; удельный порог: Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади ФЧЭ.	specific noise equivalent power (of a photodetector); NEP*
84 обнаружительная способность (ФЭПП) D: Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП.	detectivity (of a photodetector); D
85 удельная обнаружительная способность (ФЭПП) D*: Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП.	specific detectivity (of a photodetector); D*
86 эквивалентная шуму разность температур (ФЭПП); ЭШРТ: Разница температур объекта, излучающего как абсолютно черное тело, вызывающая изменение сигнала ФЭПП, равное шуму. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают ЭШРТ, определяемое как среднее значение параметра по недефектным элементам, и ЭШРТ, определяемое по изображению испытуемого объекта.	noise equivalent temperature difference (of a photodetector); NETD
87 радиационный порог чувствительности (ФЭПП) : Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.	noise equivalent power of the background limited infrared photodetector; BLIP; P_BLIP

Параметры спектральной характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

88 длина волны максимума спектральной чувствительности (ФЭПП) : Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.	peak spectral response wavelength (of a photodetector);
89 коротковолновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП) : Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.	short-wavelength limit (of a photodetector);
90 длинноволновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП) : Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.	long wavelength limit (of a photodetector);
91 область спектральной чувствительности (ФЭПП) : Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения.	spectral sensitivity range (of a photo-detector);

Геометрические параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

92 эффективная фоточувствительная площадь (ФЭПП) A_эфф: Площадь ФЧЭ эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по ФЧЭ и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. Примечание - Эффективную фоточувствительную площадь A_эфф, м², вычисляют по формуле , (3) где S_N - номинальное значение локальной чувствительности, отн. ед.; S(x, y) - чувствительность к потоку при облучении ФЧЭ точечным пятном с координатами, отн. ед. В качестве номинального значения локальной чувствительности S_N, как правило, выбирают максимальную чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке x₀, y₀). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методику выбора S_N указывают дополнительно.	effective photosensitive area (of a photodetector); A_eff
93 плоский угол зрения (ФЭПП) : Угол в нормальной к ФЧЭ плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня.	angular field of view (of a photodetector);
94 эффективное поле зрения (ФЭПП) : Телесный угол, вычисляемый по формуле , (4) где U_c - напряжение фотосигнала ФЭПП (допускается замена параметра U_c на I_c, I_ф), В; - угол между направлением падающего излучения и нормалью к ФЧЭ; - азимутальный угол.	effective weighted solid angle (of a photodetector);

Параметры инерционности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

95 время нарастания (ФЭПП) : Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.	rise time (of a photodetector); t_r
96 время спада (ФЭПП) : Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.	decay time (of a photodetector); t_f
97 время установления переходной нормированной характеристики (ФЭПП) по уровню : Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h₀(t) от установившегося значения не превышает k: (1 - h₀(t)) <= k при .	set-up time of the normalized transfer characteristic (of a photodetector)
98 предельная частота (ФЭПП) f₀: Частота синусоидально-модулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.	cut-off frequency (of a photodetector); f_g
99 емкость (ФЭПП) C: -.	capacitance (of a photodetector); C
100 последовательное сопротивление фотодиода R_посл: Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода.	series resistance of the photodiode; R_S

Параметры многоэлементного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

101 число элементов (ФЭПП) N: -. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений число элементов задают в виде формата ФПУ, который показывает число ФЧЭ в матрице или линейке по вертикали и горизонтали.	number of elements (of a photodetector)
102 шаг элементов (ФЭПП) h: Расстояние между центрами двух соседних ФЧЭ ФЭПП.	pitch of elements (of a photodetector); p
103 межэлементный зазор (многоэлементного ФЭПП) : Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП.	element spacing (of a multielement photodetector);
104 коэффициент фотоэлектрической связи (многоэлементного ФЭПП) K_фс: Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики.	photoelectric coupling coefficient (of a multielement photodetector); K_c
105 разброс значений параметров (многоэлементного ФЭПП) : Среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам. Примечания 1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения - отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. 2 В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра.	spread of parameter values (of a multielement photodetector);

Параметры фототранзистора

106 напряжение на коллекторе фототранзистора , : Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "б" и "э" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим эмиттером соответственно.	collector voltage of a phototransistor; U_CB, U_CE
107 напряжение на эмиттере фототранзистора , : Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "б" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим коллектором соответственно.	emitter voltage of a phototransistor; U_EB, U_EC
108 напряжение на базе фототранзистора , : Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "э" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером или с общим коллектором соответственно.	base voltage of a phototransistor; U_BE, U_BC
109 пробивное напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора : Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.	collector - emitters breakdown voltage of a phototransistor; U_{BR CEO}
110 пробивное напряжение коллектор - база фототранзистора : Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.	collector - base breakdown voltage of a phototransistor; U_{BR CBO}
111 пробивное напряжение эмиттер - база фототранзистора : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.	emitter - base breakdown voltage of a phototransistor; U_{BR EBO}
112 пробивное напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечания 1 Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором. 2 На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.	emitter - collector breakdown voltage of a phototransistor; U_{BR ECO}
113 темновой ток коллектора фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	collector dark current of a phototransistor; I_CEO, I_CBO, I_CCO
114 темновой ток эмиттера фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	emitter dark current of a phototransistor; I_EEO, I_EBO, I_ECO
115 темновой ток базы фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	base dark current of a phototransistor; I_BEO, I_BBO, I_BCO
116 темновой ток коллектор - эмиттер фототранзистора : Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.	collector - emitter dark current of a phototransistor; I_CEO
117 темновой ток коллектор - база фототранзистора : Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.	collector - base dark current of a phototransistor; I_CBO
118 темновой ток эмиттер - база фототранзистора : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.	emitter - base dark current of a phototransistor; I_EBO
119 темновой ток эмиттер - коллектор фототранзистора : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором.	emitter - collector dark current of a phototransistor; I_ECO
120 фототок коллектора фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	collector photocurrent of a phototransistor; I_CEH, I_CBH, I_CCH
121 фототок эмиттера фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	emitter photocurrent of a phototransistor; I_EEH, I_EBH, I_ECH
122 фототок базы фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	base photocurrent of a phototransistor; I_BEH, I_BBH, I_BCH
123 общий ток коллектора фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	collector total current of a phototransistor; I_CE, I_CB, I_CC
124 общий ток эмиттера фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	emitter total current of a phototransistor; I_EE, I_EB, I_EC
125 общий ток базы фототранзистора , , : -. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	base total current of a phototransistor; I_BE, I_BB, I_BC
126 общий ток коллектор - эмиттер фототранзистора : Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.	collector - emitter total current of a phototransistor; I_CEH
127 общий ток коллектор - база фототранзистора : Общий ток коллектор - база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.	collector - base total current of a phototransistor; I_CBH
128 токовая чувствительность фототранзистора , , : Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	current responsivity of a phototransistor
129 вольтовая чувствительность фототранзистора , , : Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.	voltage responsivity of a phototransistor
130 коэффициент усиления по фототоку фототранзистора K_уф: Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме.	photocurrent gain factor of a phototransistor

