Главная // Актуальные документы // ГОСТ (Государственный стандарт)СПРАВКА
Источник публикации
М.: Стандартинформ, 2017
Примечание к документу
Документ
введен в действие с 01.09.2018.
Название документа
"ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017. Межгосударственный стандарт. Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Методы определения поверхностного сопротивления"
(введен в действие Приказом Росстандарта от 23.11.2017 N 1822-ст)
"ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017. Межгосударственный стандарт. Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Методы определения поверхностного сопротивления"
(введен в действие Приказом Росстандарта от 23.11.2017 N 1822-ст)
агентства по техническому
регулированию и метрологии
от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРОИЗВОДСТВО НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
КОНТРОЛЬ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ЧАСТЬ 2-1
МАТЕРИАЛЫ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК.
МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
Nanomanufacturing. Key control characteristics. Part 2-1.
Carbon nanotubes materials. Methods of determining
the sheet resistance
(IEC/TS 62607-2-1:2012, Nanomanufacturing -
Key control characteristics - Part 2-1: Carbon
nanotube materials - Film resistance, IDT)
ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017
Дата введения
1 сентября 2018 года
Цели, основные принципы и основной порядок проведения работ по межгосударственной стандартизации установлены в
ГОСТ 1.0-2015 "Межгосударственная система стандартизации. Основные положения" и
ГОСТ 1.2-2015 "Межгосударственная система стандартизации. Стандарты межгосударственные, правила и рекомендации по межгосударственной стандартизации. Правила разработки, принятия, обновления и отмены"
1 ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием "Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении" (ФГУП "ВНИИНМАШ") на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии документа, указанного в
пункте 5
2 ВНЕСЕН Межгосударственным техническим комитетом по стандартизации МТК 441 "Нанотехнологии"
3 ПРИНЯТ Межгосударственным советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол от 30 августа 2017 г. N 102-П)
За принятие проголосовали:
Краткое наименование страны по МК (ИСО 3166) 004-97 | Код страны по МК (ИСО 3166) 004-97 | Сокращенное наименование национального органа по стандартизации |
Беларусь | BY | Госстандарт Республики Беларусь |
Киргизия | KG | Кыргызстандарт |
Россия | RU | Росстандарт |
Таджикистан | TJ | Таджикстандарт |
Узбекистан | UZ | Узстандарт |
Украина | UA | Минэкономразвития Украины |
4
Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст межгосударственный стандарт ГОСТ IEC/TS 62607-2-1-2017 введен в действие в качестве национального стандарта Российской Федерации с 1 сентября 2018 г.
5 Настоящий стандарт идентичен международному документу IEC/TS 62607-2-1:2012 "Производство нанотехнологическое. Контроль основных характеристик. Часть 2-1. Материалы из углеродных нанотрубок. Сопротивление пленки" ("Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 2-1: Carbon nanotube materials - Film resistance", IDT).
Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ 1.5
(подраздел 3.6).
Международный документ разработан техническим комитетом по стандартизации ISO/TC 229 "Нанотехнологии" Международной организации по стандартизации (ISO).
Настоящий стандарт подготовлен на основе применения
ГОСТ Р 56189-2014/IEC/TS 62607-2-1:2012
<*>
--------------------------------
<*>
Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 23 ноября 2017 г. N 1822-ст
ГОСТ Р 56189-2014/IEC/TS 62607-2-1:2012 отменен с 1 сентября 2018 г.
6 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном информационном указателе "Национальные стандарты" (по состоянию на 1 января текущего года), а текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
В настоящее время существуют два основных направления в изготовлении новых материалов, включая производство углеродных нанотрубок, с учетом их последующего применения в качестве:
a) проводниковых композиционных материалов в дисплеях с полевой эмиссией, гибких дисплеях, печатной электронике;
b) нанокомпозиционных материалов с особенными механическими свойствами (например, показатели предела прочности и модуля упругости при растяжении у них значительно выше, чем у обычных материалов).
