Главная // Актуальные документы // ГОСТ (Государственный стандарт)
СПРАВКА
Источник публикации
М.: Стандартинформ, 2017
Примечание к документу
Документ введен в действие с 01.09.2018.
Название документа
"ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017. Межгосударственный стандарт. Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Методы определения поверхностного сопротивления"
(введен в действие Приказом Росстандарта от 23.11.2017 N 1822-ст)

"ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017. Межгосударственный стандарт. Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Методы определения поверхностного сопротивления"
(введен в действие Приказом Росстандарта от 23.11.2017 N 1822-ст)


Содержание


Введен в действие
Приказом Федерального
агентства по техническому
регулированию и метрологии
от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРОИЗВОДСТВО НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
КОНТРОЛЬ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ЧАСТЬ 2-1
МАТЕРИАЛЫ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК.
МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
Nanomanufacturing. Key control characteristics. Part 2-1.
Carbon nanotubes materials. Methods of determining
the sheet resistance
(IEC/TS 62607-2-1:2012, Nanomanufacturing -
Key control characteristics - Part 2-1: Carbon
nanotube materials - Film resistance, IDT)
ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017
МКС 07.030
Дата введения
1 сентября 2018 года
Предисловие
Цели, основные принципы и основной порядок проведения работ по межгосударственной стандартизации установлены в ГОСТ 1.0-2015 "Межгосударственная система стандартизации. Основные положения" и ГОСТ 1.2-2015 "Межгосударственная система стандартизации. Стандарты межгосударственные, правила и рекомендации по межгосударственной стандартизации. Правила разработки, принятия, обновления и отмены"
Сведения о стандарте
1 ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием "Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении" (ФГУП "ВНИИНМАШ") на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии документа, указанного в пункте 5
2 ВНЕСЕН Межгосударственным техническим комитетом по стандартизации МТК 441 "Нанотехнологии"
3 ПРИНЯТ Межгосударственным советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол от 30 августа 2017 г. N 102-П)
За принятие проголосовали:
Краткое наименование страны по МК (ИСО 3166) 004-97
Код страны по МК (ИСО 3166) 004-97
Сокращенное наименование национального органа по стандартизации
Беларусь
BY
Госстандарт Республики Беларусь
Киргизия
KG
Кыргызстандарт
Россия
RU
Росстандарт
Таджикистан
TJ
Таджикстандарт
Узбекистан
UZ
Узстандарт
Украина
UA
Минэкономразвития Украины
4 Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст межгосударственный стандарт ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017 введен в действие в качестве национального стандарта Российской Федерации с 1 сентября 2018 г.
5 Настоящий стандарт идентичен международному документу IEC/TS 62607-2-1:2012 "Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Сопротивление пленки" ("Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 2-1: Carbon nanotube materials - Film resistance", IDT).
Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ 1.5 (подраздел 3.6).
Международный документ разработан техническим комитетом по стандартизации ISO/TC 229 "Нанотехнологии" Международной организации по стандартизации (ISO).
Настоящий стандарт подготовлен на основе применения ГОСТ Р 56189-2014/IEC/TS 62607-2-1:2012 <*>
--------------------------------
<*> Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст ГОСТ Р 56189-2014/IEC/TS 62607-2-1:2012 отменен с 1 сентября 2018 г.
6 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном информационном указателе "Национальные стандарты" (по состоянию на 1 января текущего года), а текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
В настоящее время существуют два основных направления в изготовлении новых материалов, включая производство углеродных нанотрубок, с учетом их последующего применения в качестве:
a) проводниковых композиционных материалов в дисплеях с полевой эмиссией, гибких дисплеях, печатной электронике;
b) нанокомпозиционных материалов с особенными механическими свойствами (например, показатели предела прочности и модуля упругости при растяжении у них значительно выше, чем у обычных материалов).
Настоящий стандарт распространяется на материалы из углеродных нанотрубок, применяемые в качестве проводниковых композиционных материалов [см. a)] в электронной промышленности.