Параметры координатного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

131 линейная зона координатной характеристики (координатного ФЭПП) : Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения.	linear area characteristic (of a coordinate photodetector)
132 дифференциальная крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) S_дифф: Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения.	differential slope characteristic (of a coordinate photodetector)
133 статическая крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) S_стат: Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения.	static slope characteristic (of a coordinate photodetector)
134 нулевая точка (координатного ФЭПП) X₀: Координата энергетического центра светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю.	zero point (of a coordinate photodetector); X₀
135 выходное сопротивление (координатного ФЭПП) R_вых: Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения.	output impedance (of a coordinate photodetector); R₀

Параметры лавинного фотодиода

136 коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода M_Т: Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях.	dark current multiplication factor of an avalanche photodiode; M_d
137 коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода M_ф: Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание - Если фототок измеряют при засветке всего ФЧЭ, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения.	photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode; M_ph
138 точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода : Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах.	operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode;
139 температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода : Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание - При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода; если диапазон изменения температур большой, то получают статический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода.	operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode;

Параметры инжекционного фотодиода

140 коэффициент усиления инжекционного фотодиода K: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме.

gain of an injection photodiode

141 коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода K_у: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.

Примечание - Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольтамперной характеристики определяют также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений.

relative gain of an injection photodiode

Эксплуатационные параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

142 рассеиваемая мощность (ФЭПП) P: Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения.	total power dissipation (of a photodetector); P_tot
143 максимально допустимая рассеиваемая мощность (ФЭПП) P_max: Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.	maximum admissible power dissipation (of a photodetector); P_max
144 критическая мощность излучения (ФЭПП) Ф_крит: Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня.	critical radiation power (of a photodetector)
145 динамический диапазон (ФЭПП) Д: Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечания 1 Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня. 2 Для ФПУ второго и последующих поколений различают динамический диапазон ФЭПП (ФПУ) и динамический диапазон выходных сигналов ФПУ.	dynamic range (of a photodetector)
146 неравномерность чувствительности (ФЭПП) по фоточувствительному элементу : Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП, измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.	spacing response non-uniformity (of a photodetector)
147 нестабильность сопротивления (ФЭПП) : Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению.	resistance unstability coefficient (of a photodetector)
148 нестабильность темнового тока (ФЭПП) : Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания ФЭПП к среднему значению.	dark current unstability (of a photodetector)
149 нестабильность чувствительности (ФЭПП) : Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению.	response unstability (of a photodetector)
150 температурный коэффициент фототока (ФЭПП) : Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности).	photocurrent temperature coefficient (of a photodetector)
151 световая нестабильность (ФЭПП) v: Изменение светового сопротивления ФЭПП, произошедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении.	light unstability (of a photodetector)
152 температура выхода на режим оптической генерации (ФЭПП): -.	optical generation mode temperature (of a photodetector)
153 время выхода на режим (охлаждаемого ФЭПП) t_вых: Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня.	cooldown time (of a cooled photodetector); t_cd
154 время автономной работы (охлаждаемого ФЭПП) : Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня.	independent operating time (of a cooled photodetector);

Спектральные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

155 спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП) : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения.	spectral response (of a photodetector);
156 абсолютная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП) : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.	absolute spectral response characteristic (of a photodetector);
157 относительная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП) : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения.	relative spectral response characteristic (of a photodetector);

Вольтовые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

158 вольтамперная характеристика (ФЭПП) I(U); ВАХ ФЭПП: Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.	current-voltage characteristic (of a photodetector); I(U)
159 входная вольтамперная характеристика фототранзистора I_вх(U); входная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения.	input current-voltage characteristic (of a phototransistor); I_in(U)
160 выходная вольтамперная характеристика фототранзистора I_вых(U); выходная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения.	output current-voltage characteristic (of a phototransistor); I₀(U)
161 вольтовая характеристика чувствительности (ФЭПП) S(U): Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.	bias voltage response characteristic (of a photodetector); S(U)
162 вольтовая характеристика тока шума (ФЭПП) I_ш(U): Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.	bias noise current characteristic (of a photodetector); I_n(U)
163 вольтовая характеристика напряжения шума (ФЭПП) U_ш(U): Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.	bias noise voltage characteristic (of a photodetector); U_ш(U)
164 вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(U): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему.	bias detectivity characteristic (of a photodetector); D*(U)
165 вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода M_Т(U), M_ф(U): Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему.	bias multiplication factor characteristic (of an avalanche photodiode); M_d(U), M_ph(U)

Характеристики зависимости параметров фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения от потока излучения

166 энергетическая характеристика фототока (ФЭПП) I_ф(Ф): Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП.

photocurrent radiant flux characteristic (of a photodetector); I_ph(P)

167 энергетическая характеристика напряжения фотосигнала (ФЭПП) U_с(Ф): Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП.

photoelectric signal voltage radiant flux characteristic (of a photodetector); U_S(P)

168 энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора R_с(Ф): Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор.

radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor; R_S(P)

169 люксомическая характеристика фоторезистора R_E(E): Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор.

resistance-illuminance characteristic of a photoresistor; R_E(E), R_H(E)

170 люксамперная характеристика (ФЭПП) I_ф(E): Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП.

photocurrent-illuminance characteristic (of a photodetector); I_ph(E)

171 входная энергетическая характеристика фототранзистора U_вх(Ф), I_вх(Ф): Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе.

input energy characteristic of a phototransistor

ИС МЕГАНОРМ: примечание.

Буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа.

172 выходная энергетическая характеристика фототранзистора U_вх(Ф): Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе.

output energy characteristic of a phototransistor

173 сигнальная характеристика (ФЭПП, ФПУ) S_ФПУ(t_нак): Зависимость значения сигнала ФЧЭ ФЭПП или ФПУ (по недефектным элементам) от времени накопления.

signal characteristic (of a photodetector, of a photoreceiving device)

Частотные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

174 частотная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(f): Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения.	frequency response characteristic (of a photodetector); S(f)
175 спектр тока шума (ФЭПП) I_ш(f): Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам.	noise current spectrum (of a photodetector); I_n(f)
176 спектр напряжения шума (ФЭПП) U_Ш(f): Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам.	noise voltage spectrum (of a photodetector); u_n(f)
177 частотная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(f): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения.	specific detectivity frequency dependence (of a photodetector); D*(f)

Фоновые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

178 фоновая характеристика светового сопротивления (ФЭПП) R_E(Ф): Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.	resistance under illumination-background radiant flux characteristic (of a photodetector); R_E(P), R_H(P)
179 фоновая характеристика чувствительности (ФЭПП) S(Ф): Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.	responsivity-background radiant flux characteristic (of a photodetector); S(P)
180 фоновая характеристика тока шума (ФЭПП) I_ш(Ф): Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.	noise current-background radiant flux characteristic (of a photodetector); I_n(P)
181 фоновая характеристика напряжения шума (ФЭПП) U_ш(Ф): Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.	noise voltage-background radiant flux characteristic (of a photodetector); U_n(P)
182 фоновая характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Ф_п1(Ф): Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона.	NEP-background radiant flux characteristic (of a photodetector)
183 фоновая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(Ф): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.	specific detectivity-background radiant flux characteristic (of a photodetector); D*(P)

Температурные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

184 температурная характеристика светового сопротивления (ФЭПП) R_E(Т): -.	resistance under illumination-temperature characteristic (of a photodetector); R_E(T), R_H(T)
185 температурная характеристика темнового сопротивления (ФЭПП) R_T(Т): -.	dark resistance-temperature characteristic (of a photodetector)
186 температурная характеристика темнового тока (ФЭПП) I_T(Т): -.	dark current-temperature characteristic (of a photodetector); I_d(T)
187 температурная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(Т): -.	responsivity-temperature characteristic (of a photodetector); S(T)
188 температурная характеристика тока шума (ФЭПП) I_ш(Т): -.	noise current-temperature characteristic (of a photodetector); I_n(T)
189 температурная характеристика напряжения шума (ФЭПП) U_ш(Т): -.	noise voltage-temperature characteristic (of a photodetector); U_n(T)
190 температурная характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Ф_п1(Т): -.	NEP-temperature characteristic (of a photodetector)
191 температурная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(Т): -.	specific detectivity-temperature characteristic (of a photodetector); D*(T)
192 температурная характеристика дрейфа нулевой точки (координатного ФЭПП) X₀(Т): Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры.	zero drift-temperature characteristic (of a coordinate photodetector); X₀(T)

Временные и пространственные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

193 переходная нормированная характеристика (ФЭПП) h₀(t): Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. Примечание - Импульс излучения в форме единичной степени описывают выражением . (5) В общем случае переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 1. Рисунок 1	normalized transfer characteristic (of a photodetector)
194 обратная переходная нормированная характеристика (ФЭПП) : Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. Примечание - Поток излучения при резком прекращении воздействия описывают выражением . (6) В общем случае обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 2. Рисунок 2	normalized inverse transfer characteristic (of a photodetector)
195 координатная характеристика (координатного ФЭПП) U_вых(X): Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода.	coordinate characteristic (of a coordinate photodetector)
196 временной дрейф нулевой точки (координатного ФЭПП) X₀(t); дрейф нуля: Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени.	time drift of zero point; zero drift (of a coordinate photodetector); X₀(t)
197 распределение чувствительности по фоточувствительному элементу (ФЭПП) S(x, y): Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда с пятном бесконечно малого размера на ФЧЭ.	responsivity surface distribution (of a photodetector); S(x, y)
198 угловая характеристика чувствительности (ФЭПП) : Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости ФЧЭ.	responsivity directional distribution (of a photodetector);
199 время накопления [экспозиции] t_нак: Временной промежуток, за который происходит накопление фототока в ячейке накопления БИС считывания. Примечание - Также допускается применять термин "время интегрирования", имеющий аналогичное значение.	integration time; exposure time; t_i
200 время задержки фотоотклика при формировании изображения t_задерж: Значение временного интервала с момента поступления излучения на ФПУ до момента появления фотоотклика на выходе ФПУ.	image forming delay; t_delay

