1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 5 октября 2023 г. N 1061-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

В настоящем стандарте термины и определения расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.

Приведенные определения допускается, при необходимости, изменять введением в них производных признаков, раскрывая значения используемых в них терминов с указанием объектов, входящих в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым, синонимы - курсивом.

Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы на основе базовых кристаллов, применяемые в радиоэлектронной аппаратуре, и устанавливает термины и определения понятий в области интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем на основе базовых кристаллов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем в соответствии с действующим законодательством.

1

2

3 полузаказная микросхема: Микросхема, разрабатываемая на основе базового кристалла, программируемой логической матрицы, масочного постоянного запоминающего устройства.

4 (полузаказная) матричная микросхема: Микросхема, разрабатываемая на основе базового матричного кристалла.

5 эквивалентный логический элемент базового кристалла (эквивалентный вентиль; ЭВ): Совокупность элементов базового кристалла, эквивалентных по логической функции вентилю 2И-НЕ (2ИЛИ-НЕ) и предназначенных для характеристики его логической сложности.

6 базовая ячейка (базового матричного кристалла); БЯ: Совокупность не соединенных и (или) соединенных между собой элементов, регулярно повторяющихся в пределах базового матричного кристалла.

7 функциональная ячейка (базового матричного кристалла): Функционально законченная электрическая схема, реализуемая посредством соединения элементов базового матричного кристалла в пределах одной или нескольких базовых ячеек.

8 библиотека функциональных ячеек (базового матричного кристалла); БФЯ: Совокупность функциональных ячеек базового матричного кристалла, используемых при проектировании полузаказных матричных микросхем.