Возможность определить электрические характеристики материалов из углеродных нанотрубок имеет важное значение как для изготовителей, так и для потребителей. Для этих целей должны быть установлены стандартные методы измерений.
В настоящем стандарте установлены методы измерений для определения электрических характеристик материалов из углеродных нанотрубок, которые можно применять и для проводниковых композиционных материалов.
1 Область применения
Настоящий стандарт является частью серии стандартов IEC 62607 и устанавливает методы измерений для определения поверхностного сопротивления материалов из углеродных нанотрубок (УНТ). Применение установленных в настоящем стандарте методов позволит потребителю сопоставлять результаты измерений электрических характеристик материалов из УНТ различных партий, поставляемых одним или несколькими изготовителями, и выбирать материал, пригодный для изготовления конечной продукции. Корреляция между значениями характеристик, полученных с помощью данных методов, и значениями соответствующих характеристик материалов из УНТ должна быть установлена в стандартах или технических условиях на конкретные виды УНТ.
Пример практического применения установленных в настоящем стандарте методов измерений приведен в справочном приложении A.
2 Термины, определения, обозначения и сокращения
Терминологию в области нанотехнологий разрабатывают в Объединенной рабочей группе 1 (ОРГ 1) ISO/TC 229 "Нанотехнологий" и IEC/TC 113 "Стандартизация нанотехнологий для электротехнической, электронной продукции и систем". Стандарты на термины и определения в области нанотехнологий опубликованы в виде отдельных частей ISO/TS 80004. В настоящем стандарте применены термины и определения из опубликованных частей ISO/TS 80004 и научной литературы.
2.1 Термины и определения
В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:
2.1.1
одностенная углеродная нанотрубка; ОУНТ (single-wall carbon nanotube): Углеродная нанотрубка, состоящая из одного цилиндрического слоя графена.
Примечание - Структуру ОУНТ можно представить в виде листа графена, свернутого в цилиндрическую сотовую структуру.
[ISO/TS 80004-3:2010, статья 4.4]
2.1.2
многостенная углеродная нанотрубка; МУНТ (multiwall carbon nanotube): Углеродная нанотрубка, состоящая из вложенных друг в друга концентрических или почти концентрических слоев графена с межслоевыми расстояниями, аналогичными межслоевым расстояниям в графите.
Примечание - МУНТ представляет собой множество вложенных друг в друга одностенных углеродных нанотрубок цилиндрической формы в случае малого диаметра и стремящихся к многоугольному сечению по мере увеличения диаметра.
[ISO/TS 80004-3:2010, статья 4.6]
2.1.3 пленка из УНТ (CNT film): Пленка из ОУНТ и/или МУНТ, полученная неразрушающими методами, например методом вакуумной фильтрации и др. (см. рисунок 1).
a - процесс диспергирования;
b - прибор вакуумного фильтрования; c - УНТ-пленка
Рисунок 1 - Процесс получения УНТ-пленок
2.1.4 поверхностное сопротивление пленки Rs (sheet resistance, Rs): Величина сопротивления пленки, имеющей равномерную номинальную толщину.
Примечания
1 Значение поверхностного сопротивления Rs двумерных (x-y) пленок, имеющих прямоугольную форму (форму ленты), определяют по формуле Rs = R/(L/w), где R - значение сопротивления (R = U/I), L - расстояние между соседними зондами, расположенными параллельно и применяемыми для измерения напряжения, U; w - длина этих зондов (длина зондов соответствует ширине измеряемого образца). Электрический ток I должен протекать вдоль, а не перпендикулярно поверхности образца (см. рисунок 4). Соотношение L/w - соотношение сторон поверхности измеряемого образца. Для целей настоящего стандарта единица измерения поверхностного сопротивления пленок Rs будет выражена в омах, Ом, с учетом соотношения L/w.
2 См. библиографию [1] - [4].