Алфавитный указатель терминов на русском языке

БИС считывания	51
ВАХ фототранзистора входная	159
ВАХ фототранзистора выходная	160
ВАХ ФЭПП	158
время автономной работы	154
время автономной работы охлаждаемого ФЭПП	154
время выхода на режим	153
время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП	153
время задержки фотоотклика при формировании изображения	200
время накопления	199
время нарастания	95
время нарастания ФЭПП	95
время спада	96
время спада ФЭПП	96
время установления переходной нормированной характеристики по уровню k	97
время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k	97
время экспозиции	199
вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	43
вывод ФЭПП	43
выход фотоприемного устройства	50
выход ФПУ	50
граница спектральной чувствительности длинноволновая	90
граница спектральной чувствительности коротковолновая	89
граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая	90
граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая	89
диапазон динамический	145
диапазон ФЭПП динамический	145
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная	49
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения холодная	49
диафрагма ФЭПП апертурная	49
диафрагма ФЭПП холодная	49
длина волны максимума спектральной чувствительности	88
длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП	88
дрейф нулевой точки временной	196
дрейф нулевой точки координатного ФЭПП временной	196
емкость	99
емкость ФЭПП	99
зазор межэлементный	103
зазор межэлементный многоэлементного ФЭПП	103
зона координатной характеристики координатного ФЭПП линейная	131
зона координатной характеристики линейная	131
канал фотоприемного устройства	50
канал ФПУ	50
контакт пикселя фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	44
контакт пикселя ФЭПП	44
контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	44
контакт ФЧЭ ФЭПП	44
корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	45
корпус ФЭПП	45
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода	141
коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный	139
коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода	136
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода	137
коэффициент усиления инжекционного фотодиода	140
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора	130
коэффициент фототока температурный	150
коэффициент фототока ФЭПП температурный	150
коэффициент фотоэлектрической связи	104
коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП	104
крутизна координатной характеристики дифференциальная	132
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП дифференциальная	132
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП статическая	133
крутизна координатной характеристики статическая	133
модуль фотоприемный	29
мощность излучения критическая	144
мощность излучения ФЭПП критическая	144
мощность рассеиваемая	142
мощность рассеиваемая максимально допустимая	143
мощность ФЭПП рассеиваемая	142
мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая	143
наклон люксомической характеристики фоторезистора	78
напряжение коллектор - база фототранзистора пробивное	110
напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора пробивное	109
напряжение максимально допустимое	55
напряжение на базе фототранзистора	108
напряжение на коллекторе фототранзистора	106
напряжение на эмиттере фототранзистора	107
напряжение рабочее	53
напряжение фотодиода пробивное	54
напряжение фотосигнала	65
напряжение фотосигнала ФЭПП	65
напряжение ФЭПП максимально допустимое	55
напряжение ФЭПП рабочее	53
напряжение шума	80
напряжение шума ФЭПП	80
напряжение эмиттер - база фототранзистора пробивное	111
напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора пробивное	112
неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу	146
неравномерность чувствительности ФЭПП по фоточувствительному элементу	146
нестабильность световая	151
нестабильность сопротивления	147
нестабильность сопротивления ФЭПП	147
нестабильность темнового тока	148
нестабильность темнового тока ФЭПП	148
нестабильность ФЭПП световая	151
нестабильность чувствительности	149
нестабильность чувствительности ФЭПП	149
область спектральной чувствительности	91
область спектральной чувствительности ФЭПП	91
окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное	48
окно ФЭПП входное	48
пиксель дефектный	52
пиксель фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	42
пиксель ФЭПП	42
площадь фоточувствительная эффективная	92
площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная	92
подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения	47
подложка ФЭПП	47
поле зрения ФЭПП эффективное	94
поле зрения эффективное	94
порог	81
порог в единичной полосе частот	82
порог удельный	83
порог чувствительности	81
порог чувствительности в единичной полосе частот	82
порог чувствительности радиационный	87
порог чувствительности удельный	83
порог чувствительности ФПУ	81
порог чувствительности ФЭПП	81
порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот	82
порог чувствительности ФЭПП радиационный	87
порог чувствительности ФЭПП удельный	83
прибор полупроводниковый фоточувствительный	1
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический	2
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный	8
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный	9
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный	7
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный	4
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный	6
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный	5
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый	20
прочность изоляции ФЭПП электрическая	56
прочность изоляции электрическая	56
разброс значений параметров	105
разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП	105
разность температур, эквивалентная шуму	86
разность температур ФЭПП, эквивалентная шуму	86
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу	197
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП	197
режим ВЗН ФПУ	41
режим временной задержки накопления	41
режим временной задержки накопления ФПУ	41
режим короткого замыкания	37
режим короткого замыкания ФЭПП	37
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона	30
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона ФЭПП	30
режим ОГ ФЭПП	31
режим оптического гетеродинного приема	40
режим оптического гетеродинного приема ФЭПП	40
режим оптической генерации	31
режим оптической генерации ФЭПП	31
режим ОФ ФЭПП	30
режим работы с согласованной нагрузкой	39
режим работы фотодиода лавинный	34
режим работы фотодиода фотогальванический	35
режим работы фототранзистора с плавающей базой	36
режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой	39
режим ТГ ФЭПП	32
режим термической генерации	32
режим термической генерации ФЭПП	32
режим фотодиодный	33
режим холостого хода	38
режим холостого хода ФЭПП	38
сканистор полупроводниковый фоточувствительный	25
сопротивление выходное	135
сопротивление координатного ФЭПП выходное	135
сопротивление световое	61
сопротивление статическое	58
сопротивление темновое	59
сопротивление фотодиода последовательное	100
сопротивление фотодиода при нулевом смещении	60
сопротивление ФЭПП световое	61
сопротивление ФЭПП статическое	58
сопротивление ФЭПП темновое	59
сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное	57
сопротивление электрическое дифференциальное	57
спектр напряжения шума	176
спектр напряжения шума ФЭПП	176
спектр тока шума	175
спектр тока шума ФЭПП	175
способность обнаружительная	84
