1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. N 1286-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые транзисторы (далее - транзисторы).

Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре.

Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством.

В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:

ГОСТ 19095 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 19095, а также следующие термины с соответствующими определениями:

3.1 минимальный коэффициент шума K_ш.мин: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих минимальному коэффициенту шума.

3.2 оптимальный коэффициент усиления по мощности K_уP.опт: Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наименьших значений коэффициента шума.

3.3 максимальный коэффициент усиления по мощности K_уP.макс: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наибольших значений коэффициента усиления по мощности.

3.4 оптимальный коэффициент шума K_ш.опт: Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих максимальному коэффициенту усиления по мощности.

3.5 коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики K_уP.лин: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в линейной области его амплитудной характеристики (область линейной зависимости выходной мощности от входной мощности).

3.6 максимально допустимое напряжение сток - исток в динамическом режиме U_{СИ.д.макс}: Максимальное значение допустимого напряжения между электродами стока и истока транзистора в динамическом режиме.

3.7 порог перегрузки транзистора P_{вых.макс}: Уровень выходной мощности транзистора, при достижении которого значение коэффициента усиления по мощности падает на 1 дБ по отношению к его значению на малом сигнале.

3.8 максимально допустимое напряжение питания стока U_{С.пит.макс}: Максимально допустимая постоянная составляющая напряжения между стоком и истоком транзистора.

3.9 крутизна характеристики по второму затвору S₃₂: Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на втором затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

3.10 напряжение отсечки по второму затвору U_32отс: Напряжение между вторым затвором и истоком, при котором ток стока транзистора достигает заданного низкого значения.

3.11 коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком S_11И: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.12 коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком S_12И: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.13 коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком S_21И: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.14 коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком S_22И: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.15 коэффициент полезного действия стока : Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника питания стока.

3.16 выходная мощность полевого транзистора P_вых: Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.

3.17 максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме P_{ср.макс}: Максимально допустимое усредненное на период значение мощности в транзисторе.

Транзисторы подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

5.1 Состав параметров и способы задания норм на транзисторы приведены в таблице 2.

5.2 Состав типовых характеристик транзисторов приведен в таблице 3.

5.3 Параметры-критерии годности транзисторов при различных видах испытаний приведены в таблице 4.

5.4 В технически обоснованных случаях по согласованию с заказчиком состав параметров и типовых характеристик транзисторов, регламентированный настоящим стандартом, при составлении конкретных документов на транзисторы допускается расширять или сокращать.

5.5 Справочные параметры транзисторов приведены в приложении А.