2.1.5 вольт-амперная характеристика (I-V characteristic): Зависимость электрического напряжения от электрического тока, представленная в виде диаграммы или графика.
2.1.6 четырехзондовый метод измерения (4-probe measurement): Метод измерения удельного электрического сопротивления материала, в котором сопротивления зондов не влияют на точность измерений.
Примечание - Метод основан на измерении напряжения между двумя внутренними зондами при пропускании электрического тока определенной величины через два внешних зонда и вычислении удельного электрического сопротивления. Зонды должны быть размещены на поверхности испытуемого образца вдоль прямой линии. Кроме того, следует учитывать, что на результаты измерений могут влиять размеры и форма образца [3], [4].
2.1.7 четырехэлектродный метод измерения (4-wire measurement): Тип четырехзондового метода измерения (2.1.6), в котором в качестве зонда применяют проволочный электрод.
2.1.8 четырехточечный метод измерения (4-point measurement): Тип четырехзондового метода измерения (2.1.6), в котором в качестве зонда применяют проволочный электрод с заостренным концом (точечный зонд).
Примечание - Четырехточечный метод применяют для измерений поверхностного сопротивления пленок, ширина которых превышает расстояние между зондами.
2.2 Обозначения и сокращения
ДМФ (DMF) - диметилформамид;
ДХЭ (DCE) - дихлорэтан;
ПВДФ (PVDF) - поливинилиденфторид;
ТГФ (THF) - тетрагидрофуран.
3 Подготовка образцов
3.1 Общие требования
Образцами для испытаний являются материалы из УНТ [одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) или многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ)] в виде пленок (далее - УНТ-пленки) или гранул, изготовленных из порошкообразных материалов [5], [6]. Рекомендуется в качестве образцов применять УНТ-пленки, так как при использовании образцов в виде гранул возможно возникновение деформации и изменений свойств УНТ.
Образцы должны представлять собой пленку равномерной толщины и иметь достаточную для выполнения измерений площадь поверхности (см. 3.3). Для получения УНТ-пленок равномерной толщины следует применять соответствующий диспергатор и использовать установленное в 3.3 количество материала из УНТ (ОУНТ или МУНТ).
Допускается изготавливать образцы в виде УНТ-пленок, имеющих форму ленты (далее - УНТ-ленты).
3.2 Материалы
3.2.1 Материалы из углеродных нанотрубок
Для проведения испытаний образцы изготавливают из материалов из УНТ (ОУНТ или МУНТ), не подлежащих дополнительной обработке.
3.2.2 Диспергаторы
Для изготовления образцов в качестве диспергатора применяют ТГФ. Допускается применять другие диспергаторы: ДМФ, этиловый спирт или 1,2-дихлорэтан (1,2-ДХЭ) [7], [8].
Преимущества ТГФ:
- получение суспензий с равномерно распределенными УНТ;
- минимизация повреждений поверхности УНТ во время обработки ультразвуком;
- легкое удаление после формирования пленки.
С целью минимизации загрязнений УНТ следует применять диспергаторы с содержанием основного вещества не менее 99,8%.
Результаты сравнения свойств диспергаторов при подготовке образцов приведены в таблице A.1 приложения A.
3.3 Получение УНТ-пленок
Сначала осуществляют процесс диспергирования: помещают 2 мг материала из УНТ (ОУНТ или МУНТ) в 20 мл ТГФ и проводят обработку ультразвуком (в ультразвуковой ванне, частота ультразвука - 40 кГц) в течение 30 мин. при температуре 25 °C. Полученную дисперсную систему (суспензию) в приборе вакуумного фильтрования пропускают через мембрану из ПВДФ диаметром 25 мм и размерами пор не более 220 нм. Образовавшуюся на поверхности мембраны тонкую пленку высушивают в течение 12 ч при температуре 80 °C. Полученная УНТ-пленка должна иметь форму круга диаметром не менее 18 мм и толщиной 50 мкм с отклонением +/- 1 мкм (см. A.2 и A.3 приложения A). На рисунке 1 представлен процесс получения УНТ-пленок.