способность обнаружительная удельная	85
способность ФЭПП обнаружительная	84
способность ФЭПП обнаружительная удельная	85
схема считывания большая интегральная	51
температура выхода на режим оптической генерации	152
температура выхода на режим оптической генерации ФЭПП	152
ток базы фототранзистора общий	125
ток базы фототранзистора темновой	115
ток коллектора фототранзистора общий	123
ток коллектора фототранзистора темновой	113
ток коллектор - база фототранзистора общий	127
ток коллектор - база фототранзистора темновой	117
ток коллектор - эмиттер фототранзистора общий	126
ток коллектор - эмиттер фототранзистора темновой	116
ток общий	64
ток темновой	62
ток фотосигнала	66
ток фотосигнала ФЭПП	66
ток ФЭПП общий	64
ток ФЭПП темновой	62
ток шума	79
ток шума ФЭПП	79
ток эмиттера фототранзистора общий	124
ток эмиттера фототранзистора темновой	114
ток эмиттер - база фототранзистора темновой	118
ток эмиттер - коллектор фототранзистора темновой	119
точка координатного ФЭПП нулевая	134
точка нулевая	134
точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода	138
угол зрения плоский	93
угол зрения ФЭПП плоский	93
устройство фотоприемное	3
устройство фотоприемное гибридное	28
устройство фотоприемное многоспектральное	24
устройство фотоприемное монолитное	27
устройство фотоприемное одноэлементное	21
устройство фотоприемное охлаждаемое	26
устройство фотоприемное с внутренней коммутацией многоэлементное	23
устройство фотоприемное с разделенными каналами многоэлементное	22
фотодиод	11
фотодиод инжекционный	16
фотодиод лавинный	15
фотодиод с барьером Шоттки	13
фотодиод с гетеропереходом	14
фоторезистор	10
фототок	63
фототок базы фототранзистора	122
фототок коллектора фототранзистора	120
фототок ФЭПП	63
фототок эмиттера фототранзистора	121
фототранзистор	17
фототранзистор биполярный	19
фототранзистор полевой	18
ФПУ	3
ФПУ гибридное	28
ФПУ многоспектральное	24
ФПУ монолитное	27
ФПУ одноэлементное	21
ФПУ охлаждаемое	26
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное	23
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное	22
ФЧЭ дефектный	52
ФЧЭ ФЭПП	42
ФЭПП	2
ФЭПП гетеродинный	8
ФЭПП иммерсионный	9
ФЭПП координатный	7
ФЭПП многоспектральный	4
ФЭПП многоэлементный	6
ФЭПП одноэлементный	5
ФЭПП охлаждаемый	20
характеристика вольтамперная	158
характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП температурная	192
характеристика дрейфа нулевой точки температурная	192
характеристика координатная	195
характеристика координатного ФЭПП координатная	195
характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая	165
характеристика люксамперная	170
характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая	167
характеристика напряжения фотосигнала энергетическая	167
характеристика напряжения шума вольтовая	163
характеристика напряжения шума температурная	189
характеристика напряжения шума фоновая	181
характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая	163
характеристика напряжения шума ФЭПП температурная	189
характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая	181
характеристика нормированная переходная	193
характеристика нормированная переходная обратная	194
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот температурная	190
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот фоновая	182
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная	190
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая	182
характеристика светового сопротивления температурная	184
характеристика светового сопротивления фоновая	178
характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная	184
характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая	178
характеристика сигнальная	173
характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая	168
характеристика темнового сопротивления температурная	185
характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная	185
характеристика темнового тока температурная	186
характеристика темнового тока ФЭПП температурная	186
характеристика тока шума вольтовая	162
характеристика тока шума температурная	188
характеристика тока шума фоновая	180
характеристика тока шума ФЭПП вольтовая	162
характеристика тока шума ФЭПП температурная	188
характеристика тока шума ФЭПП фоновая	180
характеристика удельной обнаружительной способности вольтовая	164
характеристика удельной обнаружительной способности температурная	191
характеристика удельной обнаружительной способности фоновая	183
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая	164
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная	191
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая	183
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная	177
характеристика удельной обнаружительной способности частотная	177
характеристика фоторезистора люксомическая	169
характеристика фототока ФЭПП энергетическая	166
характеристика фототока энергетическая	166
характеристика фототранзистора вольтамперная входная	159
характеристика фототранзистора вольтамперная выходная	160
характеристика фототранзистора энергетическая входная	171
характеристика фототранзистора энергетическая выходная	172
характеристика ФПУ сигнальная	173
характеристика ФЭПП вольтамперная	158
характеристика ФЭПП люксамперная	170
характеристика ФЭПП нормированная переходная	193
характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная	194
характеристика ФЭПП сигнальная	173
характеристика чувствительности вольтовая	161
характеристика чувствительности спектральная	155
характеристика чувствительности спектральная абсолютная	156
характеристика чувствительности спектральная относительная	157
характеристика чувствительности температурная	187
характеристика чувствительности угловая	198
характеристика чувствительности фоновая	179
характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая	161
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная	155
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная	156
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная	157
характеристика чувствительности ФЭПП температурная	187
характеристика чувствительности ФЭПП угловая	198
характеристика чувствительности ФЭПП фоновая	179
характеристика чувствительности ФЭПП частотная	174
характеристика чувствительности частотная	174
частота предельная	98
частота ФЭПП предельная	98
число элементов	101
число элементов ФЭПП	101
чувствительность	67
чувствительность вольтовая	72
чувствительность дифференциальная	76
чувствительность импульсная	77
чувствительность интегральная	73
чувствительность к облученности	70
чувствительность к освещенности	70
чувствительность к потоку излучения	68
чувствительность к световому потоку	69
чувствительность монохроматическая	74
чувствительность статическая	75
чувствительность токовая	71
чувствительность фототранзистора вольтовая	129
чувствительность фототранзистора токовая	128
чувствительность ФЭПП	67
чувствительность ФЭПП вольтовая	72
чувствительность ФЭПП дифференциальная	76
чувствительность ФЭПП импульсная	77
чувствительность ФЭПП интегральная	73
чувствительность ФЭПП к облученности	70
чувствительность ФЭПП к освещенности	70
чувствительность ФЭПП к потоку излучения	68
чувствительность ФЭПП к световому потоку	69
чувствительность ФЭПП монохроматическая	74
чувствительность ФЭПП статическая	75
чувствительность ФЭПП токовая	71
шаг элементов	102
шаг элементов ФЭПП	102
элемент фоточувствительный дефектный	52
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный	46
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный	42
элемент ФЭПП иммерсионный	46
ЭШРТ	86
pin-фотодиод	12