Настоящий стандарт распространяется на материалы из углеродных нанотрубок, применяемые в качестве проводниковых композиционных материалов [см.
a)] в электронной промышленности.
Возможность определить электрические характеристики материалов из углеродных нанотрубок имеет важное значение как для изготовителей, так и для потребителей. Для этих целей должны быть установлены стандартные методы измерений.
В настоящем стандарте установлены методы измерений для определения электрических характеристик материалов из углеродных нанотрубок, которые можно применять и для проводниковых композиционных материалов.
Настоящий стандарт является частью серии стандартов IEC 62607 и устанавливает методы измерений для определения поверхностного сопротивления материалов из углеродных нанотрубок (УНТ). Применение установленных в настоящем стандарте методов позволит потребителю сопоставлять результаты измерений электрических характеристик материалов из УНТ различных партий, поставляемых одним или несколькими изготовителями, и выбирать материал, пригодный для изготовления конечной продукции. Корреляция между значениями характеристик, полученных с помощью данных методов, и значениями соответствующих характеристик материалов из УНТ должна быть установлена в стандартах или технических условиях на конкретные виды УНТ.
Пример практического применения установленных в настоящем стандарте методов измерений приведен в справочном
приложении A.
2 Термины, определения, обозначения и сокращения
Терминологию в области нанотехнологий разрабатывают в Объединенной рабочей группе 1 (ОРГ 1) ISO/TC 229 "Нанотехнологий" и IEC/TC 113 "Стандартизация нанотехнологий для электротехнической, электронной продукции и систем". Стандарты на термины и определения в области нанотехнологий опубликованы в виде отдельных частей ISO/TS 80004. В настоящем стандарте применены термины и определения из опубликованных частей ISO/TS 80004 и научной литературы.
2.1 Термины и определения
В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:
2.1.1
одностенная углеродная нанотрубка; ОУНТ (single-wall carbon nanotube): Углеродная нанотрубка, состоящая из одного цилиндрического слоя графена. Примечание - Структуру ОУНТ можно представить в виде листа графена, свернутого в цилиндрическую сотовую структуру. [ISO/TS 80004-3:2010, статья 4.4] |
2.1.2
многостенная углеродная нанотрубка; МУНТ (multiwall carbon nanotube): Углеродная нанотрубка, состоящая из вложенных друг в друга концентрических или почти концентрических слоев графена с межслоевыми расстояниями, аналогичными межслоевым расстояниям в графите. Примечание - МУНТ представляет собой множество вложенных друг в друга одностенных углеродных нанотрубок цилиндрической формы в случае малого диаметра и стремящихся к многоугольному сечению по мере увеличения диаметра. [ISO/TS 80004-3:2010, статья 4.6] |
2.1.3
пленка из УНТ (CNT film): Пленка из ОУНТ и/или МУНТ, полученная неразрушающими методами, например методом вакуумной фильтрации и др. (см.
рисунок 1).
a - процесс диспергирования;
b - прибор вакуумного фильтрования; c - УНТ-пленка
Рисунок 1 - Процесс получения УНТ-пленок
2.1.4 поверхностное сопротивление пленки Rs (sheet resistance, Rs): Величина сопротивления пленки, имеющей равномерную номинальную толщину.
Примечания
1 Значение поверхностного сопротивления
Rs двумерных (
x-
y) пленок, имеющих прямоугольную форму (форму ленты), определяют по формуле
Rs =
R/(
L/w), где
R - значение сопротивления (
R = U/
I),
L - расстояние между соседними зондами, расположенными параллельно и применяемыми для измерения напряжения,
U; w - длина этих зондов (длина зондов соответствует ширине измеряемого образца). Электрический ток
I должен протекать вдоль, а не перпендикулярно поверхности образца (см.
рисунок 4). Соотношение
L/
w - соотношение сторон поверхности измеряемого образца. Для целей настоящего стандарта единица измерения поверхностного сопротивления пленок
Rs будет выражена в омах, Ом, с учетом соотношения
L/
w.