3.4 Получение УНТ-лент
Из УНТ-пленки с помощью антистатического режущего инструмента вырезают УНТ-ленту размером от 1 до 2 мм шириной и около 10 мм длиной.
4 Методы измерений
4.1 Четырехточечный метод измерения
4.1.1 Условия проведения измерений
В процессе подготовки образцов и проведения измерений должны быть обеспечены условия, сохраняющие форму и плоскостность УНТ-пленок.
4.1.2 Проведение измерений
Измерения выполняют с помощью установки с измерительной четырехзондовой головкой. Измерительная установка должна быть аттестована или поверена в установленном порядке. Для измерения напряжения применяют прибор с высоким значением полного входного сопротивления.
Схема измерительной установки и фотография измерительной четырехзондовой головки представлены на рисунке 2. Четырехзондовая измерительная головка должна иметь четыре одинаковых точечных зонда, изготовленных из металлов платиновой группы, с одинаковым радиусом острия. Зонды должны быть расположены на одной прямой. Расстояние между зондами - 1 мм.
a - схема измерительной установки: S - расстояние
между зондами, A - источник постоянного тока, V - прибор
для измерения электрического напряжения; b - фотография
измерительной четырехзондовой головки
Рисунок 2 - Схема измерительной установки и фотография
измерительной четырехзондовой головки
На образец с неизвестным сопротивлением подают постоянный ток, значение которого должно быть установлено в стандартах или технических условиях на конкретные виды УНТ, через два внешних зонда, подключенных к источнику тока, и измеряют напряжение между двумя внутренними зондами (см. рисунок 2 a). Во избежание повреждения образца во время проведения измерений значение электрического тока должно быть не более 1 мкА.
Поверхностное сопротивление образца определяют в соответствии с 5.1.
На рисунке 3 представлена фотография установки с измерительной четырехзондовой головкой. УНТ-пленка расположена на предметном столике, регулируемом по высоте. На поверхность УНТ-пленки опущены четыре зонда. Наличие соприкосновения зондов с поверхностью образца проверяют с помощью оптического микроскопа.
Рисунок 3 - Фотография установки
с измерительной четырехзондовой головкой
4.2 Четырехэлектродный метод измерения
4.2.1 Условия проведения измерений
В процессе подготовки образцов и проведения измерений должны быть обеспечены условия, сохраняющие форму и плоскостность УНТ-лент.
4.2.2 Проведение измерений
Схема проведения измерений четырехэлектродным методом представлена на рисунке 4.
L - расстояние между соседними зондами;
t - толщина УНТ-ленты; w - ширина УНТ-ленты
Рисунок 4 - Схема проведения измерений
четырехэлектродным методом
Четыре зонда, изготовленных из платины, диаметром 0,1 мм устанавливают на подложке из электроизоляционного материала параллельно на расстоянии 3 мм друг от друга. Перпендикулярно к зондам помещают образец. Во избежание повреждения образца во время проведения измерений значение электрического тока должно быть не более 1 мкА.
Поверхностное сопротивление образца определяют в соответствии с 5.2.
5 Обработка результатов
5.1 Определение поверхностного сопротивления УНТ-пленок
Поверхностное сопротивление УНТ-пленок Rs, Ом, определяемое с применением четырехточечного метода измерений, вычисляют по формуле
(1)
где Rs - значение поверхностного сопротивления, Ом;
F - поправочный коэффициент, зависящий от геометрических размеров образца [9], [10];
U - значение электрического напряжения, В;
I - значение электрического тока, А;
U/I - отношение электрического напряжения к силе тока, Ом.
В том случае если диаметр образца значительно превышает расстояние между электродами S (см. рисунок 2), значение поправочного коэффициента вычисляют по формуле . Например, при выполнении измерений в центре образца в виде круга диаметром, превышающим расстояние между зондами более чем в 40 раз, точность результатов будет выше 99%, а при выполнении измерений в центре образца в виде круга диаметром, превышающим расстояние между зондами более чем в 100 раз, погрешность будет менее 1%.
