"ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009. Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения" (утв. Приказом Ростехрегулирования от 07.12.2009 N 586-ст)

Главная // Актуальные документы // ГОСТ Р (Государственный стандарт)

СПРАВКА

Источник публикации

М.: Стандартинформ, 2010

Примечание к документу

Документ включен в Перечень национальных стандартов, содержащих правила и методы исследований (испытаний) и измерений, в том числе правила отбора образцов, необходимые для применения и исполнения технического регламента о безопасности объектов внутреннего водного транспорта и осуществления оценки соответствия (Распоряжение Правительства РФ от 29.06.2011 N 1100-р).

Введен в действие с 1 декабря 2010 года.

Взамен ГОСТ Р 52081-2003.

Название документа

"ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009. Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения"

(утв. Приказом Ростехрегулирования от 07.12.2009 N 586-ст)

"ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009. Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения"
(утв. Приказом Ростехрегулирования от 07.12.2009 N 586-ст)

Содержание

Предисловие

Сведения о стандарте

1. Область применения

2. Термины и определения

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке

Утвержден и введен в действие

Приказом Ростехрегулирования

от 7 декабря 2009 г. N 586-ст

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ

МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА

ЧАСТЬ 1

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Non-destructive testing. Metal magnetic memory.

Part 1. Terms and definitions

ISO 24497-1:2007

Non-destructive testing - Metal magnetic memory -

Part 1: Vocabulary

(IDT)

ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009

Группа Т51

ОКС 77.040;

ОКСТУ 0009

Дата введения

1 декабря 2010 года

Предисловие

Цели и принципы стандартизации в Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002 г. N 184-ФЗ "О техническом регулировании", а правила применения национальных стандартов Российской Федерации - ГОСТ Р 1.0-2004 "Стандартизация в Российской Федерации. Основные положения".

Сведения о стандарте

1. Подготовлен Автономной некоммерческой организацией "Научно-исследовательский центр контроля и диагностики технических систем" (АНО "НИЦ КД") на основе собственного аутентичного перевода стандарта, указанного в пункте 4.

2. Внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика".

3. Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. N 586-ст.

4. Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 24497-1:2007 "Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения" (ISO 24497-1:2007 "Non-destructive testing - Metal magnetic memory - Part 1: Vocabulary", IDT).

5. Взамен ГОСТ Р 52081-2003.

Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты", а текст изменений и поправок - в ежемесячно издаваемых информационных указателях "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет.

1. Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения для процедур в области неразрушающего контроля с использованием метода магнитной памяти металла.

Термины, указанные в настоящем стандарте, являются обязательными для использования во всех типах документации и литературы в области неразрушающего контроля, при применении метода магнитной памяти металла, включенного в область действия работ по стандартизации, и/или использовании результатов этих работ.

2. Термины и определения

2.1. Магнитная память металла; МПМ: последействие, en Metal magnetic

которое проявляется в виде остаточной намагниченности memory

металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся

в процессе их изготовления и охлаждения в слабом

магнитном поле, или в виде необратимого изменения

намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений

и повреждений от рабочих нагрузок.

Примечание. Слабое магнитное поле - геомагнитное

поле Земли и другие внешние поля в области Рэлея.

2.2. Собственное магнитное поле рассеяния изделия; en Self-magnetic-

СМПР: магнитное поле рассеяния, возникающее leakage field

на поверхности изделия в зонах устойчивых полос of the components

скольжения дислокаций под действием рабочих

или остаточных напряжений или в зонах максимальной

неоднородности структуры металла.

Примечание. СМПР характеризует МПМ.

2.3. Метод магнитной памяти металла; метод МПМ: en Method

метод неразрушающего контроля, основанный на анализе of metal magnetic

распределения СМПР на поверхности изделий memory

для определения зон концентрации напряжений, дефектов

и неоднородности структур металла и сварных соединений.

2.4. Магнитодислокационный гистерезис: петля en Magneto-

гистерезиса, обусловленная закреплением стенок dislocation

магнитных доменов (стенок Блоха) на скоплениях hysteresis

дислокаций в слабом магнитном поле.

2.5. Критический размер локальных зон нарушения en Critical size

устойчивости оболочки изделия I : минимальное of the local

кр zones

расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами of instability

скольжения дислокаций в слоях материала, возникающее of the shell

в момент потери устойчивости оболочки изделия of a component

под действием нагрузок.