2.1.5 вольт-амперная характеристика (I-V characteristic): Зависимость электрического напряжения от электрического тока, представленная в виде диаграммы или графика.
2.1.6
четырехзондовый метод измерения (4-probe measurement): Метод измерения удельного электрического сопротивления материала, в котором сопротивления зондов не влияют на точность измерений.
Примечание - Метод основан на измерении напряжения между двумя внутренними зондами при пропускании электрического тока определенной величины через два внешних зонда и вычислении удельного электрического сопротивления. Зонды должны быть размещены на поверхности испытуемого образца вдоль прямой линии. Кроме того, следует учитывать, что на результаты измерений могут влиять размеры и форма образца
[3],
[4].
2.1.7
четырехэлектродный метод измерения (4-wire measurement): Тип четырехзондового метода измерения
(2.1.6), в котором в качестве зонда применяют проволочный электрод.
2.1.8
четырехточечный метод измерения (4-point measurement): Тип четырехзондового метода измерения
(2.1.6), в котором в качестве зонда применяют проволочный электрод с заостренным концом (точечный зонд).
Примечание - Четырехточечный метод применяют для измерений поверхностного сопротивления пленок, ширина которых превышает расстояние между зондами.
2.2 Обозначения и сокращения
ДМФ (DMF) - диметилформамид;
ДХЭ (DCE) - дихлорэтан;
ПВДФ (PVDF) - поливинилиденфторид;
ТГФ (THF) - тетрагидрофуран.
Образцами для испытаний являются материалы из УНТ [одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) или многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ)] в виде пленок (далее - УНТ-пленки) или гранул, изготовленных из порошкообразных материалов
[5],
[6]. Рекомендуется в качестве образцов применять УНТ-пленки, так как при использовании образцов в виде гранул возможно возникновение деформации и изменений свойств УНТ.
Образцы должны представлять собой пленку равномерной толщины и иметь достаточную для выполнения измерений площадь поверхности (см.
3.3). Для получения УНТ-пленок равномерной толщины следует применять соответствующий диспергатор и использовать установленное в
3.3 количество материала из УНТ (ОУНТ или МУНТ).
Допускается изготавливать образцы в виде УНТ-пленок, имеющих форму ленты (далее - УНТ-ленты).
3.2.1 Материалы из углеродных нанотрубок
Для проведения испытаний образцы изготавливают из материалов из УНТ (ОУНТ или МУНТ), не подлежащих дополнительной обработке.
Для изготовления образцов в качестве диспергатора применяют ТГФ. Допускается применять другие диспергаторы: ДМФ, этиловый спирт или 1,2-дихлорэтан (1,2-ДХЭ)
[7],
[8].
Преимущества ТГФ:
- получение суспензий с равномерно распределенными УНТ;
- минимизация повреждений поверхности УНТ во время обработки ультразвуком;
- легкое удаление после формирования пленки.
С целью минимизации загрязнений УНТ следует применять диспергаторы с содержанием основного вещества не менее 99,8%.
Результаты сравнения свойств диспергаторов при подготовке образцов приведены в
таблице A.1 приложения A.
Сначала осуществляют процесс диспергирования: помещают 2 мг материала из УНТ (ОУНТ или МУНТ) в 20 мл ТГФ и проводят обработку ультразвуком (в ультразвуковой ванне, частота ультразвука - 40 кГц) в течение 30 мин. при температуре 25 °C. Полученную дисперсную систему (суспензию) в приборе вакуумного фильтрования пропускают через мембрану из ПВДФ диаметром 25 мм и размерами пор не более 220 нм. Образовавшуюся на поверхности мембраны тонкую пленку высушивают в течение 12 ч при температуре 80 °C. Полученная УНТ-пленка должна иметь форму круга диаметром не менее 18 мм и толщиной 50 мкм с отклонением +/- 1 мкм (см.
A.2 и
A.3 приложения A). На рисунке 1 представлен процесс получения УНТ-пленок.