5.2 Определение поверхностного сопротивления УНТ-лент
Поверхностное сопротивление УНТ-лент Rs, Ом, определяемое с применением четырехэлектродного метода измерений, вычисляют по формуле
(2)
где Rs - значение поверхностного сопротивления, Ом;
w - ширина образца, мм;
L - расстояние между зондами, мм;
U - значение электрического напряжения, В;
I - значение электрического тока, А;
U/I - отношение электрического напряжения к силе тока, Ом.
Ширину образца определяют с помощью оптического микроскопа.
Приложение A
(справочное)
ПРИМЕР ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ ЧЕТЫРЕХТОЧЕЧНОГО
И ЧЕТЫРЕХЭЛЕКТРОДНОГО МЕТОДОВ ИЗМЕРЕНИЙ
A.1 Подготовка образцов
A.1.1 Материалы из ОУНТ или МУНТ
Для испытаний применяли материалы из ОУНТ, поставляемые двумя изготовителями, и из МУНТ, поставляемые тремя изготовителями.
A.1.2 Выбор диспергатора
Для изготовления образцов использованы диспергаторы ДМФ, ТГФ и 1,2-ДХЭ. После наблюдения за процессами диспергирования и подготовки образцов в качестве лучшего выбран диспергатор ТГФ.
Преимущества ТГФ:
- получение суспензий с равномерно распределенными УНТ;
- минимизация повреждений поверхности УНТ во время обработки ультразвуком;
- по сравнению с другими диспергаторами быстро высыхает, и его легко удалить после формирования пленки.
Результаты сравнения свойств диспергаторов при подготовке образцов приведены в таблице A.1.
Таблица A.1
Результаты сравнения свойств диспергаторов
при подготовке образцов
ТГФ
ДМФ
1,2-ДХЭ
Полученная дисперсионная система (суспензия) УНТ
Равномерное распределение УНТ
Неравномерное распределение УНТ
Равномерное распределение УНТ
Влияние диспергатора на электронную структуру УНТ во время ультразвуковой обработки
Не влияет [7]
Влияет [происходит разрушение ковалентных химических связей УНТ] [11]
Влияет (происходит выделение Cl2 или HCl) [12]
Скорость испарения диспергатора
Быстрая
Очень медленная
Быстрая
A.2 Определение оптимального количества материала из УНТ (ОУНТ и/или МУНТ)
С целью определения оптимального количества материала из УНТ для получения УНТ-пленок равномерной толщины проведены испытания, выявившие, что при использовании:
- 1 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали пленку толщиной от 10 до 50 мкм;
- 5 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали пленку толщиной 90 мкм с отклонением +/- 5 мкм, которая была хрупкой и непригодной для изготовления УНТ-лент;
- 2 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали суспензию с равномерным распределением УНТ и пленку толщиной 50 мкм с отклонением +/- 1 мкм, из которой можно изготовить УНТ-ленты.
Толщину УНТ-лент из ОУНТ или МУНТ определяли с помощью автоэмиссионного растрового электронного микроскопа. Изображения УНТ-лент, полученные с помощью автоэмиссионного растрового электронного микроскопа, представлены на рисунке A.1.
Изображения УНТ-лент, изготовленных с использованием:
a - 1 мг материала из УНТ; b, d - 2 мг материала из УНТ;
c - 5 мг материала из УНТ; d - изображение УНТ-ленты,
демонстрирующее равномерность ее толщины
Рисунок A.1 - Изображения УНТ-лент,
полученные с помощью автоэмиссионного
растрового электронного микроскопа
По результатам испытаний установлено, что для изготовления УНТ-пленок равномерной толщины необходимо применять материалы из УНТ массой 2 мг.