Алфавитный указатель эквивалентов терминов

на английском языке

absolute spectral response characteristic

156

angular field of view

avalanche mode of photodiode operation

avalanche photodiode

back-biased operation mode

background limited mode

bad pixel

base dark current of a phototransistor

115

base photocurrent of a phototransistor

122

base total current of a phototransistor

125

base voltage of a phototransistor

108

bias detectivity characteristic

164

bias multiplication factor characteristic

165

bias noise current characteristic

162

bias noise voltage characteristic

163

bias voltage response characteristic

161

bipolar phototransistor

BLIP

breakdown voltage of a photodiode

camera

camera module

capacitance

collector - base breakdown voltage of a phototransistor

110

collector - base dark current of a phototransistor

117

collector - base total current of a phototransistor

127

collector dark current of a phototransistor

113

collector - emitter dark current of a phototransistor

116

collector - emitters breakdown voltage of a phototransistor

109

collector - emitter total current of a phototransistor

126

collector photocurrent of a phototransistor

120

collector total current of a phototransistor

123

collector voltage of a phototransistor

106

cooldown time

153

cooled photodetector

cooled photoreceiving device

coordinate characteristic

195

critical radiation power

144

current responsivity of a photodetector

current responsivity of a phototransistor

128

current-voltage characteristic

158

cut-off frequency

dark current

dark current multiplication factor of an avalanche photodiode

136

dark current-temperature characteristic

186

dark current unstability

148

dark resistance

dark resistance-temperature characteristic

185

dead pixel

decay time

defective pixel

detectivity

differential electrical resistance

differential responsivity

differential slope characteristic

132

dynamic range

145

effective photosensitive area

effective weighted solid angle

element spacing

103

emitter - base breakdown voltage of a phototransistor

111

emitter - base dark current of a phototransistor

118

emitter - collector breakdown voltage of a phototransistor

112

emitter - collector dark current of a phototransistor

119

emitter dark current of a phototransistor

114

emitter photocurrent of a phototransistor

121

emitter total current of a phototransistor

124

emitter voltage of a phototransistor

107

exposure time

199

field effect phototransistor

floating-base mode of phototransistor operation

frequency response characteristic

174

gain of an injection photodiode

140

heterodyne photodetector

heterodyne reception mode of photodetector operation

heterojunction photodiode

hybrid photoreceiving device

illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor

illumination responsivity

image forming delay

200

immersed photodetector

independent operating time

154

injection photodiode

input current-voltage characteristic

159

input energy characteristic of a phototransistor

171

insulating strength

integration time

199

irradiance responsivity responsivity

light unstability

151

linear area characteristic

131

long wavelength limit

luminous flux responsivity

matched impedance mode of photodetector operation

maximum admissible power dissipation

143

maximum admissible voltage

monochromatic responsivity

monolictical photoreceiving device

multi-band photodetector

multi-band photoreceiving device

multi-element photodetector

multi-element photoreceiving device with internally commutation

multi-element photoreceiving device with separate channels

NEP-background radiant flux characteristic

182

NEP-temperature characteristic

190

NETD

noise current

noise current-background radiant flux characteristic

180

noise current spectrum

175

noise current-temperature characteristic

188

noise equivalent power

noise equivalent power of the background limited infrared photodetector

noise equivalent temperature difference

noise voltage

noise voltage spectrum

176

noise voltage-temperature characteristic

189

normalized inverse transfer characteristic

194

normalized transfer characteristic

193

number of elements

101

open-circuit mode of photodetector operation

operating voltage

noise voltage-background radiant flux characteristic

181

operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode

138

operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode

139

optical generation mode

optical generation mode temperature

152

output current-voltage characteristic

160

output energy characteristic of a phototransistor

172

output impedance

135

peak spectral response wavelength

photoconductive cell

photocurrent

photocurrent gain factor of a phototransistor

130

photocurrent-illuminance characteristic

170

photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode

137

ИС МЕГАНОРМ: примечание.

Абзац дан в соответствии с официальным текстом документа.

photocurrent radiant flux characteristic photocurrent radiant flux characteristic