Из УНТ-пленки с помощью антистатического режущего инструмента вырезают УНТ-ленту размером от 1 до 2 мм шириной и около 10 мм длиной.
4.1 Четырехточечный метод измерения
4.1.1 Условия проведения измерений
В процессе подготовки образцов и проведения измерений должны быть обеспечены условия, сохраняющие форму и плоскостность УНТ-пленок.
4.1.2 Проведение измерений
Измерения выполняют с помощью установки с измерительной четырехзондовой головкой. Измерительная установка должна быть аттестована или поверена в установленном порядке. Для измерения напряжения применяют прибор с высоким значением полного входного сопротивления.
Схема измерительной установки и фотография измерительной четырехзондовой головки представлены на
рисунке 2. Четырехзондовая измерительная головка должна иметь четыре одинаковых точечных зонда, изготовленных из металлов платиновой группы, с одинаковым радиусом острия. Зонды должны быть расположены на одной прямой. Расстояние между зондами - 1 мм.
a - схема измерительной установки: S - расстояние
между зондами, A - источник постоянного тока, V - прибор
для измерения электрического напряжения; b - фотография
измерительной четырехзондовой головки
Рисунок 2 - Схема измерительной установки и фотография
измерительной четырехзондовой головки
На образец с неизвестным сопротивлением подают постоянный ток, значение которого должно быть установлено в стандартах или технических условиях на конкретные виды УНТ, через два внешних зонда, подключенных к источнику тока, и измеряют напряжение между двумя внутренними зондами (см.
рисунок 2 a). Во избежание повреждения образца во время проведения измерений значение электрического тока должно быть не более 1 мкА.
Поверхностное сопротивление образца определяют в соответствии с
5.1.
На
рисунке 3 представлена фотография установки с измерительной четырехзондовой головкой. УНТ-пленка расположена на предметном столике, регулируемом по высоте. На поверхность УНТ-пленки опущены четыре зонда. Наличие соприкосновения зондов с поверхностью образца проверяют с помощью оптического микроскопа.
Рисунок 3 - Фотография установки
с измерительной четырехзондовой головкой
4.2 Четырехэлектродный метод измерения
4.2.1 Условия проведения измерений
В процессе подготовки образцов и проведения измерений должны быть обеспечены условия, сохраняющие форму и плоскостность УНТ-лент.
4.2.2 Проведение измерений
Схема проведения измерений четырехэлектродным методом представлена на
рисунке 4.
L - расстояние между соседними зондами;
t - толщина УНТ-ленты; w - ширина УНТ-ленты
Рисунок 4 - Схема проведения измерений
четырехэлектродным методом
Четыре зонда, изготовленных из платины, диаметром 0,1 мм устанавливают на подложке из электроизоляционного материала параллельно на расстоянии 3 мм друг от друга. Перпендикулярно к зондам помещают образец. Во избежание повреждения образца во время проведения измерений значение электрического тока должно быть не более 1 мкА.
Поверхностное сопротивление образца определяют в соответствии с
5.2.
5.1 Определение поверхностного сопротивления УНТ-пленок
Поверхностное сопротивление УНТ-пленок Rs, Ом, определяемое с применением четырехточечного метода измерений, вычисляют по формуле

(1)
где Rs - значение поверхностного сопротивления, Ом;
F - поправочный коэффициент, зависящий от геометрических размеров образца
[9],
[10];
U - значение электрического напряжения, В;
I - значение электрического тока, А;
U/I - отношение электрического напряжения к силе тока, Ом.
В том случае если диаметр образца значительно превышает расстояние между электродами S (см.
рисунок 2), значение поправочного коэффициента вычисляют по формуле

. Например, при выполнении измерений в центре образца в виде круга диаметром, превышающим расстояние между зондами более чем в 40 раз, точность результатов будет выше 99%, а при выполнении измерений в центре образца в виде круга диаметром, превышающим расстояние между зондами более чем в 100 раз, погрешность будет менее 1%.