A.3 Получение УНТ-пленок и УНТ-лент
Сначала осуществляли процесс диспергирования: материалы из ОУНТ или МУНТ массой 2 мг помещали в 20 мл ТГФ и проводили обработку ультразвуком (в ультразвуковой ванне, частота ультразвука - 40 кГц) в течение 30 мин. при температуре 25 °C. Полученную дисперсную систему (суспензию) в приборе вакуумного фильтрования пропускали через мембрану из ПВДФ диаметром 25 мм и размерами пор не более 220 нм. Образовавшуюся на поверхности мембраны тонкую пленку высушивали в течение 12 ч при температуре 80 °C. Полученная УНТ-пленка имела форму круга диаметром 18 мм.
На рисунке A.2 представлены фотографии полученных образцов УНТ-пленок и УНТ-лент. С помощью диспергирования и вакуумной фильтрации получены УНТ-пленки равномерной толщины, имеющие площадь поверхности, достаточную для выполнения измерений четырехточечным методом (см. рисунок A.2 a). В некоторых случаях получены УНТ-пленки, имеющие отклонения от требуемых геометрических параметров (например, у образцов загнуты края (см. рисунок A.2 b), которые непригодны для выполнения измерений четырехточечным методом. Из таких УНТ-пленок изготовлены УНТ-ленты (см. рисунок A.2 b), на которых можно выполнить измерения четырехэлектродным методом.
a - УНТ-пленка, пригодная для выполнения измерений
четырехточечным методом; b - УНТ-пленка с загнутыми краями,
непригодная для выполнения измерений четырехточечным
методом; c - УНТ-ленты, изготовленные из образца b,
для выполнения измерений четырехэлектродным методом
Рисунок A.2 - Фотографии полученных образцов
УНТ-пленок и УНТ-лент
A.4 Результаты определения поверхностного сопротивления УНТ-лент
В таблице A.2 приведены значения поверхностного сопротивления УНТ-лент, полученные с помощью четырехэлектродного метода измерений. Измерения выполняли на образцах, приготовленных из материалов из ОУНТ и МУНТ пяти различных изготовителей a, b, c, d, e. Из каждого материала было приготовлено по пять образцов (УНТ-лент).
Таблица A.2
Значения поверхностного сопротивления УНТ-лент,
полученные с помощью четырехэлектродного метода измерений
УНТ
Буквенное обозначение, единица измерения
Значения сопротивления и поверхностного сопротивления
Комбинированная относительная неопределенность (среднее значение +/- n, % <*>)
Образец 1
Образец 2
Образец 3
Образец 4
Образец 5
МУНТ a
R, Ом
19,03
27,27
27,04
20,83
20,38
-
Rs, Ом
5,45
5,45
5,41
5,42
5,43
5,43 +/- 0,37%
МУНТ b
R, Ом
2080
1920
1860
1680
1310
-
Rs, Ом
693,3
672,0
620,0
616,0
679,5
656,17 +/- 5,44%
МУНТ c
R, Ом
226,8
185,6
210,3
225,4
202,6
-
Rs, Ом
83,92
89,09
92,53
78,89
83,07
85,50 +/- 6,26%
ОУНТ d
R, Ом
9,55
7,0
7,4
7,6
6,4
-
Rs, Ом
1,43
1,40
1,53
1,52
1,79
1,53 +/- 9,80%
ОУНТ e
R, Ом
38,9
36,0
52,1
38,2
36,1
-
Rs, Ом
14,00
12,60
18,24
16,43
14,44
15,10 +/- 14,64%
<*> n, % охватывает все значения относительной неопределенности, где
Значения поверхностного сопротивления образцов, приготовленных из материалов одного и того же изготовителя, практически одинаковы (см. таблицу A.2).
В таблице A.3 приведено сравнение результатов, полученных с помощью четырехточечного и четырехэлектродного методов измерений УНТ-лент, приготовленных из материалов одного и того же изготовителя. При применении четырехточечного метода измерения проводили в центре и у края образца.
