СПРАВКА
Источник публикации
М.: Стандартинформ, 2010
Примечание к документу
С 01.07.2003 до вступления в силу технических регламентов акты федеральных органов исполнительной власти в сфере технического регулирования носят рекомендательный характер и подлежат обязательному исполнению только в части, соответствующей целям, указанным в п. 1 ст. 46 Федерального закона от 27.12.2002 N 184-ФЗ.
Документ введен в действие с 01.07.1974.
Взамен ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы.
Название документа
"ГОСТ 2.730-73. Межгосударственный стандарт. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые"
(утв. и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР от 16.08.1973 N 2002)
(ред. от 01.07.1991)
"ГОСТ 2.730-73. Межгосударственный стандарт. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые"
(утв. и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР от 16.08.1973 N 2002)
(ред. от 01.07.1991)
Постановлением
Государственного комитета
стандартов Совета Министров СССР
от 16 августа 1973 г. N 2002
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
ГОСТ 2.730-73
Список изменяющих документов (в ред. Изменения N 1, утв. в июле 1980 г., Изменения N 2, утв. в апреле 1987 г., Изменения N 3, утв. в марте 1989 г., Изменения N 4, утв. в июле 1991 г.) |
Группа Т52
МКС 01.080.40
Дата введения
1 июля 1974 года
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002
3. Соответствует СТ СЭВ 661-88
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. N 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. N 2). | |
2. Электроды: | |
база с одним выводом |  |
база с двумя выводами |  |
P-эмиттер с N-областью |  |
N-эмиттер с P-областью |  |
несколько P-эмиттеров с N-областью |  |
несколько N-эмиттеров с P-областью |  |
коллектор с базой |  |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |  |
3. Области: | |
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью |  |
Переход от P-области к N-области и наоборот | |
область собственной электропроводности (I-область): | |
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |  |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |  |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |  |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |  |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: | |
обогащенного типа |  |
обедненного типа |  |
5. Переход PN |  |
6. Переход NP |  |
7. P-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |  |
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип |  |
9. Затвор изолированный |  |
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |  |
11. Выводы полупроводниковых приборов: | |
электрически не соединенные с корпусом |  |
электрически соединенные с корпусом |  |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |  |
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
--------------------------------
<*> Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный | |
а) прямой |  |
б) обращенный |  |
2. Эффект лавинного пробоя: | |
а) односторонний |  |
б) двухсторонний |  |
3 - 8. (Исключены, Изм. N 2) | |
9. Эффект Шоттки |  |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод | |
Общее обозначение |  |
2. Диод туннельный |  |
3. Диод обращенный |  |
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) | |
а) односторонний |  |
б) двухсторонний |  |
5. Диод теплоэлектрический |  |
6. Варикап (диод емкостный) |  |
7. Диод двунаправленный |  |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |  |
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |  |
9. Диод Шотки |  |
10. Диод светоизлучающий |  |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |  |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |  |
3. Тиристор диодный симметричный |  |
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |  |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: | |
по аноду |  |
по катоду |  |
6. Тиристор триодный выключаемый: | |
общее обозначение |  |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |  |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |  |
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: | |
общее обозначение |  |
с управлением по аноду |  |
с управлением по катоду |  |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак |  |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |  |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор | |
а) типа PNP |  |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |  |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |  |
3. Транзистор лавинный типа NPN |  |
4. Транзистор однопереходный с N-базой |  |
5. Транзистор однопереходный с P-базой |  |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |  |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |  |
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |  |
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |  |
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N |  |
2. Транзистор полевой с каналом типа P |  |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: | |
а) обогащенного типа с P-каналом |  |
б) обогащенного типа с N-каналом |  |
в) обедненного типа с P-каналом |  |
г) обедненного типа с N-каналом |  |
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |  |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с P-каналом |  |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с P-каналом с выводом от подложки |  |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |  |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |  |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: | |
а) общее обозначение |  |
б) дифференциальный |  |
2. Фотодиод |  |
3. Фототиристор |  |
4. Фототранзистор: | |
а) типа PNP |  |
б) типа NPN |  |
5. Фотоэлемент |  |
6. Фотобатарея |  |
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10.
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный |  |
2. Оптрон тиристорный |  |
3. Оптрон резисторный |  |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
а) совмещенно |  |
б) разнесенно |  |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: | |
а) с выводом от базы |  |
б) без вывода от базы |  |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла | |
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |  |
2. Резистор магниточувствительный |  |
3. Магнитный разветвитель |  |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |
а) развернутое изображение |  |
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) |  |
Примечание. К выводам 1 - 2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3 - 4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. | |
Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. | |
Пример применения условного графического обозначения на схеме |  |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |  |
3. Диодная матрица (фрагмент) |  |
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |  |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод |  |  |
 |  | |
3. Транзистор типа NPN |  |  |
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |  |  |
 |  |
Примечание к пп. 2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. N 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. N 4).
Справочное
ОСНОВНЫХ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
Наименование | Обозначение |
1. Диод |  |
2. Тиристор диодный | |
3. Тиристор триодный |  |
4. Транзистор |  |
5. Транзистор полевой | |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |  |
Приложение 2. (Введено дополнительно, Изм. N 3).