5.2 Определение поверхностного сопротивления УНТ-лент
Поверхностное сопротивление УНТ-лент Rs, Ом, определяемое с применением четырехэлектродного метода измерений, вычисляют по формуле

(2)
где Rs - значение поверхностного сопротивления, Ом;
w - ширина образца, мм;
L - расстояние между зондами, мм;
U - значение электрического напряжения, В;
I - значение электрического тока, А;
U/I - отношение электрического напряжения к силе тока, Ом.
Ширину образца определяют с помощью оптического микроскопа.
(справочное)
ПРИМЕР ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ ЧЕТЫРЕХТОЧЕЧНОГО
И ЧЕТЫРЕХЭЛЕКТРОДНОГО МЕТОДОВ ИЗМЕРЕНИЙ
A.1 Подготовка образцов
A.1.1 Материалы из ОУНТ или МУНТ
Для испытаний применяли материалы из ОУНТ, поставляемые двумя изготовителями, и из МУНТ, поставляемые тремя изготовителями.
A.1.2 Выбор диспергатора
Для изготовления образцов использованы диспергаторы ДМФ, ТГФ и 1,2-ДХЭ. После наблюдения за процессами диспергирования и подготовки образцов в качестве лучшего выбран диспергатор ТГФ.
Преимущества ТГФ:
- получение суспензий с равномерно распределенными УНТ;
- минимизация повреждений поверхности УНТ во время обработки ультразвуком;
- по сравнению с другими диспергаторами быстро высыхает, и его легко удалить после формирования пленки.
Результаты сравнения свойств диспергаторов при подготовке образцов приведены в
таблице A.1.
Таблица A.1
Результаты сравнения свойств диспергаторов
при подготовке образцов
| ТГФ | ДМФ | 1,2-ДХЭ |
Полученная дисперсионная система (суспензия) УНТ | Равномерное распределение УНТ | Неравномерное распределение УНТ | Равномерное распределение УНТ |
Влияние диспергатора на электронную структуру УНТ во время ультразвуковой обработки | | Влияет [происходит разрушение ковалентных химических связей  УНТ] [11] | Влияет (происходит выделение Cl 2 или HCl) [12] |
Скорость испарения диспергатора | Быстрая | Очень медленная | Быстрая |
A.2 Определение оптимального количества материала из УНТ (ОУНТ и/или МУНТ)
С целью определения оптимального количества материала из УНТ для получения УНТ-пленок равномерной толщины проведены испытания, выявившие, что при использовании:
- 1 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали пленку толщиной от 10 до 50 мкм;
- 5 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали пленку толщиной 90 мкм с отклонением +/- 5 мкм, которая была хрупкой и непригодной для изготовления УНТ-лент;
- 2 мг материала из УНТ и 20 мл ТГФ получали суспензию с равномерным распределением УНТ и пленку толщиной 50 мкм с отклонением +/- 1 мкм, из которой можно изготовить УНТ-ленты.
Толщину УНТ-лент из ОУНТ или МУНТ определяли с помощью автоэмиссионного растрового электронного микроскопа. Изображения УНТ-лент, полученные с помощью автоэмиссионного растрового электронного микроскопа, представлены на
рисунке A.1.
Изображения УНТ-лент, изготовленных с использованием:
a - 1 мг материала из УНТ; b, d - 2 мг материала из УНТ;
c - 5 мг материала из УНТ; d - изображение УНТ-ленты,
демонстрирующее равномерность ее толщины
Рисунок A.1 - Изображения УНТ-лент,
полученные с помощью автоэмиссионного
растрового электронного микроскопа
По результатам испытаний установлено, что для изготовления УНТ-пленок равномерной толщины необходимо применять материалы из УНТ массой 2 мг.