Таблица A.3
Сравнение результатов, полученных с помощью четырехточечного
и четырехэлектродного методов измерений УНТ-лент
Метод
Поверхностное сопротивление Rs
Четырехточечный метод измерения
5,45 (в центре образца)
5,45 (у края образца)
Четырехэлектродный метод измерения
5,43 +/- 0,02
(среднее значение)
Результаты, полученные с помощью четырехточечного и четырехэлектродного методов измерений, практически одинаковы.
По итогам проведенных испытаний сделаны следующие выводы:
- применяемый метод не влияет на результаты измерений образцов, изготовленных одним и тем же способом;
- УНТ-пленки равномерной толщины можно получать с помощью способа, приведенного в настоящем стандарте;
- геометрические размеры образца должны быть при применении:
- четырехточечного метода: диаметр - не менее 18 мм; расстояние между зондами S - 1 мм;
- четырехэлектродного метода: ширина w - от 0,6 до 0,8 мм; расстояние между соседними зондами L - 3 мм.
БИБЛИОГРАФИЯ
[1]
CZICHOS H., SAITO T., SMITH L., eds. Springer handbook of metrology and testing. Springer (2011), Chapter 9
[2]
WEBSTER J.G. The measurement, instrumentation, and sensors handbook. CRC Press (1999)
[3]
SCHRODER D.K. Semiconductor material and device characterization. John Wiley & Sons, New York (1998)
[4]
SMITS F.M. Measurement of sheet resistivities with the four point probe. Bell Syst. Tech. J. 1958, 37, 711 - 718
[5]
KUPHALDT T.R. "Kelvin (4-wire) resistance measurement", All about circuits: Volume I-DC (2003)
[6]
HART A.J. and SLOCUM A.H. Force output, control of film structure, and microscale shape transfer by carbon nanotube growth under mechanical pressure. Nano Lett. 2006, 6(6), 1254 - 1260
[7]
KIM J.-S., CHOI K., KIM J.-J., NOH D.-Y., PARK S.-K., LEE H.-J. and LEE H. Charge-transfer interaction in single-walled carbon nanotubes with tetrathiafulvalene and their applications. J. Nanosci. Nanotech., 2007, 7(11), 4116 - 4119
[8]
FORNEY M.W. and POLER J.C. Sonochemical formation of methyl hydroperoxide in polar aprotic solvents and its effect on single-walled carbon nanotube dispersion stability. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132(2), 791 - 797
[9]
SEMI MF374-0307 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused, polysilicon, and ion-implanted layers using an in-line four-point probe with the single-configuration procedure, SEMI, USA (2007)
[10]
SWARTZENDRUBER L.J. Correction Factor Tables for Four-Point Probe Resistivity Measurements on Thin, Circular Semiconducting Samples. NBS, Technical Note 199, April 15 (1964)
[11]
AUSMAN K.D., RICHARD P., LOURIE O., RUOFF R.S. and KOROBOV M. Organic solvent dispersions of single-walled carbon nanotubes: toward solutions of pristine nanotubes, J. Phys. Chem. B 2000, 104(38), 8911 - 8915
[12]
MOONOOSAWMY K.R. and KRUSE P. To dope or not to dope: The effect of sonicating single-wall carbon nanotubes in common laboratory solvents on their electronic structure. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130(40), 13417 - 13424
[13]
IEC 62624:2009
Test methods for measurement of electrical properties of carbon nanotubes (Методы измерений электрических свойств углеродных нанотрубок)
[14]
ISO/TS 80004-3
Nanotechnologies - Vocabulary - Part 3: Carbon nano-objects (Нанотехнологии. Часть 3. Нанообъекты углеродные. Термины и определения)
УДК 661.666:006.354
МКС 07.030
IDT
Ключевые слова: производство нанотехнологическое, материалы из углеродных нанотрубок, поверхностное сопротивление пленки, четырехзондовый метод измерения, четырехточечный метод измерения, четырехэлектродный метод измерения