Примечание. Критический размер оболочки

на поверхности изделия характеризуется расстоянием

между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР,

кратными типоразмеру оболочки.

2.6. Напряженность СМПР: числовая характеристика en SMLF intensity

напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной

на поверхности изделия по методу магнитной памяти

металла.

2.7. Градиент СМПР: отношение модуля разности en SMLF gradient

напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной

в двух точках контроля, к расстоянию между ними.

2.8. Магнитный показатель деформационной en Magnetic index

способности металла m: отношение максимального значения of the deforma-

градиента СМПР к среднему значению. tion capability

of the metal

2.9. Предельный магнитный показатель деформационной en Limiting

способности металла m : отношение максимального value m of the

пр lim

значения градиента СМПР, соответствующего пределу magnetic index

прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, of the metal

соответствующему пределу текучести металла. deformation

capability

2.10. Канал измерений СМПР: напряженность СМПР, en SMLF measure-

измеренная одним феррозондовым преобразователем. ment channel

2.11. Базовое расстояние между двумя каналами en Base distance

измерений СМПР I : расстояние между двумя каналами between two SMLF

б measurement

измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика. channels

2.12. Диаграмма СМПР: графическое изображение en SMLF diagram

распределения СМПР и его градиента вдоль

контролируемого участка.

2.13. Дискретность записи напряженности СМПР: en Discreteness

расстояние между двумя соседними точками измерений unit of the SMLF

напряженности магнитного поля рассеяния. intensity

recording

2.14. Калибровка аппаратуры, применяемой en Calibration

для измерений магнитной памяти металла: настройка of the equipment

датчиков измерения магнитного поля рассеяния used to measure

с использованием эталонной катушки и устройства, the metal

чувствительного к изменению пространственного magnetic memory

положения, с использованием эталонного образца

для измерения длины.

2.15. Установка режима работы аппаратуры по методу en Setting

МПМ: настройка аппаратуры, описанная в руководстве of equipment

по эксплуатации, в соответствии с главным меню прибора. operational mode

by the MMM method

2.16. Помехи при измерениях по методу МПМ: наличие en Interference

факторов, искажающих СМПР объекта контроля. noise during

measurements

by the MMM method

Примечание. Факторы, искажающие СМПР объекта

контроля:

- источники сильного и неоднородного магнитного

поля вблизи объекта контроля;

- наличие постороннего ферромагнитного изделия

на объекте контроля или вблизи зоны контроля;

- наличие внешнего магнитного поля и поля

от электросварки на объекте контроля;

- наличие локальной искусственной намагниченности

металла.

Алфавитный указатель терминов на русском языке

гистерезис магнитодислокационный 2.4

градиент СМПР 2.7

диаграмма СМПР 2.12

дискретность записи напряженности СМПР 2.13

калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти 2.14

металла

канал измерений СМПР 2.10

метод магнитной памяти металла 2.3

метод МПМ 2.3

МПМ 2.3

напряженность СМПР 2.6

память металла магнитная 2.1

показатель деформационной способности металла магнитный 2.8

показатель деформационной способности металла магнитный предельный 2.9

поле рассеяния изделия магнитное собственное 2.2

помехи при измерениях по методу МПМ 2.16

размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия 2.5

критический

расстояние между двумя каналами измерений СМПР базовое 2.11

СМПР 2.2

установка режима работы аппаратуры по методу МПМ 2.15

Алфавитный указатель эквивалентов терминов

на английском языке

base distance between the two SMLF measurement channels 2.11

calibration of the equipment used to measure the metal magnetic 2.14

memory

critical size of the local zones of instability of the shell 2.5

of a component

discreteness unit of the SMLF intensity recording 2.13

interference noise during measurements by the MMM method 2.16

limiting value of the magnetic index of the metal deformation 2.9

capability

magnetic index of the deformation capability of the metal 2.8

magneto-dislocation hysteresis 2.4

metal magnetic memory 2.1

method of metal magnetic memory 2.3

self-magnetic-leakage field of the components 2.2

setting of equipment operational mode by the MMM method 2.15

SMLF diagram 2.12

SMLF gradient 2.7

SMLF intensity 2.6

SMLF measurement channel 2.10