A.3 Получение УНТ-пленок и УНТ-лент
Сначала осуществляли процесс диспергирования: материалы из ОУНТ или МУНТ массой 2 мг помещали в 20 мл ТГФ и проводили обработку ультразвуком (в ультразвуковой ванне, частота ультразвука - 40 кГц) в течение 30 мин. при температуре 25 °C. Полученную дисперсную систему (суспензию) в приборе вакуумного фильтрования пропускали через мембрану из ПВДФ диаметром 25 мм и размерами пор не более 220 нм. Образовавшуюся на поверхности мембраны тонкую пленку высушивали в течение 12 ч при температуре 80 °C. Полученная УНТ-пленка имела форму круга диаметром 18 мм.
На
рисунке A.2 представлены фотографии полученных образцов УНТ-пленок и УНТ-лент. С помощью диспергирования и вакуумной фильтрации получены УНТ-пленки равномерной толщины, имеющие площадь поверхности, достаточную для выполнения измерений четырехточечным методом (см.
рисунок A.2 a). В некоторых случаях получены УНТ-пленки, имеющие отклонения от требуемых геометрических параметров (например, у образцов загнуты края (см.
рисунок A.2 b), которые непригодны для выполнения измерений четырехточечным методом. Из таких УНТ-пленок изготовлены УНТ-ленты (см.
рисунок A.2 b), на которых можно выполнить измерения четырехэлектродным методом.
a - УНТ-пленка, пригодная для выполнения измерений
четырехточечным методом; b - УНТ-пленка с загнутыми краями,
непригодная для выполнения измерений четырехточечным
методом; c - УНТ-ленты, изготовленные из образца b,
для выполнения измерений четырехэлектродным методом
Рисунок A.2 - Фотографии полученных образцов
УНТ-пленок и УНТ-лент
A.4 Результаты определения поверхностного сопротивления УНТ-лент
В
таблице A.2 приведены значения поверхностного сопротивления УНТ-лент, полученные с помощью четырехэлектродного метода измерений. Измерения выполняли на образцах, приготовленных из материалов из ОУНТ и МУНТ пяти различных изготовителей
a,
b,
c,
d,
e. Из каждого материала было приготовлено по пять образцов (УНТ-лент).
Таблица A.2
Значения поверхностного сопротивления УНТ-лент,
полученные с помощью четырехэлектродного метода измерений
УНТ | Буквенное обозначение, единица измерения | Значения сопротивления и поверхностного сопротивления | Комбинированная относительная неопределенность (среднее значение +/- n, % <*>) |
Образец 1 | Образец 2 | Образец 3 | Образец 4 | Образец 5 |
МУНТ a | R, Ом | 19,03 | 27,27 | 27,04 | 20,83 | 20,38 | - |
Rs, Ом | 5,45 | 5,45 | 5,41 | 5,42 | 5,43 | 5,43 +/- 0,37% |
МУНТ b | R, Ом | 2080 | 1920 | 1860 | 1680 | 1310 | - |
Rs, Ом | 693,3 | 672,0 | 620,0 | 616,0 | 679,5 | 656,17 +/- 5,44% |
МУНТ c | R, Ом | 226,8 | 185,6 | 210,3 | 225,4 | 202,6 | - |
Rs, Ом | 83,92 | 89,09 | 92,53 | 78,89 | 83,07 | 85,50 +/- 6,26% |
ОУНТ d | R, Ом | 9,55 | 7,0 | 7,4 | 7,6 | 6,4 | - |
Rs, Ом | 1,43 | 1,40 | 1,53 | 1,52 | 1,79 | 1,53 +/- 9,80% |
ОУНТ e | R, Ом | 38,9 | 36,0 | 52,1 | 38,2 | 36,1 | - |
Rs, Ом | 14,00 | 12,60 | 18,24 | 16,43 | 14,44 | 15,10 +/- 14,64% |
<*> n, % охватывает все значения относительной неопределенности, где |
Значения поверхностного сопротивления образцов, приготовленных из материалов одного и того же изготовителя, практически одинаковы (см.
таблицу A.2).
В
таблице A.3 приведено сравнение результатов, полученных с помощью четырехточечного и четырехэлектродного методов измерений УНТ-лент, приготовленных из материалов одного и того же изготовителя. При применении четырехточечного метода измерения проводили в центре и у края образца.
Таблица A.3
Сравнение результатов, полученных с помощью четырехточечного
и четырехэлектродного методов измерений УНТ-лент
Метод | Поверхностное сопротивление Rs |
Четырехточечный метод измерения | 5,45 (в центре образца) 5,45 (у края образца) |
Четырехэлектродный метод измерения | 5,43 +/- 0,02 (среднее значение) |
Результаты, полученные с помощью четырехточечного и четырехэлектродного методов измерений, практически одинаковы.
По итогам проведенных испытаний сделаны следующие выводы:
- применяемый метод не влияет на результаты измерений образцов, изготовленных одним и тем же способом;
- УНТ-пленки равномерной толщины можно получать с помощью способа, приведенного в настоящем стандарте;
- геометрические размеры образца должны быть при применении:
- четырехточечного метода: диаметр - не менее 18 мм; расстояние между зондами S - 1 мм;
- четырехэлектродного метода: ширина w - от 0,6 до 0,8 мм; расстояние между соседними зондами L - 3 мм.
| CZICHOS H., SAITO T., SMITH L., eds. Springer handbook of metrology and testing. Springer (2011), Chapter 9 |
[2] | WEBSTER J.G. The measurement, instrumentation, and sensors handbook. CRC Press (1999) |
| SCHRODER D.K. Semiconductor material and device characterization. John Wiley & Sons, New York (1998) |
| SMITS F.M. Measurement of sheet resistivities with the four point probe. Bell Syst. Tech. J. 1958, 37, 711 - 718 |
| KUPHALDT T.R. "Kelvin (4-wire) resistance measurement", All about circuits: Volume I-DC (2003) |
| HART A.J. and SLOCUM A.H. Force output, control of film structure, and microscale shape transfer by carbon nanotube growth under mechanical pressure. Nano Lett. 2006, 6(6), 1254 - 1260 |
| KIM J.-S., CHOI K., KIM J.-J., NOH D.-Y., PARK S.-K., LEE H.-J. and LEE H. Charge-transfer interaction in single-walled carbon nanotubes with tetrathiafulvalene and their applications. J. Nanosci. Nanotech., 2007, 7(11), 4116 - 4119 |
| FORNEY M.W. and POLER J.C. Sonochemical formation of methyl hydroperoxide in polar aprotic solvents and its effect on single-walled carbon nanotube dispersion stability. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132(2), 791 - 797 |
| SEMI MF374-0307 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused, polysilicon, and ion-implanted layers using an in-line four-point probe with the single-configuration procedure, SEMI, USA (2007) |
| SWARTZENDRUBER L.J. Correction Factor Tables for Four-Point Probe Resistivity Measurements on Thin, Circular Semiconducting Samples. NBS, Technical Note 199, April 15 (1964) |
| AUSMAN K.D., RICHARD P., LOURIE O., RUOFF R.S. and KOROBOV M. Organic solvent dispersions of single-walled carbon nanotubes: toward solutions of pristine nanotubes, J. Phys. Chem. B 2000, 104(38), 8911 - 8915 |
| MOONOOSAWMY K.R. and KRUSE P. To dope or not to dope: The effect of sonicating single-wall carbon nanotubes in common laboratory solvents on their electronic structure. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130(40), 13417 - 13424 |
[13] | IEC 62624:2009 | Test methods for measurement of electrical properties of carbon nanotubes (Методы измерений электрических свойств углеродных нанотрубок) |
[14] | ISO/TS 80004-3 | Nanotechnologies - Vocabulary - Part 3: Carbon nano-objects (Нанотехнологии. Часть 3. Нанообъекты углеродные. Термины и определения) |
УДК 661.666:006.354 | | IDT |
Ключевые слова: производство нанотехнологическое, материалы из углеродных нанотрубок, поверхностное сопротивление пленки, четырехзондовый метод измерения, четырехточечный метод измерения, четырехэлектродный метод измерения |