166

photocurrent temperature coefficient

150

photodetector

photodetector aperture stop

photodetector cold-stop

photodetector film base

photodetector input window

photodetector optical immersion element

photodetector package

photodetector pin

photodetector pixel

photodetector sensitive element

photodetector terminal

photodiode

photoelectric coupling coefficient

104

photoelectric semiconducting detector

photoelectric signal current

photoelectric signal voltage

photoelectric signal voltage radiant flux characteristic

167

photoreceiving device

photoreceiving device channel

photoreceiving device output

photoresistor

photosensitive semiconductor device

photosensitive semiconductor scanistor

phototransistor

photovoltaic mode of photodiode operation

pin-photodiode

pitch of elements

102

position-sensitive photodetector

pulse responsivity

radiant flux responsivity

radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor

168

readout integrated circuit

relative gain of an injection photodiode

141

relative spectral response characteristic

157

resistance-illuminance characteristic of a photoresistor

169

resistance under illumination

resistance under illumination-background radiant flux characteristic

178

resistance under illumination-temperature characteristic

184

resistance unstability coefficient

147

response unstability

149

responsivity

responsivity-background radiant flux characteristic

179

responsivity directional distribution

198

responsivity surface distribution

197

responsivity-temperature characteristic

187

rise time

ROIC

Schottky-barrier photodiode

series resistance of the photodiode

100

set-up time of the normalized transfer characteristic

short-circuit mode of photodetector operation

short-wavelength limit

signal characteristic

173

single-element photodetector

single-element photoreceiving device

spacing response non-uniformity

146

specific detectivity

specific detectivity-background radiant flux characteristic

183

specific detectivity frequency dependence

177

specific detectivity-temperature characteristic

191

specific noise equivalent power

spectral response

155

spectral sensitivity range

spread of parameter values

105

static resistance

static responsivity

static slope characteristic

133

TDI

thermal generation mode

time-delay integration photoreceiving device mode

time drift of zero point

196

total current

total power dissipation

142

total responsivity

unit frequency bandwidth noise equivalent power

voltage responsivity of a photodetector

voltage responsivity of a phototransistor

129

zero-bias mode of photodiode operation

zero bias resistance of a photodiode

zero drift

196

zero drift-temperature characteristic

192

zero point

134

Алфавитный указатель буквенных обозначений

динамический диапазон ФЭПП

145

Ф_крит

критическая мощность излучения ФЭПП

144

Ф_п

P_min,

порог чувствительности ФЭПП, ФПУ

Ф*_п

NEP*

удельный порог чувствительности ФЭПП

P_BLIP

радиационный порог чувствительности ФЭПП

Ф_п1

NEP

порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

Ф_п1(Т)

температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП

190

Ф_п1(Ф)

фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

182

A_эфф

A_eff

эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

емкость ФЭПП

обнаружительная способность ФЭПП

удельная обнаружительная способность ФЭПП

D*(f)

частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

177

D*(Т)

D*(Т)

температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

191

D*(U)

вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

164

D*(Ф)

D*(P)

фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

183

f₀

f_g

предельная частота ФЭПП

шаг элементов ФЭПП

102

h₀(t)

переходная нормированная характеристика ФЭПП

193

h₀'(t)

обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

194

вольтовая чувствительность фототранзистора

129

токовая чувствительность фототранзистора

128

I_общ

I_tot

общий ток ФЭПП

I_с

I_s

ток фотосигнала ФЭПП

I_Т

I_d

темновой ток ФЭПП

I_T(Т)

I_d(T)

температурная характеристика темнового тока ФЭПП

186

I_ф

I_p

фототок ФЭПП

I_ш

I_n

ток шума ФЭПП

I_CBH

общий ток коллектор - база фототранзистора

127

I_CBO

темновой ток коллектор - база фототранзистора

117

I_EBO

темновой ток эмиттер - база фототранзистора

118

I_ECO

темновой ток эмиттер - коллектор фототранзистора

119

I_CEO

темновой ток коллектор - эмиттер фототранзистора

116

I_CEH

общий ток коллектор - эмиттер фототранзистора

126

I_BE, I_BB, I_BC

общий ток базы фототранзистора

125

I_EE, I_EB, I_EC

общий ток эмиттера фототранзистора

124

I_EEO, I_EBO, I_ECO

темновой ток эмиттера фототранзистора

114

I_EEH, I_EBH, I_ECH

фототок эмиттера фототранзистора

121

I_BEH, I_BBH, I_BCH

фототок базы фототранзистора

122

I_BEO, I_BBH, I_BCO

темновой ток базы фототранзистора

115

I_CEO, I_CBO, I_CCO

темновой ток коллектора фототранзистора

113

I_CEH, I_CBH, I_CCH

фототок коллектора фототранзистора

120

I_CE, I_CB, I_CC

общий ток коллектора фототранзистора

123

нестабильность темнового тока ФЭПП

148

I(U)

вольтамперная характеристика ФЭПП

158

I_вх(U)

I_in(U)

входная вольтамперная характеристика фототранзистора

159

I_вых(U)

I₀(U)

выходная вольтамперная характеристика фототранзистора

160

I_вых(Ф)

выходная энергетическая характеристика фототранзистора

172

I_ф(E)

I_ph(E)

люксамперная характеристика ФЭПП

170

I_ф(Ф)

I_ph(P)

энергетическая характеристика фототока ФЭПП

166

I_ш(f)

I_n(f)

спектр тока шума ФЭПП

175

I_ш(Т)

I_n(T)

температурная характеристика тока шума ФЭПП

188

I_ш(U)

I_n(U)

вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

162

I_ш(Ф)

I_n(P)

фоновая характеристика тока шума ФЭПП

180

коэффициент усиления инжекционного фотодиода

140

K_уф

коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

130

K_фс

K_c

коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

104

K_у

коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

141

межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

103

M_Т

M_d

коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

136

M_ф

M_ph

коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

137

M_Т(U), M_ф(U)

M_d(U), M_ph(U)

вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода

165

число элементов ФЭПП

101

P_tot

рассеиваемая мощность ФЭПП

142

R_вых

R₀

выходное сопротивление координатного ФЭПП

135

R_Д

R_d

дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

R_Е

R_E, R_H

световое сопротивление ФЭПП

R_E(E)

R_E(E), R_H(E)

люксомическая характеристика фоторезистора

169

R_E(Т)

R_E(T), R_H(T)

температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

184

R_E(Ф)

R_E(P), R_H(P)

фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

178

R_посл

R_S

последовательное сопротивление фотодиода

100

R_С

R_s

статическое сопротивление ФЭПП

R_с(Ф)

R_s(P)

энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

168

R_Т

R_d

темновое сопротивление ФЭПП

R_T(Т)

температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП

185

P_max

максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

143

R₀

сопротивление фотодиода при нулевом смещении

нестабильность сопротивления ФЭПП

147

чувствительность ФЭПП

абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

156

S_д

S_d

дифференциальная чувствительность ФЭПП

S_дифф

дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП

132

S_E

чувствительность ФЭПП к освещенности

S_E_Э

чувствительность ФЭПП к облученности

S_имп

S_p

импульсная чувствительность ФЭПП

S_инт

S_int

интегральная чувствительность ФЭПП

относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

157

S_ст

S_st

статическая чувствительность ФЭПП

S_стат

статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП

133

S_ФПУ(t_нак)

сигнальная характеристика

173

S_Ф

чувствительность ФЭПП к световому потоку

S_ФЭ

чувствительность ФЭПП к потоку излучения

S_I

токовая чувствительность ФЭПП

S_U

S_v

вольтовая чувствительность ФЭПП

монохроматическая чувствительность ФЭПП

S(f)

частотная характеристика чувствительности ФЭПП

174

S(Т)

S(T)

температурная характеристика чувствительности ФЭПП

187

S(U)

вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

161

S(x, y)

распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП

197

угловая характеристика чувствительности ФЭПП

198

спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

155

S(Ф)

S(P)

фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

179

неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП

146

t_вых

t_cd

время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

153

t_задерж

t_delay

время задержки фотоотклика при формировании изображения

200

ИС МЕГАНОРМ: примечание.

Стандартизованное буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа.

t_знак

t_i

время накопления [экспозиции]

199

время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

154

U_вх(Ф), I_вх(Ф)

входная энергетическая характеристика фототранзистора

171

U_вых(X)

координатная характеристика координатного ФЭПП

195

U_из

U_i

электрическая прочность изоляции ФЭПП

U_пр

U_BR

пробивное напряжение фотодиода

U_р

U_op

рабочее напряжение ФЭПП

U_с

U_s

напряжение фотосигнала ФЭПП

U_с(Ф)

U_s(P)

энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

167

U_ш

U_n

напряжение шума ФЭПП

U_ш(f)

U_n(f)

спектр напряжения шума ФЭПП

176

U_ш(Т)

U_n(T)

температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

189

U_ш(Ф)

U_n(P)

фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

181

U_max

максимально допустимое напряжение ФЭПП

U_{BR CDO}

пробивное напряжение коллектор - база фототранзистора

110

U_{BR EBO}

пробивное напряжение эмиттер - база фототранзистора

111

U_{BR ECO}

пробивное напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора

112

U_{BR CEO}

пробивное напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора

109

U_CB, U_CE

напряжение на коллекторе фототранзистора

106

U_EB, U_EC

напряжение на эмиттере фототранзистора

107

U_BE, U_BC

напряжение на базе фототранзистора

108

U_ш(U)

U_n(U)

вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

163

точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

138

нестабильность чувствительности ФЭПП

149

X₀

нулевая точка координатного ФЭПП

134

ИС МЕГАНОРМ: примечание.

Стандартизованное буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа.

X(Т)

X₀(T)

температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП

192

X₀(t)

координатная характеристика координатного ФЭПП

196

температурный коэффициент фототока ФЭПП

150

температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

139

наклон люксомической характеристики фоторезистора

разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

105

длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

область спектральной чувствительности ФЭПП

световая нестабильность ФЭПП

151

время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k

t_r

время нарастания ФЭПП

t_f

время спада ФЭПП

линейная зона координатной характеристики координатного ФЭПП

131

плоский угол зрения ФЭПП

эффективное поле зрения ФЭПП

Приложение А

(справочное)

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ, НЕОБХОДИМЫХ

ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА

А.1 электромагнитное излучение: Процесс испускания электромагнитных волн. Примечание - Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.	electromagnetic radiation
А.2 оптическое излучение: Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10^-9 - 10^-3 м. Примечание - В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучают оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем.	optical radiation
А.3 ультрафиолетовое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10^-9 - 4·10^-7 м.	ultraviolet radiation
А.4 видимое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10^-7 - 7,6·10^-7 м.	visible radiation
А.5 инфракрасное излучение; ИК: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10^-7 - 10^-7 м. Примечание - Инфракрасное излучение разделяют на поддиапазоны: - ближний ИК диапазон 7,6·10^-7 - 10^-6 м; - коротковолновый ИК диапазон 10^-6 - 2,5·10^-6 м; - средневолновый ИК диапазон 3·10^-6 - 5·10^-6 м; - длинноволновый ИК диапазон 8·10^-6 - 1,4·10^-5 м.	infrared radiation; IR
А.6 равновесное излучение: Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии.	equilibrium radiation
А.7 немодулированное излучение: Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения.	unmodulated emission
А.8 модулированное излучение: Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов.	modulated radiation
А.9 фотоэлектрический эффект; фотоэффект: Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов.	photoelectric effect; photoeffect
А.10 внутренний фотоэлектрический эффект; внутренний фотоэффект: Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов.	internal photoelectric effect; internal photoeffect
А.11 эффект проводимости: Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом.	conduction effect
А.12 фотогальванический эффект: Возникновение электродвижущей силы (ЭДС) в электронно-дырочном переходе или тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. Примечание - Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения.	photovoltaic effect
А.13 фотопроводимость: Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.	photoconductivity
А.14 собственная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.	intrinsic photoconductivity
А.15 примесная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения.	impurity photoconductivity
А.16 фотоэлектродвижущая сила; фото-ЭДС: Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на p - n переходе под действием оптического излучения.	photoelectromotive force
А.17 фотосигнал: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание - Данный термин применим к ФЭПП и ФПУ первого поколения.	photosignal
А.18 фотоотклик: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание - Данный термин применим к ФПУ второго и последующих поколений.	photoresponse

УДК 535.247.4.089.5:006.354	ОКС 31.080.01
Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения